книги / Электронные приборы
..pdf42.Укажите, как изменится характеристика обрат
ной |
связитранзистора при |
увеличении температуры |
|||
(Iб —0). (См. разъяснение) |
|
|
|
||
|
го°с |
63 Т>20°С ^ |
'ЦБЭ |
го°с |
т о‘о |
|
|
|
|
||
/£^~Т> гЬ°с |
— 20°С |
O ' |
Т>2Т°С |
|
|
^ |
-ию |
Г |
|
-Щз |
|
t
9-4. ПАРАМЕТРЫ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Рассматриваются статические параметры транзисто ра и параметры транзистора в режиме малого сигнала. При этом за положительные приняты следующие на правления: для постоянных токов эмиттера, коллектора и базы — основное направление, соответствующее нор мальному активному режиму транзистора; для перемен ных доставляющих токов— направление «в кристалл», Напряжения как постоянные, так и переменные отсчи тываются от общего вывода транзистора в любой схеме включения. В соответствии с указанными направления ми справедливы следующие соотношения. в четырехпо люснике:
для схемы с общей_базой: Ux — U3B. U2 = UКБ,
^ = / э * ^2 = |
Л<» Ы1= и эб’ и 2 ~ Ыкб* £1= £ э’ l2= t V' |
для схемы с общим эмиттером: £/, = 1/БЭ, V2= UK3,
^ Б ’ ^2 ~ |
^К ’ и1~ ибэ’ и2= и кэ’ 11 ~ £б’ Н ~ £к‘ |
Рассмотрение малосигнальных параметров ограниче но низкими частотами, при которых реактивная состав ляющая параметров пренебрежимо мала и допустимо определение параметров по статическим характеристи кам транзистора. Из эквивалентных схем рассматрива ются простейшие. Зависимости параметров, входящих в эквивалентные схемы, от температуры и электрического режима транзистора рассматриваются на примере од номерной модели транзистора в нормальном активном режиме.
Статические параметры
К Укажите определение статической крутизны пря мой передачи У21Э транзистора в схеме с общим эмит тером. (См. разъяснение)
I. |
Y |
|
— |
о |
v |
_ |
7к “ 7КЭК |
|
|
|
*• |
1 |
21Э |
*/,кэ /3 =const |
* |
21Э |
|
ииэв |
U |
const. |
|
3. |
Y< |
J K ~ ~ 7к б о |
|
|
4 Y |
21Э |
= -^ - |
|
|
|
|
|
21Э |
и.ЭБ |
U K 3 = c o n s l |
|
1 |
( I |
|
con st. |
|
|
|
|
|
|
|
и Б Э |
|
|||
2. Укажите определение статического коэффициента передачи тока Л21Э транзистора в схеме с общим эмит тером. [1, стр. 312; 2, стр. 139]
1. |
-21Э |
- £ |
U j^3 = |
const |
• 2-*К |
, э = - \ |
|
|
|
|
7Б |^KB=const |
||
о |
и _ |
'К |
*КБО |
|
|
|
|
Л21Э ~ |
7Б + |
7к б о |
^K 3= c0nst |
|
|
|
|
|
||||
|
|
7Б + |
7к бо |
|
|
|
|
^21Э ~~ J |
I |
|
|
|
|
|
|
1v —1 |
| c /K B = C 0nst |
|
||
|
|
К |
7 К Б О |
|
||
3. Укажите связь между статическим коэффициен том передачи тока Л21э и интегральным коэффициентом передачи тока эмиттера aN - [1, стр. 296, 312 (см. разъ яснение) ]
1. |
К21Э' |
|
|
l ~ |
a N |
3. |
к21Э ' 1 ~ |
a N> |
2 . Л21Э
4. Л21э ~ ^ “Ь aN‘
4. |
Как связаны обратные токи коллектора / к б о и |
|
коллектор—эмиттер / кэо |
со статическим коэффициен |
|
том передачи тока Л21э? |
[1, стр. 296, 312] |
|
5. Какие из статических параметров У21э и Л21Э мож но определить по характеристикам транзистора, приведен ным на рисунке, при заданном £/^э ? (См. разъяснение)
1. У21э- 2. /г21э- 3- Оба параметра. 4. Никакой из параметров определить нельзя.
