книги / Электронные приборы
..pdf1с |
|
‘ 1с |
'^"зи^зипор |
' |
|
|
|
Щи^ЭИПОр l/r u |
[ ^ |
зиУ м п ° р иш |
Уэи = пор |
цг„/Цзи'^зипор 1/си |
|
|
|
|
|
г |
||
18. Укажите характеристику передачи транзистора с изолированным затвором и индуцированным р-каналом.
[1, стр. 355; 2, стр. 244]
19. Как изменится выходная характеристика транзи стора с изолированным затвором и встроенным «-кана лом при уменьшении напряжения затвор — исток?
[1, стр. 349; 2, стр. 244]
20. Как изменится характеристика передачи транзис тора с изолированным затвором и индуцированным р-ка налом при подаче положительного напряжения на под ложку? [1, стр. 355]
1 |
2 |
3 |
4 |
21. Как изменится выходная характеристика тран зистора с изолированным затвором и индуцированным п-каналом при подаче отрицательного напряжения на подложку? [1, стр. 355]
10-5. ПАРАМЕТРЫ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Рассматриваются параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов в режиме малого сигнала. Рас смотрение в основном ограничено определением парамет ров и простейшими эквивалентными схемами. В боль шинстве случаев (если особо не оговаривается) считает ся, что вывод от подложки транзистора с изолированным затвором отсутствует. Положительные направления токов и напряжений выбраны, как в четырехполюснике.
1. Укажите определение крутизны характеристики S транзистора. [1, стр. 356]
|
о |
__ |
д1з |
|
1 . |
О |
л |
2 . S |
|
|
|
|
||
|
|
^ |
с и * |
|
3 . |
|
|
|
СО |
d ic
=
"Я 'с и
д!с
II
диПУ1 |
М э и |
2. Как зависит от напряжения затвор — исток кру тизна характеристики 5 транзистора с управляющим р-п переходом в режиме насыщения? [1, стр. 356]
1. |
S л / |
„ |
2. S ~ ( l - |
л |
/ ) |
|
V |
\ |
V |
УЗИот= J |
|
3. |
S |
|
4. S ~ ( U m - U m vnp . |
||
\^ ЗИ^отс/
3.Укажите определение полной входной проводимо сти Уц„ транзистора. [1, стр. 355; 2, стр. 242]
1 |
У |
— JJL |
..=о |
9 |
V |
|
— i L l |
|
|
|
г |
ни — |
|
Г |
11И — |
|
. n* |
||
|
|
|
"CU u |
|
|
|
|
U3u\lC~~0 |
|
3. |
ViiH = — I |
• |
4, |
К11и = |
— I . |
||||
|
|
иСИГ8И~° |
|
|
|
иси1‘с~° |
|||
4. Каково приблизительно значение активной состав ляющей полной входной проводимости транзистора с управляющим р-п переходом? [1, стр. 356]
1. 1СГ§— 10' См. 2. 1(Г4_ 1 (Г б См.
3.1СГ8— КГ10 См. ,-1о ,п-и с м.
4.1(Г10— 10"
5.Каково приблизительно значение активной состав ляющей полной входной проводимости транзистора с изолированным затвором? [1, стр. 356]
1.10“2 — 10"4 См. 2. Ю-4 — КГ6 См.
3.КГ8— Ю-10См. 4. ГЮ~10— 10_12См.
6.Укажите определение полной проводимости пря
мой передачи IW [1, стр. 355; 2, стр. 242]
i |
• |
v |
_A |
1 |
1 21И |
-------- |
|
|
|
V |
иЗИnsllо |
Q |
__ JjL |
||
|
|
1 21И |
— |
“зи=°'
2. ¥Ш= Щ
WCH|
Ау — A
1 21И — ----
W3H
7. |
Как зависит от напряжения затвор — исток кру |
|||
тизна |
характеристики S транзистора с изолированным |
|||
затвором и индуцированным каналом? |
[1, стр. 356] |
|||
|
1- s ~ ( i - ] |
/ |
2 . s ~ |
fJx - u m „ J . |
\ Г U3HnovJ
|
£/■ |
*1/2 |
3. |
зи |
4. S ~ (иж- и жщ1у |
иЗИ пор !
