книги / Электронные приборы

9. При каких значениях прямого напряжения обычнр работают кремниевые выпрямительные диоды? [2, стр. 79]

Л.0,01—0,1 В. 2. 0,1—0,7 В. 3. 0,7—2 В.

4.2—3,5 В.

10.Каких значений может достигать плотность пря­

мого тока в германиевых плоскостных выпрямительных диодах? [2, стр. 71 (см. разъяснение)]

1. До 102 А/м2. 2. До 104 А/м2. 3. До 10е А/м2.

4.До 108 А/м2. '

11.Каково допустимое обратное напряжение в крем­

ниевых выпрямительных диодах? [1, стр, 268; 2, стр, 80]

1.5—30 В. 2. 100—2500 В. 3. 2500—3500 В.

4.3000—4000 В.

12.Какие значения выпрямленного тока типичны для германиевых выпрямительных диодов малой и средней

мощности? [2, стр. 74]

1.1—10 мА. 2. 10—100 мА. 3. 0,1—10 А.

4.10—200 А.

13.В каких пределах лежат значения обратных токов германиевых выпрямительных диодов малой и средней мощности? [2, стр. 74]

1.0,01—0,1 мА. 2. 0,1—3 мА. 3. 3—10 мА.

4. .10—30 мА.

14. Какие значения выпрямленного тока типичны для кремниевых выпрямительных диодов малой и сред­ ней мощности? [2, стр. 79]

1.1—10 мА. 2. 10—100 мА. 3. 0,1—10 А.

4.10—300 А.

15.Какое допустимое обратное напряжение у герма­

ниевых плоскостных выпрямительных диодов? [2, стр. 74]

1.20—50 В. 2. 50—400 В. 3. 400—800 В.

4.800—2000 В.

16.Какой верхний предел рабочей температуры вы­ прямительных германиевых диодов? [1, стр. 267]

1.+20°С. 2. +45°С. 3. +70°С. 4. +150°С.

17.Какой верхний предел рабочей температуры вы­ прямительных кремниевых диодов? [1, стр. 267]

1.+60° С. 2. +100° С. 3. +150° С. 4. +200° С.

18.Как изменяется вольт-амперная характеристика германиевого выпрямительного диода при повышении температуры? [2, стр. 73]

19. Как изменяется вольт-амперная характеристика кремниевого выпрямительного диода при повышении температуры? [2, стр. 78]

20. Как изменяется обратная ветвь характеристики кремниевого диода с ростом температуры? [2, стр. 78]

1.Обратный ток с ростом температуры уменьша­ ется.

2.Обратный ток растет, но пробой наступает при большем обратном напряжении.

3.Обратная ветвь характеристики от температуры не зависит.

4.Обратный, ток растет и пробивное напряжение уменьшается.

21.Как изменяется обратная ветвь характеристики

германиевого диода с ростом температуры? [2, стр. 73]

1.Обратный ток растет и пробой наступает при меньшем обратном напряжении.

2.Обратный ток уменьшается.

3.Обратная ветвь характеристики не изменяется.

4.Обратный ток растет, а пробой наступает при большем обратном напряжении.

22.Почему с ростом температуры германиевого диода его пробивное напряжение уменьшается? [2, стр. 72]

1. Повышение температуры диода способствует возникновению теплового пробоя.

2.Вследствие увеличения длины свободного про­ бега подвижных носителей.

3.Вследствие увеличения потенциального барьера перехода и возрастания напряженности поля в области перехода.

4.Вследствие уменьшения проводимости кристал­

ла диода.

. 23. Какой вид электрического пробоя типичен для германиевых диодов? [1, стр. 243 (см. разъяснение)] 1. Лавинный пробой. 2. Туннельный пробой.

3.Оба вида пробоя равновероятны.

24.Как влияет повышение температуры на возникно­ вение пробоя у германиевых диодов? [2, стр. 72]

1. Не влияет.

2.Облегчает возникновение пробоя.

3.Затрудняет возникновение пробоя.

25.Какой вид электрического пробоя типичен для кремниевых диодов? [1, стр. 243 (см. разъяснения к во­ просу 23)]

1. Лавинный пробой.

2.Туннельный пробой.

3.Оба вида пробоя равновероятны.

26.Какие диоды (германиевые или кремниевые) мо­ гут работать при высокой температуре? [1, стр. 267]

1. Кремниевые.

2.Германиевые.

3.От типа полупроводника температурные свой­ ства не зависят.

4.Правильного ответа нет.

27.Каков нижний предел рабочей температуры гер­ маниевых выпрямительных диодов? [2, стр. 73]

1.—100° С. 2. —60° С. 3. 0°С. 4. +20° С.

28.Чем обусловлен нижний предел рабочей темпера­ туры германиевых выпрямительных диодов? [2, стр. 73]

1.Уменьшением концентрации подвижных носи­ телей.