(
6. Какие из статических параметров У21э и Лг1э можно определить в точке А характеристики транзистора, приведенной на рисунке? (См. разъяснение)
1. Оба параметра. 2. /t2i3- 3- Никакой из парамет ров определить нельзя. 4. У21э.
о
7. Что понимают под обратным током базы 1ъэх 7 (См. разъяснение)
1.Ток базы при разомкнутом коллекторе и за данном напряжении база — эмиттер.
2.Ток базы при замкнутых накоротко коллекторе
иэмиттере и заданном напряжении база — эмит
тер.
14. Какой из /t-параметров является коэффициентом обратной связи по напряжению? [1, стр. 299; 2, стр. 159]
1.Лц. 2. Л22. 3. h\2. 4. Л21.
15.Каков недостаток системы У-параметров? [2, стр. 159]
1.Трудно осуществить к. з. в цепи эмиттера при измерении параметров на НЧ.
2. Трудно осуществить х. х. в цепи коллектора при измерении параметров.
3.У-параметры имеют небольшие значения.
4.У-параметры не имеют наглядного физического
смысла.
16. Укажите связь параметра Лц с параметром Уц. [1, стр. 300; 2, стр. 160]
1. Йц = 1 Уп. 2. Йц = Уп •
3.hn = Уи . 4. Йц + 1 = Уц.
17.Укажите определение дифференциального коэф фициента передачи тока эмиттера а транзистора. [1,
стр. 288 (см. разъяснение)]
1. |
а = |
д/к |
2. |
а : |
|
д!э |
|
||||
—const |
а /к |
=const |
|||
|
|
а/к |
4. |
dU |
|
3. |
об = |
3/э |
а = |
t/3B=consl |
|
С/ЭБ<==С0Пв^ |
a/K |
18. Укажите эквивалентную схему транзистора, со ответствующую системе /t-параметров. (См. разъясне
ние)
19 Какой 113 У'паРаметР0В является входной полной
лроводиМостьда?у [!1.3«Р -3 21^
20. Укажите определение коэффициента передачи тока /&21э в схеме с общим эмиттером. [1, стр. 320]
1 |
h |
— |
~4 . n- |
9 |
= |
_ |
I. |
«21Э |
~ |
*» |
|||
|
|
|
*б Г б= 0 |
|
|
ИКЭ~" |
3. |
л21э = |
4^- |
4. Аиэ = |
*б |
||
|
|
|
|
|
|
*’к |“ б э ~ ° |
21. Укажите эквивалентную схему транзистора, со ответствующую системе У-параметров. (См. разъясне ние)
С-]
22.Какой из У-параметров является выходной пол ной проводимостью? [1, стр. 322]
1. Уп. 2. У,2. 3. Ум. 4. У22.
23.Укажите определение коэффициента обратной
связи по напряжению
[1, стр. 320] |
_ is. |
|
1 |
и |
|
1. «12з — ~ |
||
q |
и |
‘б К э = ° |
_££кэ |
||
«12э— —
ибэ
всхеме с общим эмиттером.
