книги / Электронные приборы
..pdf10. Пренебрегая величиной потенциального барьера на переходах, укажите зависимость напряжения отсечки l/зиотс от концентрации донорной примеси ND и на чальной ширины канала а (ширины канала в отсутствие напряжений на выводах транзистора). [2, стр. 238]
1 |
п |
1 |
о U |
___— |
|
*• |
°ЗИотс~ |
яЛ1 |
• |
^ЗИотс |
„•> • |
|
|
aN D |
|
N-D |
|
3* ^ЗИ отс ~ |
а^ Ь ■ |
^ЗИотс~а2^ 0 ’ |
|||
11. Какая область делается более высокоомной: об ласть канала или область затвора? [2, стр. 232]
1.Область затвора.
2.Обе области имеют одинаковое удельное элек трическое сопротивление.
3.Область канала.
12.При каких напряжениях сток.— исток t/си канал
транзистора |
является |
перекрытием? [1, |
стр.. 346; 2, |
||
стр. 239] |
|
|
|
|
|
1 • |
^си |
Рзи отс|* 2. Ucll |
|U3ii0Тс|. |
|
|
3. |
^ с и ^ ^ з и |
^ЗИ отс- |
^СИ^-^ЗИ |
^ЗИотс- |
|
13. Какой электрический режим транзистора назы вается режимом насыщения? [1, стр. 346; 2, стр. 233]
1.Режим, при котором имеет место перекрытие канала при ненулевом токе транзистора.
2.Режим, при котором С/зи < 0 и Uси ^ 0 .
3.Режим, при котором переходы транзистора смещены в прямом направлении.
4.Режим, при котором 1/зи<0 и (/си<0.
14.Какое напряжение носит название напряжения насыщения? [1, стр. 346; 2, стр. 237]
1.Напряжение сток — исток, при котором проис ходит перекрытие канала.
2.Напряжение затвор — исток, при котором про исходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора.
3.Напряжение сток — исток, при котором проис ходит перекрытие канала при нулевом токе тран зистора.
4.Напряжение затвор — исток, при котором про исходит перекрытие канала при ненулевом токе транзистора.
l£
21. Считая длину канала во много раз большей его ширины, укажите выражение для тока стока /с транзис тора при напряжениях, при которых отсутствует пере крытие канала [1, стр. ’348; 2, стр. 239]
1. |
_1_ |
|
^ з и - " с и ) 8~| |
'с |
|
^ЗИ ОТС J |
|
|
|
|
|
|
7с ~ г. |
^си |
_^зи_1 |
|
[■ ^ЗИ отс J |
||
|
гю |
|
4. /, |
|
|
изи |
^ |
[ и си + т |
1 / U |
|
|
|
|
ЗИ отс |
2_ ъ / |
(^зи ~ "си)31 |
||
3 |
У |
^ З И отс |
J' |
22. Как изменяется дрейфовая скорость и подвиж ность электронов в режиме насыщения с ростом напря жения сток — исток транзистора? [2, стр. 234]
1.Дрейфовая скорость и подвижность электронов уменьшаются.
2.Дрейфовая скорость достигает насыщения, по движность электронов уменьшается.
3.Дрейфовая скорость и подвижность электронов увеличиваются.
4.Дрейфовая скорость увеличивается, подвиж ность электронов сохраняется неизменной.
24. Укажите выражения для тока стока /снас в ре жиме насыщения, считая длину канала во много раз большей его ширины. [1, стр. 348; 2, стр. 239]
1. |
А |
2 |
|
^зи |
и зи* |
|
|
|
||
|
|
|
3 |
|
^З И отс |
|
|
|
|
|
2. |
I |
, С нас ‘ |
_П1о_ W |
' |
] / ^ Истс) |
з |
||||
3. |
IС пас |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
------V .ЗИ ото * |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
]■ |
|
|
|
|
|
|
|
4 |
/ |
~ |
_____L |
и |
|
I / |
,, |
з и |
,, |
* |
|
^Снас— |
г , |
*-, ЗИ отс |
|
||||||
|
|
|
г<0 |
|
|
' |
и ЗИотс-< У ЗИ |
|
||
25. Чем объясняется слабый рост тока транзистора в режиме насыщения при увеличении напряжения сток—■ исток? [2, стр. 234]
1.Увеличением концентрации электронов в обла сти истока.
2.Распространением области объемного заряда в основном в направлении стока и нелинейным рос том сопротивления канала.
3.Изменением удельного электрического сопротив ления полупроводника в областях стока и истока.
4.Правильного ответа нет.
26.Чему равно напряжение насыщения Uсинае тран
зистора |
при нулевом |
напряжении |
затвор — исток? |
||||
[1, стр. 347; 2, стр. 239] |
|
|
|
|
|
||
1. |
U |
ЗИ отс~^1*0 ^С нас* ^* ^С И нас |
— Г |
/ |
С нас* |
||
|
СИ нас |
' t'O |
|
||||
3. |
UСИ нас = О* |
4* |
^С И нас = |^ З И |
отс|* |
|
|
|
27.Как изменяется напряжение насыщения транзис
тора при увеличении |
начальной |
ширины канала? |
[2, стр. 238] |
неизменным. |
2. Уменьшается. |
1. Сохраняется |
3.Увеличивается.
28:Какому, полупроводниковому материалу при изго товлении транзистора следует отдать предпочтение с точ ки зрения подвижности носителей: с большей или мень шей подвижностью? [2, стр. 240]
1.Материалу с меньшей подвижностью, так как при этом его удельное электрическое сопротивле ние выше.
