книги / Электронные приборы

2. Отношение концентрации избыточных носите­ лей к равновесной концентрации основных носи­ телей.

3.Отношение концентрации избыточных носителей к концентрации неосновных носителей.

4.Разность концентраций основных и неосновных носителей.

44.Что называется низким уровнем инжекции? [1,

стр. 232]

1.Уровень инжекции, значительно меньший 1.

2.Уровень инжекции, соответствующий равенству концентраций избыточных и равновесных основ­ ных носителей.

3.Уровень инжекции, соответствующий равенству концентраций избыточных и неосновных носи­ телей.

4.Уровень инжекции, больший 1.

45.Что называется высоким уровнем инжекции? [1, стр. 232]

1.Уровень инжекции, соответствующий равенству концентраций избыточных и неосновных носите­ лей.

2.Уровень инжекции, соответствующий малой

концентрации избыточных носителей по сравнению с концентрацией основных носителей.

3.Уровень инжекции, больший 1.

4.Уровень инжекции, меньший 1.

46. Что такое экстракция носителей заряда? [1, стр. 234]

1.Диффузионное движение носителей заряда.

2.Выведение носителей заряда через р-п переход ускоряющим электрическим полем.

3.Встречное движение носителей заряда разных типов, приводящее к их рекомбинации.

4.Движение носителей заряда, приводящее к ла­ винному размножению.

8-3. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ

В этом параграфе рассматриваются характеристики и параметры полупроводниковых диодов, особенности их у диодов различного назначения, а также зависимость характеристик и параметров от электрического режима и температуры.

1. Какова теоретическая зависимость тока через р-п переход от значения приложенного внешнего напряже­ ния? [1, стр. 236; 2, стр. 34]

1.I = aUv \

2.I = IQ{eW ~ l) .

3. / = /„ ( 1 - ^ ) .

4.I = aU345,\

5.Ток от напряжения не зависит.

2.Укажите график теоретически ожидаемой зависи­ мости тока полупроводникового диода от значения при­ ложенного напряжения. [1, стр. 237; 2, стр. 29, 38]

3. Укажите график экспериментально наблюдаемой зависимости тока полупроводникового диода от значе­ ния приложенного напряжения. [1,_стр. 260; 2, стр. 29, 38]

4. Чем объясняется отклонение экспериментальной характеристики полупроводникового диода от теоретиче­ ской при больших прямых токах? [1, стр. 258]

1. Изменением структуры кристаллической ре­ шетки.

2.Уменьшением концентрации подвижных носи­ телей.

3.Увеличением концентрации подвижных носи­ телей.

4.Наличием сопротивления у слоев полупроводни­ ка, прилегающих к р-п переходу.

5.Какие причины приводят к резкому возрастанию обратного тока при большом обратном напряжении на диоде? [1, стр. 242]

1.Уменьшение сопротивления слоев полупровод­

ника, прилегающих к р-п переходу.

2.Возникновение пробоя перехода.

3.Уменьшение концентрации подвижных носи­ телей.

4. Уменьшение скачка потенциала на переходе.

6.Каков теоретически ожидаемый порядок отношения значений прямого тока к обратному при одинаковых по абсолютной величине прямом и обратном напряжениях (±1 В)? (См. разъяснение)

1.1010—10й. 2. Ю-з—10-4. 3. 101в—1017. 4. Ю з- Юз. 5. 1—10.

7.Каков практически наблюдаемый порядок отноше­

ния значений прямого тока к обратному при одинаковых по абсолютной величине прямом и обратном напряже­ ниях? [1. стр. 260 (см. разъяснение)]

1.Ю16—Ю17. 2. 10s—108. 3. 2—10. 4. Ю-2—Ю-з.

5.Ю-18—Ю-17.

8.Почему у полупроводниковых диодов вольт-ампер- ная характеристика в области больших прямых токов близка к линейной? [1,стр. 259]

1.Сопротивление слоев полупроводника, прилега­ ющих к переходу, больше сопротивления самого перехода.

2.Происходят лавинные процессы в области кон­ такта.

3.Малая барьерная емкость контакта.

4.Сильные электрические поля в области контакта.

9.Что ограничивает максимально допустимый пря­ мой ток через диод? [1, стр. 267]

1. Электрический пробой. 2. Лавинный пробой.

3.Разогрев р-п перехода. 4. Рост сопротивления.

5.Тепловой пробой.

10.Как изменяется прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода при повышении температуры (при небольших токах)? [1, стр. 260; 2, стр. 73, 78]

11.Почему при больших прямых токах у некоторых диодов наблюдается увеличение прямого напряжения с ростом температуры? [2, стр. 72]

1.Вследствие увеличения теплового тока.