ОU — i!L
*к
4. = ^ ^=0
МКЭ
24. Какой из У-параметров является полной прово димостью прямой передачи? [1, стр. 322]
1. Yu. 2. У12.3; У2Ь4. У22-
25. Укажите определение выходной полной прово димости Л22б в схеме с общей базой. [1, стр. 319]
1л. ил22б------‘к «Кб гэ~®
3. Л22б = —
WK6 “оЯ=0
“эб=и
2. Л22б=
'Иж,#>=0
«эб Г к б :
4. h22б = —
«КЗ “б = °
26.Укажите определение входного сопротивления Лцб
всхеме с общей базой. [1, стр. 318]
1 |
и |
_ «эб |
|
2. Лпб= — |
1. |
Лцб = — |
гк=о |
||
|
|
*б |
|
|
Q |
|
ИЭб |
|
4. Л11б= ^ |
|
П 1 1 б ------Г" |
|
||
|
|
|
“к б = ° |
«б ZK6= |
27.Какой из У-параметров является полной прово димостью обратной передачи? [1, стр. 322]
1.У„. 2. У12. 3. У21.4. У22.
28.Каково соотношение между коэффициентом пере дачи тока Л21б и коэффициентом передачи тока эмитте ра а? [1, стр. 319; 2, стр. 166]
1, h216 ж 1 — а. 2. Ла1б ^ а /(1 — а).
3.Л21б ~ а > 4* Л21б~ — а.
29.Какие из Л-параметров можно определить в точ ке Л приведенного семейства характеристик? [1,стр. 322]
1.^21Э ^ ^223' 2. /^|2э И Л21э*
3.Лцз и /^22д. 4. Hi2э и /z220•
30.Укажите определение входной полной проводи мости Уцэ в схеме с общим эмиттером. [1, стр. 321]
гг |
_ ^б |
2. У п э = - ^ |
г п э — ~ |
||
|
и6э |
ыэб ГКЭ“ |
V |
— *б |
4. У11э= - М . |
1 11Э — |
||
|
ибэ |
“эб ГК-0 |
31. К&кой из /i-параметров можно определить в точ ке 5 прйведенной характеристики? [1, стр. 322]
1. Лцб. 2. fti26. 3. Л21б- 4. Л22б-
32. Укажите определение полной проводимости об ратной передачи Уш в схеме с общей базой. [1, стр. 321]
1. |
^26 = |
^ |
2. |
У^12б= — |
0. |
|
|
иаб г к б : |
|
“ кб 1“ бэ—0 |
|
3. |
У12б = |
— I. -• |
4. |
У1,в= — |
«я»=0 |
|
|
%б 1‘э~0 |
|
икб Г бэ |
|
33. Каково соотношение между коэффициентом пе редачи тока /121э и коэффициентом передачи тока базы Р? [1, стр. 320; 2, стр. 166]
1. А21э ~ . f д • 2. А21э~ 1 -(-(}.
1 + Р
3. Л21э ~ |
Р- 4. |
34.Укажите определение собственного параметра
транзистора — сопротивления |
коллектора |
rK. [ 1. стр. 296; |
|||
2, стр. 165 (см. разъяснение)] |
|
|
|
||
1. |
гн = |
3UК Б' |
2. |
ги= дикБ' |
|
|
|
д!к |
|
д1« |
t/gB=const |
3. |
гк = |
^КБ |
4. |
dUЭБ |
|
д1к I g^const |
гк = |
U j ^ g = c o n s t |
|||
|
|
|
дГк |
||
35. Какие из A-параметров можно определить в точ ке А приведенного семейства характеристик? [1, стр. 322]
л1к I3 =C0n s t |
1- |
h L l6 |
и |
^21С- |
2. hl1б и Л22(5. |
( |
3 . |
А21б |
и |
А22д. |
4 . AJ26 и Л22б. |
л
__________
0
36.Укажите определение полной проводимости
прямой передачи У21б в схеме с общей базой. [1, стр. 322]
1. |
= ^кб “эб = ° |
2. Умв = |
Нэб ГКб |
3- У и в - г Н н ,- 4. У и я - ^ . 1 . |
|||||
|
^кб гк—0 |
|
WK6 гэ—0 |
||
37. Какова связь |
сопротивления |
коллектора гк с |
