Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Справочник по микроэлектронной импульсной технике

..pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
20.21 Mб
Скачать

Гласно рис. 5.8, а напряжение

 

 

и

___ р 1 D

Ej Е$

“ 62

£ 2 + Я2 Л2 + Я 7+ « в *

откуда

 

 

 

 

Rf [EIR2— £*2^8 — иб2 (^2 ”Ь ^в)1/(иб2

^г)#

 

Пример. Задавшись для надежности иб2 = 0,5 В и учитывая, что R2 =

12 кОм, RB=

; 5 кОм,

E i=

Е2= 6

В, получим

 

 

 

 

Я7 =

[ 6

1 2 6 . 5 — 0 ,5 (1 2 + 5)]/(0,5 + 6 ) ^ 5 .Юм.

 

Ток / 0

ГСТ,

как

показал расчет согласно формуле (5.6),

составляет величину L •

1,7 мА.

 

 

 

 

 

 

При заданных периоде Т =

5 ■ ГО 3 с и длительности tH=

4,9 * 10““ 3

с и при rD =

5 50 Ом допустимая емкость в

соответствии с формулой (5.40)

 

 

Г_________и ________________ (5 — 4,9) 10—3

доп "" 5 [rD + (1 — а) /?х]

“ 5 (50 + 0 ,0 2 .5 • 103)

д а ’° » 13 * 1 0 Ф.

Емкость конденсатора С согласно выражению (5.39) при Я0 = 4,7 кОм

4,9

1-3

 

. 10-

 

С == ■5 [49 — (6 +

6)/(4,7 • 1,7)] ^ 0,025 .

10“ 6 Ф.

Следовательно, условия восстановления вьшолняются (С < Сдоп).

4. ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ С ВРЕМЯЗАДАЮЩИМ МОСТОМ

Основным достоинством генераторов импульсов

с времязадающим мостом (ВЗМ)

является малая зависимость временных параметров импульсов от напряжения

источников

питания [19, 20]. Принципиальная схема

генератора с ВЗМ на ИДУ

показана на

рнс. 5.9, а. В этом генераторе ВЗМ включен

между

выходами эмиттерных

повторите­

лей на транзисторы VT3 и VT4. К диагонали ВЗМ подключаются входы дифференциаль­ ного усилителя на транзисторах VT1 и VT2.

Процессы, протекающие в генераторе в стационарном режиме автоколебаний, заклю­ чаются в следующем. Пусть в момент t = 0 (рис. 5.9, б) транзистор VT1 запирается, а VT2 отпирается. Напряжение иг при этом скачкообразно возрастает до значения U3max,

а напряжение и2 уменьшается до U 3 min. Напряжение на конденсаторах С1и С2 и входах

 

ис1 = — У С1—’ иС2 = — У С2—'

иЬ\ и 2 + аС2 ~

 

Уэ min

УС2—»

^62 ^ ^2 иС1

У э шах “ЬУ СР

После перехода генератора в указанное состояние конденсаторы С1 и С2 начинают за­

ряжаться через

резисторы

R , стремясь зарядиться первый до &U3 + R /62, а второй до

Д(/э, где Д(/э =

U3 max — U3 min; / б2

— базовый ток открытого транзистора VT2. Напря­

жение иб1 при этом возрастает, стремясь к U3 тах, а иб2 уменьшается, стремясь к U3 min —

R Iб2. Когда разность и62

достигнет порогового значения

начнется про­

цесс перехода ИДУ в противоположное состояние/ К моменту этого перехода

напряжения

на конденсаторах UQJ =

иС2 =

Ус2+* В результате лавинообразного перехода, обус­

ловленного сильной положительной обратной 'связью,

обеспечиваемой жшденсаторами VI

И С2, транзистор VT1 откроется, a

VT2 закроется.