2.Уменьшением подвижности носителей.

3.Возможностью растрескивания кристалла из-за

разных коэффициентов теплового расширения германия и индия.

4.Снижением пробивного напряжения.

29.Почему повышение температуры германиевого диода при небольшом прямом токе приводит к увеличе­ нию прямого тока? [ 1, стр. 260]

1.Увеличивается сопротивление толщи кристалла диода.

2.Уменьшается пробивное напряжение.

3.Увеличивается тепловое рассеяние свободных носителей.

4.Увеличивается тепловой ток диода.

30.Почему у кремниевых выпрямительных диодов при небольшом повышении температуры возрастает про­ бивное напряжение? [2, стр. 80]

1. Увеличивается напряженность электрического поля в толще кристалла.

2.Увеличивается тепловое рассеяние свободных

носителей и уменьшается длина свободного про­ бега.

3.Увеличивается сопротивление толщи кристалла.

31.Для чего мощные диоды снабжаются радиатора­ ми? [ 1, стр. 268]

1.Для отвода тепла.

2.Для увеличения механической прочности.

3.Для более удобного монтажа.

4.Для присоединения выводов.

5.Правильного ответа нет.

32. Что такое детекторный диод? [1, стр. 271] 1. Диод с большой площадью р-п перехода.

2.Диод, работающий в режиме пробоя.

3.Диод, предназначенный для преобразования высокочастотного сигнала.

4.Диод, работающий на омическом участке пря­ мой ветви.

33.Какие полупроводниковые диоды (плоскостные или точечные) могут работать на более высоких часто­ тах [1, стр. 271; 2, стр. 90]

1.Плоскостные диоды.

2.Точечные диоды.

3.Рабочая частота от типа перехода не зависит.

34.Какие полупроводниковые диоды (плоскостные или точечные) имеют большую емкость р-п перехода? [1, стр. 271]

1. Плоскостные.

2.Точечные.

3.Емкость не зависит от типа перехода.

35.Для чего главным образом применяются точеч­ ные диоды? [2, стр. 90]

1. Для выпрямления тока.

2.Для детектирования СВЧ сигналов.

3.Для стабилизации напряжения.

4.Для усиления слабых сигналов.

5.Для стабилизации тока.

36.Что называется сопротивлением растекания то­

чечного диода? [2, стр. 83] 1. Сопротивление перехода при прямом смещении.

2. Сопротивление перехода при обратном смеще­ нии.

3.Сопротивление перехода в режиме пробоя.

4.Сопротивление между точечным и невыпрям­ ляющим контактами.

37.Что называется чувствительностью по току детек­

торного диода? [1, стр. 273] 1. Крутизна прямой ветви характеристики.

2. Отношение прямого тока к обратному напря­ жению.

3. Отношение приращения выпрямленного тока к мощности подводимого сигнала.

4. Отношение обратного тока к прямому напря­ жению.

38. Что такое импульсный диод? [1, стр. 268] 1. Диод, работающий в режиме пробоя.

2. Диод, имеющий малую постоянную времени.

3. Диод с большой емкостью р-п перехода.

4. Диод, имеющий отрицательное дифференци­ альное сопротивление.

39. Какие диоды (плоскостные или точечные) чаще

•используются как импульсные? [2, стр. 87]

1.Точечные. 2. Плоскостные. 3. Одинаково часто плоскостные и.точечные.

40.В каких пределах лежит значение емкости р-п перехода импульсных диодов? [ 1, стр. 269]

1. 0,1—1,0 мкФ. 2. 0,2—10 пФ. 3. 20—100 пФ.

4.100—1000 пФ.

41.В каких пределах лежит время восстановления обратного сопротивления у большинства импульсных диодов? [1, стр. 270; 2, стр. 86]

1. Больше 100 мс. 2. Меньше 10 нс, 3. 0,1 мс —

0.05.мкс.

42.Для чего база некоторых импульсных диодов до­ полнительно легируется примесями тяжелых металлов (например, золотом)? [1, стр. 269]

1. Для увеличения механической прочности диода.

2.Для лучшего теплоотвода.

3.Для уменьшения времени восстановления" за счет образования рекомбинационных ловушек.

4.Для увеличения рассеиваемой мощности.

43.Что такое полупроводниковый стабилитрон? [1, стр. 274; 2, стр. 98]

1.Полупроводниковый диод, работающий в режи­ ме электрического пробоя на обратной ветви ха­ рактеристики.

2.Диод, работающий на линейном участке прямой ветви.

3.Точечный диод, работающий при небольших прямых смещениях.

44.Какие полупроводниковые диоды работают в ре­ жиме пробоя? [1-, стр. 274; 2, стр. 98]

1. Выпрямительные. 2. Детекторные. 3. Стабили­ троны.