8.Укажите определение крутизны характеристики по
подложке 5П транзистора с |
изолированным затвором. |
|||
[1, стр. 357] |
|
|
|
|
1. 5П_ |
д/с |
2. |
Sa = —— |
|
|
«/пи |
|
|
«/пи |
3. S„ _ |
а/с |
4. |
s n = |
д1о |
— — . |
||||
|
СО 53 |
|
|
«/си |
9. Укажите определение полной выходной .проводимо сти транзистора Уе2и. [1, стр. 356; 2, стр. 242]
1. У22и = — . |
• |
О |
у |
_ |
|
|
|
|
1 22И — |
#зи1мси'~'® |
|||||
изи1‘с ~ ° |
|
|
|
|
|||
Я У — *С 1 |
|
A |
Y |
— А |
| |
I |
|
7 22И — |
|
|
J 22И — |
|
|
||
^СИГЗИ"~° |
|
|
|
^СИГз- 0 |
|||
10. Каково приблизительно значение активной со ставляющей полной выходной проводимости полевого транзистора в режиме насыщения? [1, стр. 356]
1. |
К Г1— 1(Г2 См. |
2. |
КГ3— 10' |
С |
3. |
10-5 — 10- 7 См. |
4. |
10-9 — 10“ |
См. |
11.Определите значение крутизны в точке А выход
ной характеристики транзистора. (См. разъяснение)
1.—1,5 мА/В. 2. ~ 1 мА/В.
3.- 0,75 мА/В.
4.~ 0,5 мА/В.
5.~ 0,25 мА/В.
12.Укажите определение полной проводимости об
ратной передачи |
[1, стр. 355; 2, стр. 242] |
3. |
К 12и = |
l3 |
. |
п• |
л |
V |
— lc |
|
|
|
|
|
|
- -1 |
12111------ |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
*С=° |
|
|
U,зи 1 |
|
|
|
|
13. |
Определите |
значение крутизны в точке Б харак |
|||||||||
теристики передачи транзистора. (См. разъяснение) |
|
||||||||||
1. |
~1,6мА/3, |
|
|
|
МА |
|
|
|
|||
2. |
~ |
0,8 мА/В. |
|
|
|
h |
/ |
|
|||
|
|
|
0 Л |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|||||||
3. |
~ |
0,4 мА/В. |
|
|
|
ис„ ч о т ь |
|
||||
4. |
~ |
0,2 мА/В: |
|
|
|
о,г |
|
] |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
У |
/6 |
1/зи |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-/ '0,5 о 0.5 1 6 |
|||
14. |
|
Пренебрегая |
|
активными проводимостями за |
|||||||
твор — исток и затвор — сток и сопротивлениями облас тей стока и истока, укажите простейшую П-образную эк вивалентную схему транзистора. [1, стр. 413; 2, стр. 240]
3 |
5ЛС |
с |
3 |
— II----- |
3 |
с |
£ |
||||||
|
к |
|
|
|
|
|
h>uJHz Сзи |
Г-1 |
|
|
З аЭИ |
Г |
^е»асн |
z |
Гс 4 J c ’“ c |
|
П |
|
4 |
сзи |
J |
Ь.“зи |
гс |
|
9“зи |
|
|
л |
|
ьзи |
6зс |
||
|
|
|
|
|
|
|||
' |
t f ' ' ' |
’ |
|
И |
|
|
|
И |
|
|
|
|
z |
|
|
|
J |
15. Укажите формальную эквивалентную схему тран зистора с У-параметрами. [2, стр. 242]
и |
2 |
J |
1 |
16. Как связан с У-параметрами параметр g данной эквивалентной схемы транзистора? [2, стр. 242]
О |
^зс |
г |
ё = |
^12И‘ |
2. g = У21П4~ Уци* |
о------ - I I — 1_ p |
|
з. £ = |
У 21и. |
|
|
|
■ Gt j r‘ |
“ |
§ = |
^ 2 1 и |
Ух2И* |
|
] |
|
|
|
|
|
$ иЗИ |
|
|
|
|
о------ |
J |
|
|
|
|
17. Как связан с У-параметрами параметр г,- данной эквивалентной схемы транзистора? [2, стр. 242]
|
|
|
<3*I |
изс |
£• |
1 • |
— (У 21И “Ь У 12и) |
• |
о- |
|
-о |
2 |
rt = Ynl |
|
|
?“зи |
|
3. |
^г==(УГ22И_“^/12и) |
• |
I и Т |
ШП^ |
|
4* ri = 0 ^2 2 114" ^ И и ) •
18. Выразите емкость С,с в эквивалентной схеме транзистора через его ^-параметры. [2, стр. 242]
Сас = /(oV^u,,.
2. Сзс = jY12a/(o.
3. Сзс = —/ш (К22п— К12„.)
4* Сзс = jY2ut/<a,
19. Выразите емкость Сзи в эквивалентной схеме транзистора через его У-параметры. [2, стр. 242]
!• ^зп — i<i>Y12п. 2. С3„ = — jYlla/(o.
3 . C *, = - M Y 21ll- Y 22ll). 4 . C 3[1= - / ( K U II+ K 12H)/(O .