Напряжение и* при этом упадет до

и э min, а и2 возрастет до U3 тях, Зарядившиеся -конденсаторы начнут разряжаться, стремясь Перезарядиться первый до —AU3t а «второй д о — .(AU3 + RI,6 1), где Jf${ — базовый ток транзистора VTL Входное напряжение и61 ИДУ после скачкообразного увеличения на АЦэ при этом уменьшается, стремясь к U 3min 7?/б1, а иб2 после скачкообразного умень­ шения на увеличивается, стремясь к U3 тах. В момент, когда иб1 ^ %2>снова проис­ ходит опрокидывание генератора. Таким образом, процессы в нем периодически повто­ ряются.

111

■ill

 

 

 

 

Т

-И— -

 

 

 

 

 

 

 

 

' Фi

 

? ФН

?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14 13 1211

10 9

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

198 УТ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

4

5

6

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ]

 

Г П Т 1 г *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— + J 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I 1

__ ™

 

 

 

 

 

r

~

t =

=

^

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Во время формирования импульса с

 

 

 

 

 

 

 

длительностью /и1 (рис. 5.9, б)

 

 

 

 

 

 

 

 

иС1 = ( ^ / - “Ь

 

Н" ^ 62) X

 

 

 

 

 

 

 

 

X (1 _ е - ^ ) _ ( / С/_ ;

 

 

 

 

 

 

 

 

»са = (у С2-

 

+

Д^э) (1 -

е“ '/т) -

UC2_ \

 

 

 

 

 

 

 

«61 =

«2 +

 

 

«С2 =

U 3 min +

(U C2- +

 

 

 

 

 

 

 

+ а и э) ( 1 - е - ‘/х) - и

С2_ ;

(5.41)

 

 

 

 

 

 

 

«62 =

«1 ~

 

 

«С/ =

</, max ~

(У С/— +

 

 

 

 

 

 

 

+ Д^э +

Я/б2) (I -

е~‘/х) +

и С1_ ,

(5.42)

 

 

 

 

 

 

 

где т =

RC,

 

 

если

пренебречь выходными

 

 

 

 

 

 

 

сопротивлениями

эмиттерных

повторителей

 

 

 

 

 

 

 

Явых «

(1 — а)

Я! «

R.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Генерирование импульса с длительностью / н1 заканчивается в момент, когда иб1 ^

i^62*

Тогда согласно выражениям

(5.41),

(5.42),

с учетом обозначения А(/э =

max — U3 min

 

 

 

 

tH[ =

т In [(C/cl_ +

С/С2_ +

2ДС/, +

/г/б2)/(Д«/э +

В Д

-

 

(5-43)

При генерировании импульса с длительностью / и2 (рис. 5.9, б) напряжения на конден­ саторах и входах изменяются в соответствии со следующими выражениями:

«С1 =

W ci+ + м * ) е~ ф -

д^ ;

«С 2 = (и С2+ +

Д^Э + я/б1)е - ' /т -

A t/, - * / б1;

112

°61 — и э max + (УС2+ + Д^э +

Ш б1) е i/x — AU3 ~ R I 6l'

(5 ,44)

 

“б2 =

и э min ~ (и а +

+

At/э) е ~ ,!х + ДU3.

 

(5 ,45)

Момент окончания стадии генерирования импульса tu2 наступает при

и6, » и6

Поэтому с учетом выражений (5.44) и (5.45)

 

 

 

"

 

*

 

In КUC2+ + UCI+ +

U, +

Rl6 i)/(AU3 +

RI6l)].

(5.46)

Для определения входящих в формулы

(5.43) и

(5.46) неизвестных величин U C / + t

U a—>и С2+ н 2—запишем выражения для длительностей / и1 и

/н2 через

параметры

экспоненциально изменяющихся напряжений иС1 (*) и иС2 (t):

 

 

1 =

т In [(Л£/э + Я/ б2 +

Vci- Ж М э +

Rf62 — ^с/+)]5

(5.47)

 

<и! =

т1п [(А1/. +

и С2_ )/(Ш 3 — 1/С4+)];

 

(5.48)

 

<„2 =

т In [(ДУЭ +

U C l + ) / ( A U 3 UC1_ )];

 

(5.49)

2 =

т [(Д^э + Л/<51

U C 2 + ) ! ( A U э

RI6l U£2_)]-

(5.50)

Выражения (5.47) и (5.48) получены с учетом напряжений иС1 и иС2 на интервале /и|, а выражения (5.49) и (5.50) — на интервале /и2.