2.Вследствие увеличения сопротивления базы диода.

3.Вследствие уменьшения сопротивления базы.

4.Вследствие роста подвижности носителей за­ ряда.

12.Как изменяется обратная ветвь вольт-амперной характеристики диода при повышении температуры (до наступленкя пробоя)? [1, стр. 260; 2, стр. 73, 78]

13. Что такое импульсный режим работы диода? [1, стр. 263]

1.Режим чередующихся включений и выключений диода.

2.Режим, приводящий к периодическому пробою диода.

3.Режим, при котором напряжение или ток, под­ водимые к диоду, изменяются за время, меньшее длительности электрических переходных процессов

вдиоде.

14.Как будет изменяться во времени при высоком уровне инжекций напряжение на диоде при включении

(подведении «ступеньки» тока от генератора тока)? [1, стр. 265]

15. Чем объясняется уменьшение во времени при высоком уровне инжекции напряжения на диоде после включения? [1, стр. 264]

1.Уменьшением сопротивления р-п перехода при протекании тока.

2.Уменьшением сопротивления базы диода вслед­ ствие увеличения числа накопленных в ней носи­ телей заряда.

3.Уменьшением тока через диод вследствие пере­ хода основных носителей из эмиттера в базу.

4.Увеличением тока через диод вследствие пере­ хода неосновных носителей из базы в эмиттер.

16.Как будет изменяться во времени при высоком уровне инжекций напряжение на диоде при подведении прямоугольного импульса тока длительностью, меньшей времени переходных процессов в диоде? [1, стр. 264]

17. Как зависит время спада напряжения на диоде после выключения от времени жизни неосновных носи­ телей заряда в базе? [1, стр. 266]

1. Не зависит от времени жизни неосновных носи­ телей.

2.Увеличивается с ростом времени жизни неоснов­ ных носителей.

3.Уменьшается с ростом времени жизни неоснов­ ных носителей.

18.Чем обусловлен скачок напряжения (мгновенное уменьшение на некоторое значение) на диоде при вы­ ключении тока? [1, стр. 266].

1.Уменьшением напряжения на р-п переходе при выключении тока.

2.Снижением до нуля падения напряжения на сопротивлении базы диода при выключении тока.

3.Уменьшением сопротивления диода при выклю­

уровне инжекции ток через диод при переключении пря­ мого напряжения на обратное? [1, стр. 264; 2, стр. 86]

21. Что называется временем установления прямого сопротивления диода? [1, стр. 268; 2, стр. 86]

1.Время включения прямого тока.

2.Время, в течение которого прямой ток достига­

ет максимума.

3. Время, в течение которого прямое сопротивление диода достигает установленного значения при включении диода в прямом направлении.

4. Время, в течение которого прямое напряжение достигает максимума.

22. Как зависит время установления прямого сопро­ тивления от прямого тока? [2, стр. 86]

1.С ростом прямого тока время установления возрастает.

2.Время установления не-зависит от прямого тока.

3.С ростом прямого тока время установления уменьшается.

23.Что называется временем восстановления обрат­ ного сопротивления диода? [1, стр. 268]

1.Время, в течение которого обратное сопротив­ ление достигает установленного значения после переключения диода с прямого направления на обратное.

2.Время переключения диода с прямого направле­ ния на обратное.

3.Время, в течение которого обратный ток дости­ гает максимума.

4.Время, в течение которого обратный ток остает­ ся постоянным после быстрого переключения дио­ да с прямого направления на обратное

24.Как зависит время восстановления обратного со­ противления от прямого тока, протекавшего через диод до момента переключения с прямого направления на обратное? [2, стр. 86]

1.Чем больше прямой ток, тем больше время восстановления.

2.Время восстановления не зависит от прямого тока.

3.Чем больше прямой ток, тем меньше время восстановления.

25.Как зависит время восстановления обратного со­ противления от времени жизни неосновных носителей в базе диода? [1, стр. 269; 2, стр. 85]

1.С увеличением времени жизни неосновных носи­ телей время восстановления уменьшается.

2.От времени жизни неосновных носителей время восстановления не зависит.

3.С увеличением времени жизни неосновных но­ сителей время восстановления увеличивается.

26.Что такое дифференциальное сопротивление дио­ да? [1, стр. 261]

1.Отношение прямого напряжения к обратному току.

2.Отношение обратного тока к прямому напря­

жению.

3.Отношение малого приращения напряжения к вызванному этим изменением приращению тока.