45.Для чего применяются стабилитроны? [1, стр. 274; 2, стр. 98]

1. Для выпрямления переменного тока.

2. Для генерирования незатухающих колебаний.

3.Для поддержания постоянства напряжения в широких пределах изменения тока.

4.Для усиления слабых сигналов.

5.Для преобразования частоты.

46.При какой полярности напряжения работают ста­ билитроны? [1, стр. 274; 2, стр. 98]

1.При прямом напряжении. 2. При обратном на­ пряжении. 3. При любой полярности.

47.Укажите обратную ветвь вольт-амперной харак­ теристики стабилитрона. [1, стр. 274; 2, стр. 99]

49. Укажите характеристику стабилитрона, а также рабочую область (АВ). [1, стр. 274]

50. Каков порядок дифференциального сопротивле­ ния стабилитрона в рабочей области? [ 1, стр, 275; 2, стр. 100]

1. Несколько мегаом. 2. Несколько килоом. 3. От долей ома до сотен омов. 4. Правильного ответа нет.

51. Чем определяется минимальное значение рабоче­ го тока стабилитрона? [2, стр. 101]

1. Наступлением теплового пробоя.

2. Моментом перехода из области насыщения в область пробоя.

3.Устойчивостью лавинного пробоя.

4.Значением рабочего напряжения.

52.Чем определяется максимальное значение рабо­ чего тока стабилитрона? [2, стр. 101]

1.Мощностью, рассеиваемой диодом.

2.Моментом перехода из области насыщения в область пробоя.

3.Устойчивостью лавинного пробоя.

4.Значением рабочего напряжения.

53.Как изменится по абсолютной величине рабочее напряжение стабилитрона, предназначенного для стаби­ лизации напряжения выше 7 В при повышении темпера­ туры? [2, стр. 99]

1.Не изменится. 2. Увеличится. 3. Уменьшится.

54.В каких пределах лежат значения напряжений

стабилизации полупроводниковых стабилитронов? [1, стр. 275; 2, стр. 100]

1. 3 В. 2. 3—400 В. 3. Более 400 В.

55. Какой вид пробоя типичен.для стабилитронов, имеющих напряжение стабилизации больше 7 В? [1, стр. 274; 2. стр. 98]

1. Лавинный. 2. Туннельный. 3. Оба вида пробоя одинаково вероятны.

56. Что такое варикап? [1, стр. 275; 2, стр. 113] 1. Диод с очень малой емкостью р-п перехода.

2.Диод, работающий в режиме пробоя.

3.Диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от значения обрат­ ного напряжения.

4.Диод с точечным контактом.

57.При каком смещении перехода (прямом или об­ ратном) нормально используются варикапы? [ 1, стр. 276; 2, стр. 113]

1. При обратном смещении перехода.

2.При прямом смещении перехода,

3.При любом смещении перехода.

58.Укажите характеристику варикапа — кривую за­ висимости емкости от напряжения? [1, стр. 246]95

59. Что называется коэффициентом перекрытия по емкости варикапа? [ 1, стр. 276]

1. Отношение диффузионной емкости к барьерной-

2. Отношение большей емкости к меньшей в за­ данном интервале изменения обратного напряже­ ния.

3.Отношение меньшей емкости к большей в за­ данном интервале изменения обратного напряже­ ния.

4.Отношение большей емкости к меньшей в за­ данном интервале прямого тока.

60. Что называется добротностью варикапа? [ 1. стр. 276]

1. Отношение реактивного сопротивления к сопро­ тивлению потерь.

2.Отношение активного сопротивления варикапа к реактивному.

3.Относительная величина потерь в варикапе.

61.Как зависит добротность варикапа от частоты? [1, стр. 277; 2, стр. 114]

\Q \Q \Q

62. Что называется туннельным диодом? [1, стр. 400; 2, стр. 105]

1.Диод, имеющий на прямой ветви вольт-ампер- ной характеристики участок с отрицательным диф­ ференциальным сопротивлением.

2.Диод, имеющий на обратной ветви вольт-ампер-

ной характеристики участок с отрицательным диф­ ференциальным сопротивлением.

3.Диод, работающий в режиме лавинного пробоя при больших обратных смещениях.

4.Правильного ответа нет.

63.У каких диодов концентрация подвижных носи­

телей больше: у выпрямительных или туннельных? [ 1, стр. 400; 2, стр. 104]

1.У выпрямительных диодов.

2.У туннельных диодов.

3.Концентрация носителей примерно одинакова.

64.Какова примерно концентрация подвижных носи­ телей в туннельном диоде? [1,стр. 400]

1.1010 1/см3. 2. 1019 1/см3. 3. 101 1/см3. 4. 108 1/см3.

5.Ю-s 1/см3.

65.Какова вольт-амперная характеристика туннель­ ного диода? [1, стр. 403; 2, стр. 105]