При полной симметрии ИДУ, ВЗМ, вследствие равенства дробей, под знаком логариф­

ма в выражениях (5.43), (5.47),

(5.48) и (5.46), (5.49),

(5.50)

 

V C i+ =

=

(Д^э +

R ! б)/2;

(5.51)

UC2+ =

UCI_ =

(Д(/э - RI6 )/2 .

(5.52)

После подстановки выражений

(5.51) и (5.52) в формулу (5.48), получаем

 

/„ =

т In [(ЗДU9 +

RI6 )/(MJ3 + Rl6)].

(5.53)

Величина Д£/э определяется как выходное напряжение эмиттерного повторителя при

воздействии на его входе перепада напряжений а / 0

 

^ = кэ псс1QR^ ^ cxl0Rit

(5.54)

если учесть, что коэффициент передачи эмиттерного повторителя k3 п сколь угодно близок

к единице. Окончательное выражение для длительности импульса согласно выражениям (5.53) и (5.54)

tH= т In

3aRj + (1 a )R

= т In 3p/?i +

R

T In 3

(5.55)

 

&Ri + (1 —-a) R

№ i +

R

**

 

при PRt > /?.

Если входные усилители дифференциального каскада выполнены на полевых транзис­

торах, то i$ = 0 и

 

/н = т In 3.

(5.56)

Период колебаний Т = 2/н, а скважность Q = 2.

На рис. 5.9, в изображена функциональная схема генератора с ВЗМ на ИДУ типа 198УТ1. Расчет генератора сводится к определению емкостей конденсаторов ВЗМ.

Пример. Требуется рассчитать

параметры ВЗМ при заданном периоде

Т = 500 мкс

и Q = 2. Учитывая, что для выбранного типа усилителя Rx = 10 кОм, R =

24 кОм, а =

= 0,98, Р = 49 согласно формуле

(5.55)

 

 

 

с1==с2 = с =

500 • 101 -6

*9.5 • 10- 9

Ф.

 

3 • 49 • 10 + 24

2 . 2 4

103 In

 

 

 

 

49 • 10 + 24

 

 

Если необходимо получить импульсы со скважностью, отличной от 2, емкости для каж­ дого плеча ВЗМ рассчитывают раз;'~льно.

ИЗ

5. ГЕНЕРАТОРЫ НА ИДУ С ЭМИТТЕРНОЙ СВЯЗЬЮ

На ИДУ можно выполнить обычный мультивибратор с эмиттерной связью [59], в ко*

тором роль эмиттерного резистора выполняет ГСТ (рис. 5.10, а).

» ^ _

Работа автогенератора заключается в следующем. В момент / = 0

транзистор VTI

начинает запираться. Тогда повышение потенциала его коллектора и эмиттера транзистора VT2 вызывает благодаря связи через конденсатор С повышение потенциала базы транзис­ тора VT3, в результате чего увеличивается ток эмиттера VT3 и уменьшается ток эмиттера VTL Вследствие положительной обратной связи происходит лавинообразный процесс увеличения напряжения и^ и уменьшения напряжения ик (рис. 5.10, б). Напряжение иб1

также возрастает вследствие прекращения тока базы при запирании транзистора VT1. После окончания лавинного процесса, вызванного запиранием транзистора VT1, начина­ ется заряд конденсатора С частью базового тока транзистора VT3, равного (1 — а) 4и

( « •h

(4131211 (0

9 8

(98УН1

 

( 2 3 4 5 В 7

. 1 j .,

, A

#

'~Рг

 

Из-за влияния резистора R заряд происходит не постоянным (1 — а) /0, а несколько умень­ шающимся в течение процесса заряда током.