4.Сопротивление по постоянному току.

27.Как зависит дифференциальное сопротивление выпрямительного полупроводникового диода от прямого тока? [1, стр. 261]

1.Не зависит. 2. Растет с ростом тока. 3. Уменьша­ ется с ростом тока. 4. Проходит через максимум.

5.Проходит через минимум.

28. Что такое сопротивление диода постоянному току? 11, стр. 262] л

1.Отношение постоянного напряжения, приложен­ ного к диоду, к соответствующему значению по­ стоянного тока.

2.Отношение постоянного тока через диод к со­ ответствующему значению постоянного напряже­ ния.

3.То же, что и дифференциальное сопротивление.

29.Что больше в рабочей точке при прямом смеще­ нии: дифференциальное сопротивление диода или сопро­ тивление постоянному току? [1, стр. 262]

1.Дифференциальное сопротивление больше со­ противления постоянному току.

2.Оба сопротивления приблизительно равны.

3.Дифференциальное сопротивление меньше со­ противления постоянному току.

30.Что больше: дифференциальное сопротивление диода или сопротивление постоянному току в рабочей точке при обратном смещении? [1, стр. 262]

1.Дифференциальное сопротивление больше со­ противления постоянному току.

2.Оба сопротивления приблизительно равны.

3.Дифференциальное сопротивление меньше со­ противления постоянному току.

31.Что такое температурный коэффициент напряже­ ния (ТКН)? [1, стр. 260]

1.Величина изменения прямого напряжения диода при изменении температуры на 1°С при постоян­ ном значении прямого тока.

2. Величина изменения обратного напряжения диода при изменении температуры на 1°С.

32. При небольших прямых токах диода ТКН поло­ жителен или отрицателен? [ 1, стр. 260]

1. ТК Н >0. 2. ТКН^О. 3. ТКН <0.

8-4. РАЗНОВИДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

диодов

Вопросы этого параграфа относятся к полупроводни­ ковым диодам различного назначения — выпрямитель­ ным, детекторным, стабилитронам, варикапам и туннель­ ным диодам. Основное внимание уделяется особенно­ стям характеристик и параметров диодов, предназначен­ ных для различных целей или изготовленных из разных исходных материалов. Численные оценки токов и напря­ жения приведены для наиболее распространенных диодов малой и средней мощности. Мощные выпрямительные диоды, имеющие ряд конструктивных особенностей, не рассматриваются.

1. Что такое полупроводниковый диод? [1, стр. 247;

2, стр. 26]

1.Электронно-дырочный переход.

2.Полупроводниковый прибор, имеющий два вы­ вода.

3.Полупроводниковый прибор с одним электрон­

но-дырочным переходом, имеющий два вывода. 4. Полупроводниковый прибор, пригодный для уси­ ления сигналов.

2. Является ли наличие р-п перехода обязательным в полупроводниковом диоде? [Л,стр. 247]

1. Диод может не иметь р-п перехода.

2: Наличие одного р-п перехода обязательно.

3.Необходимо не менее двух переходов.

4.Диод может иметь или не иметь р-п переход.

3.Что такое выпрямительный диод? [ 1, стр. 266]

1. Диод, имеющий два или более р-п переходов. 2. Диод, предназначенный для использования в устройствах преобразования переменного тока в постоянный.

3.Диод, не имеющий р-п перехода.

4.Диод, имеющий симметричную вольт-амперную характеристику.

4.Каковы основные преимущества выпрямительных

полупроводниковых диодов перед кенотронами? (См. разъяснение)

1. Высокое обратное напряжение.

2.Большие габариты.

3.Малые габариты, малое прямое напряжение, высокие экономичность и долговечность.

4.Возможность работы при высоких температурах.

5.Преимуществ не имеют.

5.Какая из прямых ветвей вольт-амперной характе­

ристики принадлежит германиевому диоду? [ 1, стр. 260; 2, стр. 73]

6. Какая из прямых ветвей вольт-амперной характе­ ристики принадлежит кремниевому диоду? [ 1, стр. 260; 2, стр. 78]

7. Какова примерно концентрация подвижных носи­ телей в выпрямительном диоде? (См. разъяснение)

1. 1010 1/см3. 2. 105 1/см3. 3. Ю15—1017 1/см3. 4. 10 -10 1/см3. 5. 1020 1/см3.

8. При каких значениях прямого напряжения обычно работают германиевые выпрямительные диоды? [2, стр. 74]

1. 0,01—0,08 В. 2. 0,08—0,02 В. 3. 0,2—0,8 В. 4.0,8—1,5 В.