2.Материалу с большей подвижностью, так как при этом меньше сопротивление полностью от крытого канала транзистора.
3.Может быть выбран любой полупроводниковый материал, так как подвижность носителей не влия ет на характеристики и параметры транзистора. 4. Правильного ответа нет.
10-2. СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МДП-ТРАНЗИСТОРЕ
Рассматриваются основные свойства МДП-структу- ры на примере так называемой идеальной структуры, в которой нет потенциального барьера на контактах при отсутствии приложенного к структуре напряжения. На пряжение на структуре отсчитывается по отношению к полупроводнику, т. е. потенциал объема полупроводника принят за нулевой и разность потенциалов между метал лом и полупроводником по знаку и величине равна на пряжению на структуре.
Основные физические явления в МДП-структуре рас сматриваются на примере транзистора с м-подложкой. При этом напряжения отсчитываются относительно об щего вывода — истока.
3.Обогащенный основными носителями слой в п-полупроводнике.
4.Обогащённый основными носителями слон в р-полупроводнике.
5.Как изменяется ширина обогащенного носителя
ми заряда слоя при увеличении абсолютного значения напряжения на МДП-структуре? [1, стр. 351]
1. Сохраняется неизменной. 2. Увеличивается.
3.Уменьшается.
6.Укажите энергетическую диаграмму МДП-струк- туры с р-полупроводником при отрицательном напряже нии на структуре. (См. разъяснение)
Р
7. Укажите энергетическую диаграмму МДП-арук- туры с n-полупроводником при напряжении на структу ре, при котором имеет место инверсия проводимости в поверхностном слое полупроводника. [1, стр. 351]
8. |
Что называется n-каналом в МДП-структуре? |
[1, стр. 351 (см. разъяснение)] |
|
1. |
Обедненный основными носителями — дырками |
слой в р-полупроводнике.
2.Обогащенный основными носителями слой в «-полупроводнике.
3.Часть обедненного основными носителями слоя
вр-полупроводнике с инверсной электронной про водимостью.
4. Обогащенный основными носителями слой в р-полупроводнике.
9. Укажите выражение потенциала у кз на гран «-полупроводника с диэлектриком, при котором имеет место инверсия проводимости в поверхностном слое по лупроводника. [1, стр. 351]
•• ф» > - 7 ( £« - £ <)- 2' ч,= < т ( £ '» - £ ‘>-
i* . = 7 ( £ - Ч -
10.Укажите соотношение между концентрацией электронов п в поверхностном слое и равновесным зна чением концентрации электронов п0 в п-полупроводнике при приложении к структуре положительного напряже ния. [1, стр. 351]
1.п = п0. 2. п > п 0. 3. п < п 0.
11.Укажите соотношение между концентрацией ды рок р в поверхностном слое и равновесным значением концентрации дырок р0 в р-полупроводнике при прило жении к структуре положительного напряжения. [1, стр. 351]
1. р = р0. 2. р > р 0. 3. р < р „ .
12. Укажите энергетическую диаграмму МДП-струк- туры с р-полупроводником при напряжении на структу ре, при котором имеет место инверсия проводимости в поверхностном слое полупроводника. [См. разъяснение]
} |
г |
j |
13. Укажите энергетическую диаграмму МДП-струк- туры с л-полупроводником при напряжении на структу ре, при котором имеет место обеднение поверхностного слоя полупроводника носителями заряда. [1, стр. 351]
14. Укажите выражение потенциала фК5 на границе р-полупроводника с диэлектриком, при котором имеет место инверсия проводимости в поверхностном слое по лупроводника. (См. разъяснение)
15. Укажите соотношение между концентрациями электронов л и дырок р в канале, образованном в р-по лупроводнике. [1, стр. 351]
1. л = р. 2. л > р. 3. л < р.
4. Возможны различные соотношения в зависи мости от приложенного напряжения.
16. Какой знак и каково происхождение объемного заряда в поверхностном слое л-полупроводника вне об разовавшегося р-канала? [1, стр. 352]
1. Заряд отрицательный, образован основными носителями — электронами.
2.Заряд положительный, образован неосновными носителями — дырками.
3.Заряд положительный, образован ионизирован
ными донорами.
4. Заряд отрицательный, образован ионизирован ными акцепторами.
18.Что понимают под слабой инверсией в МДПструктуре? (См. разъяснение)
1.Состояние структуры, при котором поверхност ная электропроводность положительная.
2.Состояние структуры, при котором поверхност ная электропроводность отрицательная.
3.Состояние структуры, при котором существует канал проводимости и поверхностная электропро водность отрицательная.
4.Состояние структуры, при котором существует канал проводимости и электропроводность поло жительная.
19.Что понимают под сильной инверсией в МДПструктуре? (См. разъяснение)
1.Состояние структуры, при котором поверхност ная электропроводность положительная.
2.Состояние структуры, при котором поверхност ная электропроводность отрицательная.
3.Состояние структуры, при котором существует
канал проводимости и поверхностная электропро водность отрицательная.
4. Состояние структуры, при котором существует канал проводимости и поверхностная электропро-
_ водность положительная. |
|
||
20. Что называется |
пороговым напряжением в |
||
МДП-транзисторе, |
с |
индуцированным |
каналом? |
[1, стр. 353] |
|
|
|
1.Напряжение сток — исток, при котором обра зуется канал проводимости.
2.Напряжение затвор — исток, при котором об
разуется канал проводимости.