Когда по мере заряда уменьшающееся напряжение ыбз станет отличным от напряжения иб1 на пренебрежимо малое значение порогового напряжения U n *=? 0,1 В, транзистор VTI

начинает открываться (момент ^ на рис. 5.10, б). Потенциал его коллектора уменьшается, что вызывает уменьшение напряжения ибз и эмиттерного тока транзистора VT3. Ток эмит­

тера транзистора VT1 увеличивается и т.. д. Снова происходит лавинный процесс, заканчи­ вающийся теперь запиранием транзистора VT3. Напряжение и^ при этом скачкообразно

уменьшается на величину

где UB2 — напряжение на

= ^ Э2 шах Uз2 min*

выходе эмиттерного повторителя.

Напряжение и6{ при этом уменьшается на величину RG (1 — а) /0, где R6 = Rx || R2t

(1 — а) / 0 — базовый ток

транзистора VT1.

Теперь зарядившийся

конденсатор будет разряжаться через выход эмиттерного по­

вторителя, источники напряжений Еъ Ехи резистор R. Напряжение и^ при этом будет стре­

миться к + £ i .

Когда напряжение ибз, увеличиваясь, достигает значения, отличающегося

от напряжения

иб1 mIn на пренебрежимо малое пороговое напряжение, транзистор VT3

начинает открываться, a VTJ закрываться (момент t2 на рис. 5.10, б) и т. д.

При определении временных параметров импульсов необходимо учесть, что напряже­ ние ^<53 во время разряда конденсатора изменяется по закону

 

«63 = (t/« j ш)л +

(1 -

е - ' /ТР) -

^63 min.

разряда; U63 m|n =

где тр = С [/? + ( • — а) Я7) да СЯ — постоянная

времени

цепи

^61 max

^ 6 3 > ^61 max = E\Rt/(Ri Н" Я7)’

 

 

 

 

 

 

^э2 max ^з2 min

(£~1

+ £ 2) 0

— «)

■ E i-R & Io

Д^бЗ

^7

(1 - « ) Я

7 + Я,

 

# l0Rt

Я2 0

 

бс) Rj ss сс/QRT

(5.57)

114

Если в момент начала разряда принять / = 0, то из выражения для

в конце раз-

ряда

-Ччёта-]’

где и 61 min =

U 6i max “

Яб О — «) /0“ ^ Л 2 /(«1 + * 2) — /?б (1 — о ) /0.

 

 

Подставляя в формулу для <р входящие в нее величины

U& min и U6l mIn, получаем

 

/

г р in

E iR i^ »

Е 3 0

 

а ) R j (R i R 2) & foR tR i (R i ~f~ /?3)

(5.58)

 

р

 

 

 

^ 1« Л + Л Л ( 1 - 0 ) / 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Во время заряда при £ —►оо ток заряда

»£ (/) —►0, a Ugj стремится к значению Z?j —

— (1 — «) V?- Заканчивается

заряд

при

иа

(Q = U6I max.

Начальное

напряжение

«63 (0) =

^61 min +

д у бзСледовательно,

время

заряда.

 

 

 

 

 

 

/ 3 =

CR In

£ f - —(1

a ) I0R

U6 1 min — Ш бз

 

 

 

 

£

i - ( l - a ) / 0i ? - t / 61max

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

откуда

после

подстановки величин U6l т |П, U6l max и Д

 

 

 

 

 

E iR iR a + Е» (1 -

«) №

+

/?*) Я » - / 0 [(1 — «) №

+ Яа)

+

 

t3 = C R \n ------------

~ Ь (1

ec) R\R^RQ+

e,ReRy (Rj

 

 

*

(5'59)

EiRiRa -

il - a )I o R R t (Ri + Ra)

 

 

 

 

 

 

Для обеспечения автоколебательного режима работы необходимо выполнить двойное

неравенство

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"63 шах = ^61 min +

Д^бЗ >

^61 шах >

^63 (°°) =

E i

О ““ а ) Л Л

 

откуда после подстановки входящих в него величин получим

 

 

 

 

 

Ri № -

E2/(ReI0)] >

Rt || R2 >

Rt [1 -

(1 -

a) IJR/Ef].