3 |
^эс |
с |
|
__ __ |
|
Сзп
1 1с-аси
J/2
Зиая
И
20. Укажите эквивалентную схему транзистора с со средоточенными постоянными с учетом активных прово димостей затвор — исток и затвор—сток и сопротивле ний областей стока и истока. [1, стр. 413; 2, стр. 241]
С3с |
Сзс |
21. Укажите эквивалентную схему транзистора с изо лированным затвором и выводом от подложки, пренебре гая проводимостями затвор — исток и затвор — сток и сопротивлениями областей стока и истока. [1, стр. 414]
10-6. ШУМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Рассматриваются собственные шумы транзистора, подразделяемые согласно общепринятой терминологии на тепловые шумы канала, шумы затвора и избыточные шумы. Рассмотрение ограничено основными физически
ми явлениями, определяющими составляющие шума, и общими качественными закономерностями.
1.Какими физическими процессами определяется тепловой шум канала транзистора? (См. разъяснение)
1.Флуктуациями поверхностных состояний в по лупроводнике.
2.Хаотическим движением носителей заряда в ка нале транзистора.
3.Флуктуациями заряда в канале за счет генера ционно-рекомбинационных центров.
4.Захватом носителей дислокациями в кристалле.
2.Укажите выражение для : среднеквадратичного значения напряжения теплового шума канала транзис тора. (См. разъяснение)
!2 = 2е1с Щ .
ш.т
'ш.т = 4kTr. А/.
3.Зависит ли тепловой шум канала транзистора от напряжений на выводах транзистора? (См. разъяснение)
1.Не зависит, так как тепловой шум определяется только удельным электрическим сопротивлением канала транзистора.
2.Зависит, так как сопротивление канала тран зистора зависит от приложенных напряжений.
3.Правильного ответа нет.
4.Каково происхождение шумов затвора в транзис торе с управляющим р-п переходом? (См. разъяснение)
1.Флуктуации заряда вследствие рекомбинацион ных процессов в переходе.
2.Захват носителей, движущихся через переход, дислокациями в кристалле.
3.Дробовой эффект, обусловленный обратным током перехода, и индуцированный шум вследствие ем костной связи затвора с каналом.
4.Хаотическое движение носителей через пере ход.
5.Какая из составляющих шума затвора проявляет ся на низких частотах? (См. разъяснение)
1.Дробовой шум. 2. Индуцированный шум. 3. Обе составляющие проявляются одинаково.
6.Каково происхождение шумов затвора в транзис торе с изолированным затвором? (См. разъяснение)
1.Флуктуации заряда в объеме диэлектрика.
2.Флуктуации поверхностных состояний в диэлек трике у поверхности затвора.
3.Дробовой эффект.
4.Индуцированный шум вследствие емкостной связи затвора с каналом.
7.На каких частотах индуцированный шум затвора проявляется сильнее? (См. разъяснение)
1.На низких частотах. 2. На высоких частотах.
3.На всех частотах проявляется одинаково.
8.Какие явления определяют избыточный шум в транзисторе с управляющим р-п переходом? (См. разъ яснение)
1.Флуктуации заряда в области объемного заря да за счет генерационно-рекомбинационных цент ров.
2.Флуктуации заряда в канале вследствие реком бинации носителей.
3.Хаотичное движение носителей в канале.
4.Дробовой эффект при протекании тока через пе реход.
9.Какие явления определяют избыточный. шум в транзисторе с изолированным затвором? (См. разъясне
ние)
1.Флуктуации заряда в канале.
2.Хаотическое движение носителей в канале.
3.Процессы генерации и рекомбинации носителей
вобъеме и на поверхности полупроводника.
4.Правильного ответа нет.
10.Каково распределение по спектру избыточного
шума транзистора? [1, стр. 405]
1.С ростом частоты шум уменьшается.
2.С ростом частоты шум увеличивается.
3.Шум не зависит от частоты.
диоды
1-1. Физические явления в межэлектродном пространстве диода
1-4; 2-1; 3-2; 4-2; 5-2; 6-2; 7-1; 8-3; |
9-3; 10-1. |
||
1-2. Характеристики и параметры диодов |
|||
1-2; 2-1; 3-2; 4-1; |
5-2; 6-2; |
7-1; |
8-3; 9-2; 10-2; 11-3; |
12-2; 13-2; 14-1; 15-2; |
16-3; 17-1; |
18-1. |
|
Ответы к гл. 2
ТРИОДЫ
2-1. Управляющее действие сетки.
Действующее напряжение
1- 1; 2-2; 3-1; 4-1; 5-3; 6-3; 7-2; 8-1; 9-1; 10-1.
2-2. Токопрохождение и токораспределение в триоде
1- 2.
2- 2. Коэффициент токораспределения является функ цией отношения UJUC и зависит от геометрии системы
электродов, для режима перехвата K„= C„yr Ua/Uc. 3- 2; 4-2; 5-2; 6-2.
2-3. Характеристики и параметры триодов
Анодные характеристики
I- 3; 2-2; 3-1; 4-5; 5-2.
Анодно-сеточные характеристики
6-1; 7-1; 8-2; 9-2; 10-3.
Сеточные и сеточно-анодные характеристики
II- 2; 12-2; 13-1; 14-1; 15-1.