|||
A-параметрами транзистора? [1, стр. 296, 319] |
|||||
1. |
Ацб- 2. |
/■„; |
^11б |
g |
^12б |
1 4" Л216 |
|
л225 |
|||
|
—1 |
|
|
||
4. |
|
|
|
|
|
гк^ Л 22б |
|
|
|
|
|
38. Какой из Л-параметров можно определить в точ ке В приведенной характеристики? [1, стр. 322]
39.Укажите определение собственного параметра
транзистора — сопротивления эмиттера |
гэ. [1, стр. 29Г] |
||||
1. га — |
dUЭБ' |
2. |
гя = |
dUЭБ' |
|
dU / j ^ = c 0 n st |
dU |
UKB/==const |
|||
|
dU> |
|
|
dU |
|
3. га = |
ЭБ |
4. |
гэ = |
КБ |
|
д1и 7a= c o n s t |
dl- |
^ЭБ^6113* |
|||
40. Укажите определение выходной полной проводи мости У22э в схеме с общим эмиттером. [1, стр. 322]
1 |
у |
_ JJL |
о |
у — — |
|
||
|
1 22Э — |
WK3 ГбЭ~° |
|
* 2 2 Э ------- |
|
||
|
|
|
|
|
Ыбэ 'з=° |
|
|
3. |
У22э = |
*к |
. 4 . |
У22э = |
«К |
. |
|
— I |
|
||||||
|
|
223 |
«69 1“КЭ=° |
|
|
« б э1 'э= ° |
|
41. Какие h- и У-параметры |
можно |
|
определить -в |
||||
точке А приведенного |
семейства |
характеристик? |
[1, |
||||
стр. 322] |
|
|
|
|
|
||
‘•^зв 1Б ° const |
I |
V |
U |
О |
h |
h |
V |
|
*• |
* 123» |
^213* |
* • * |
^113» ^213» |
1 113* |
|
|
3. |
У11э> |
У1231 Л11э, |
^123* 4. |
Уахэ» |
||
Уцэ» ^129 •
42. Укажите определение собственного параметра транзистора — коэффициента внутренней обратной свя зи рэк. [1, стр. 295]
|
|
. |
2. |
ЦЭК= |
^ Ь 1 | |
|
И'ЭК“ ^^КБ* /K=const |
|
|
^^КБ- |73=const |
|||
й/.КБ' |
|
|
|
dUКБ' |
|
|
3* H>3K— dU |
ЭБ1 |
/3=const |
4. |
Иэн = |
dU |
/K=const |
|
|
|
|
ЭБ' |
||
4. Y22б*
и16
о
44. В чем заключается различие между входным со противлением транзистора Аш в схеме с общей базой и сопротивлением эмиттера гэ? (См. разъяснение)
1. Различие отсутствует.
2. Различие заключается в том, что гэ — сопро тивление, а Апб — проводимость.
3.Различие параметров объясняется тем, что гэ характеризует сопротивление только эмиттера, тогда как Аш при тех же условиях на выходе — входное сопротивление с учетом влияния сопро тивления объема базы.
45.Чем отличается определение коэффициента об ратной связи по напряжению Л126 в схеме с общей базой от определения коэффициента внутренней обратной свя зи Цэк? (См. разъяснение)
1.Параметр h m характеризует изменение напря жения на эмиттере, тогда как параметр |д,эк — из менение напряжения только на эмиттерном пере ходе. ’
2.Указанные параметры определяются при раз личных условиях на входе и выходе транзистора.
3.Между параметрами нет отличия.
4.Параметры отличаются только знаком.
46.Какие Л- и У-параметры можно определить в
точке А |
приведенного семейства |
характеристик? [1, |
|
|
стр. 322] |
|
|
|
1- |
A2I6 , Л12б, |
У11б. 2 . У126» А22б' |
-оА— |
3. |
Уцб> А21б- |
Аиб) А12б |
|
4. |
Уш» У120» |
|
О
190