 

(5.60)

Вследствие того что (3 > E2f(RBI0), последнее неравенство можно упростить:

 

 

 

 

 

РЯ7 >

Ri ИЯ2 > R i l 1-

(l -

a) IoR /E il

 

 

Левая часть этого неравенства при практически реализуемых Ri и R2 всегда выполня­ ется. Поэтому его правая часть

W i + «*) > 1~ (1 - a) /oR/Яi

обусловливает следующее условие существования автоколебательного режима:

Ri < R2 (1 - a) *oR№i ~ (1 - a) V?l-

(5.61)

Для стабилизации времени заряда t3 необходимо увеличивать напряжение (1 — a) I0R (сопротивление R). Однако сделать его большим Ег можно только при R, измеряемых сот­ нями килоом, что при интегральной технологии трудно достижимо. Поэтому при выборе резистора R целесообразно ограничиться имеющимся в цепи базы VT3 резистором или до­ полнительно, последовательно с ним, включить резистор, сопротивление которого измеря­ ется десятками килоом.

Преимущество рассмотренного мультивибратора заключается в том, что его выход (коллектор VT3) не связан с цепью обратной связ^, определяющей временные параметры импульсов. Поэтому на них не сказывается влияние нагрузки. Амплитуда выходных им­

пульсов

 

= CCIQR.

(5.62)

На рис. 5.10, в изображена функциональная схема автоколебательного мультивибра-

ра с эмиттерной связью на ИДУ типа 198УН1.

Расчет этого генератора заключается в определении дополнительных элементов С, R lt R8 . В качестве исходных данных при расчете используются период повторения импуль­

сов Т = t3 + fp и амплитуда импульсов Um.

З а т о р м о ж е н н ы й р е ж и м р а б о т ы г е н е р а т о р а н а И Д У с э м и т т е р н о й с в я з ь ю (рис. 5.10, а) обеспечивается, если для зарядной

115

стадии выполняется

неравенство

 

 

 

 

 

 

и б.з

(°°) =

0

а ) Io R >

^61 max e

E i R 2l ( R i + R ^ f

 

откуда

Ri >

R2 (i - «) / 0tf/[£i -

0 -

«) /0Я].

 

(5.63)

 

 

В этом случае конденсатор заряжается до напряжения

 

 

 

" С

шах = "э шах

и 63 (°°) ==

max

а ) I QR

 

и процессы заканчиваются, так как после прекращения заряда транзистор

VT1 не откроет­

ся до поступления запускающего импульса.

 

 

 

 

 

При подаче на базу транзистора

VT1 импульса положительной полярности отпирается

транзистор VT1 и запирается

VT3. Зарядившийся

конденсатор будет разряжаться, как

и в случае автоколебательного режима. Длительность импульса определяется временем разряда, при котором напряжение на базе транзистора VT3

 

«63 (0 =

[«63 М

— «63 (°)] е~ ‘П —

«63 М .

 

 

где ибз (со) = Ei,

« и (0) =

Ei — (1 — а) /„/? — Аибз =

[£х/?, +

Ег (1 — а) Я, —

 

(1 — ot) J0RRQCL/QRQRI ]/RQ\

 

 

мбЗ (^и) ~ ^61 min == E i R 2/( R i

R 2)

( R i II ^ 2) О

а ) /о-

 

Подставляя в формулу (3.2) входящие в нее величины, получаем

 

* _ / - p j n aloReRi (Ri + Я2) +

(Ri +

R2) [(1— a ) W

o — E2 ( \ — a)R i ]

 

' Н“ С/?1П-------------------------«

+

(—

а ) / Л Я Л

--------------------------- •

(5'64)

Время восстановления определяется

 

временем

заряда:

 

 

 

 

 

tB= 5CR.

 

 

 

(5.65)

Для увеличения

длительности

необходимо

увеличивать

начальное напряжение

w<33(0)»а это возможно при увеличении максимального напряжения на конденсаторе Uc max,

что достигается увеличением сопротивления R , но при этом увеличивается время восстанов­ ления. По этой причине заторможенный мультивибратор рассматриваемого типа целесооб­ разно использовать в качестве генератора сравнительно коротких импульсов с большой скважностью Q = 1 + U tu.

Расчет заторможенного мультивибратора выполняется в том же порядке, что и расчет автогенератора (рис. 5.10, а), только с обязательной проверкой выполнения условий вос­ становления.

Для обеспечения более высокой стабильности длительности импульса в заторможенном режиме разрядный резистор R необходимо подключать не к + E it а к —Е2 (рис. 5.11, а). Порог срабатывания, близкий к нулю, достигается с помощью делителя R1R2. Стадия вос­ становления кратковременна, поскольку конденсатор разряжается через выход эмиттерного повторителя и диод VD1.

116

В исходном состоянии ибз & О транзистор VT3 закрыт. Транзистор VT1 при этом с по­

мощью напряжения, снимаемого с нижнего плеча делителя R1R2, открыт, а конденсатор С разряжен до минимального напряжения. При подаче импульса запуска положительной полярности на базу VT3 (или на коллектор VT1)> транзистор VT3 открывается, a V77 закрывается. Напряжение ыбз при этом скачкообразно возрастает, а конденсатор начи­

нает заряжаться через эмиттерный повторитель и резистор R (рис. 5.11, б). По мере заря­ да конденсатора напряжение и^ уменьшается, стремясь к (со) = — Е2 (1 — a) J0R.

Когда оно достигнет уровня, близкого к и6{ тах, транзистор VT3 начнет запираться, a VTI отпираться. Напряжение нб3 при этом скачкообразно уменьшится. Генерирование импуль­

са на этом заканчивается. Конденсатор быстро разряжается через эмиттерный повторитель и диод VDL

Длительность импульса определяется с учетом следующих величин:

мбЗ (°°) =

(1 — а ) Л)R — ^ 2*

w63 ДО) =

"бЗ шах =

w63 (*и) = ^61 max ~

 

=

W ( ^

+ i?2).

 

После подстановки этих величин в выражение (3.2) с учетом формулы (5.57) получим

/и s RC In УЛ

-

+ ^2 + *U Ri) (Ri +

fi«)

(5.66)

1£ а +

(1 - а ) / о « ] ( Я 1 + Л2) +

^ Л

*

Время восстановления

5C [yD4 - (1 — a) /?7].

 

(5.67)

/в =

 

Амплитуда импульсов отрицательной полярности на выходе эмиттерного повторителя (Транзистор VT4)

Uт — а ^о^8^э.п ^ а ^о^в»

(5.68)

где k9>п — коэффициент передачи эмиттерного повторителя.

В качестве выходного импульса прямоугольной формы положительной полярности можно использовать импульсы на коллекторе VT1 или на выходе эмиттерного повторите­ ля на транзисторе VT2.

Функциональная схема заторможенного мультивибратора с эмиттерной связью на ИДУ типа 198УТ1 изображена на рис. 5.11, в. Заторможенный мультивибратор рассчиты­ вается по заданным длительности импульса и периоду следования запускающих импульсов в следующем порядке. Сначала необходимо определить сопротивление резистора R 1 . Де­ литель R1R2 должен обеспечить надежное открытое состояние транзистора VT1 и закрытое

состояние транзистора

VT3.

 

 

 

Напряжение на резисторе R2 определяет порог чувствительности Un q= E1R2HR1 +

+ /?а), откуда, задавшись Un 4 = 1 В, с учетом R2 =

24 кОм, £* = Е2 = 6 В, получим

Rx

g l - ^ n . 4

* 2

6 — l

* 24 = 120 кОм.

 

U

 

1

 

Чтобы не использовать резистор R1 с таким большим сопротивлением, его можно умень­ шить в несколько раз. При этом параллельно резистору R2 необходимо включить резистор, при котором результирующее сопротивление R2 уменьшится в то же число раз. Умень­ шим Ri до 12 кОм, a R2 до 2,4 кОм.

6 . ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ НА ИДУ С ПЕРЕЗАРЯЖАЮЩИМСЯ КОНДЕНСАТОРОМ

Ввиду того что у ИДУ два выхода, потенциалы которых могут в противофазе менять­ ся от сравнительно больших положительных до некоторых отрицательных значений, его можно использовать Для построения одноконденсаторного генератора импульсов, в кото­ ром единственный хронирующий конденсатор с элементами зарядно-разрядной цепи вклю­ чен между выходами эмиттерных повторителей (рис. 5.12, а). Для обеспечения двух устой­ чивых состояний в ИДУ, подобно симметричному триггеру, в нем обеспечивается положи­ тельная обратная связь между выходами каскадов и противоположными их входами. Эта связь обеспечивается с помощью делителей R2R7. Верхние плечи этих делителей подклю­ чаются к коллекторам транзисторов ИДУ (рис. 5. 12, а). Нижние плечи этих делителей име­ ют сравнительно малые (1—2 кОм) сопротивления, необходимые лишь для того, чтобы при

Л 7

закрытом одном транзисторе ИДУ второй был открытым. Для этого достаточно, чтобы раз­ ница между иб2 и и6з составляла более (0,2—0,3) В. Резисторы R являются зарядно-раз­

рядными, а диоды VDU VD2 служат для шунтирования этих резисторов. Так, при проте­ кании тока через конденсатор С, текущего слева направо (рис. 5.12, а), шунтируется ле­ вый резистор /?, а при обратном направлении тока — правый. Диоды VD3 и VD4опорные. Кроме того, они исключают действие высоких напряжений на входах ИДУ.

Работа автогенератора (рис. 5.12, б) сводится к следующему. Пусть в момент / = 0 при включении источников питания Ег и Е2 транзистор VT2 запирается, a VT3 отпирается. Этот

процесс будет лавинообразным и вызовет положительный

перепад напряжения

до

tu i

t u

 

 

 

I

t

 

 

 

 

 

r

 

 

м

 

 

 

i

 

 

 

0

i

v .- r

 

U9 тах и отрицательный перепад иэ2 До

minПРИ

напряжения иб2

и и^ противо­

положны по знаку и мало отличаются от нуля (0,2—0,3 В), диод VD1 открыт, обеспечивая

передачу перепада напряжения U9 max к точкам / и 2

(рис. 5.12, а), диоды

VD2 , VD3 и

VD4 закрыты. Начинается заряд конденсатора С через выход эмиттерного повторителя на транзисторе VT1, диод VDJ, правый резистор R и выход эмиттерного повторителя на транзисторе VT4. Конденсатор стремятся зарядиться до напряжения U9 ТПах -j- U9 mi

если пренебречь падением напряжения на диоде VD1 .

По мере заряда конденсатора напряжение и2 уменьшается, стремясь к —U9 т1п. Когда

и2, уменьшаясь, достигнет значения напряжения и

диод VD4 начнет отпираться, обеспе­

чивая передачу уменьшающегося напряжения щ

к базе транзистора

VT3. Постоянная

времени заряда конденсатора при этом сильно уменьшится (R2 < R) и поэтому

быстро

уменьшаясь, достигнет уровня пб2*Транзистор VT3 начнет запираться, a

VT2 отпираться.

Произойдет лавинный процесс, во время которого скачкообразно возрастет до U9 max на. пряжение и ^ и уменьшится до —U9 min напряжение аэ1. Скачкообразно до значения 0^ увеличится напряжение и2. На столько же скачкообразно увеличится напряжение w*.

118

Конденсатор С начнет разряжаться через диод VD2 и левый резистор R , стремясь переза­ рядиться до —(U3 max + U9 min). Диоды VD1, VD3 и VD4 снова закрыты. Конденсатор

разрядится до нуля, а затем будет заряжаться напряжением противоположной полярнос­ ти. Напряжение и± при этом уменьшается от аС/э-тах, стремясь к —JU9 mJn. Когда это на­

пряжение достигнет значения мб2, откроется диод VD3, будет уменьшаться до значения ищ* После этого произойдет снова лавинный процесс и т. д. Длительность первого после

включения источников питания импульса можно

определить, воспользовавшись закопом

изменения напряжения (рис. 5.12,

б),

 

 

 

 

и 2 =

(^ э max 4 “

min) е

^

N am in’

где т = /?С, если пренебречь

выходными

сопротивлениями

эмиттерных повторителей.

Пренебрегая напряжениями иб2 =

г=г 0 , для момента /и1, получаем

V* max +

и эmin) ^

~ Us m.n »

О,

откуда

RC In [(U9 mln + U3 mix)/U3 mln).

/ н1 =

Следующий за первым импульс и все последующие имеют длительность fHf которую можно определить, воспользовавшись выражением

ui = (2 ^ э щах 4" min) е ^

mln*

откуда, учитывая, что их (/и) ^ 0 , получим

RC Iff/. mln 4* 2С/Э шах)/^э mini*

Теперь необходимо выразить через параметры ИДУ значения U9 max и U3 mln. Для повьппения стабильности длительности необходимо увеличивать U9 mln, что достигается увеличе­

нием тока / 0 ГСТ до максимального значения. Увеличить ток / 0 можно, уменьшая сопротив­ ление резистора R3 или R5 ГСТ (см. рис. 5.1, а) с помощью шунтирующего резистора.

Если учесть, что при максимальном токе / 0 нормальным будет режим, при котором напряжения U[i3 mln транзисторов ИДУ и ГСТ не менее 1 В, то

 

'О max < ( Е 1 +

£ 2 - 2 ( / кэт1п) /№ +

/?5).

 

При этом резистор R3 (см. рис. 5.1, а) ГСТ должен иметь сопротивление

 

откуда

* 3

mln = (а ^4^2

/ 0 тах^4^б)/(^0 тах^б)»

 

 

aR,E2 (R, +

Rb) -

R4 Rb (£* + E2 -

2UK9 mIn)

 

 

 

(5.69)

*3 mln

 

Rb (^ 1 +

^ 2 2 ^ K3mln)

 

 

 

 

или

__________________ aR4 E2Ri_______________

 

P

(5.70)

^ 5 m in -

(E1 + E2 ^ 2 U K3 m[n){R, + R ,) - a R ,E 2 *

 

Вопрос о том, сопротивление какого из резисторов необходимо уменьшить для увеличения / 0, решается в зависимости от наличия базового или эмиттерного вывода ГСТ ИМС. Следу­ ет только иметь в виду, что более эффективно уменьшение сопротивления эмиттерного ре­ зистора R5. Если пренебречь влиянием делителя R2R7 и током заряда (разряда) вследствие

выполнения

неравенства R >

R J Р,

то

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г?

t I

 

п

^ 1 4" ^ 2 ---</бэ

 

 

 

и э max = Е 1 — и бэ — R 1

«! +

« „(! — а)

 

откуда, с учетом неравенств (1 — a) <

RQ1

и бэ <

Ел = Е2, получим

 

и э max =

Е [Rt _ 2 ( 1 -

а)]//?, «

Е;

U3 mins * E — 1/бэ -

Л ,а /„ « Е -

«/„Я*.

Подставляя найденные для U9 max и U3

min выражения, получаем

 

 

 

= RC In

2g +

 

 

I -

RC In 1 + R'al-§- ,

(5-71)

 

 

R ^ / Q— E

 

R^atQ — t

 

если R\r'-1{\ > E.

Описанный генератор будет работать только при выполнении условия a /0/?* >

Е.

В противном случае при перезаряде конденсатора опорный диод не откроется и процесс

на

этом закончится.

 

Функциональная схема генератора с перезаряжающимся конденсатором на ИДУ ти­ па 198УТ1 изображена на рис. 5.12, в. Параметры дополнительных элементов рассчитыва­ ются в следующем порядке. Сначала рассчитывается сопротивление R3 min (Rs max), обес­

печивающее максимальный ток / 0, а после этого требуемое сопротивление

шунтирующего

резистора /?9. Затем по заданной длительности tH(периоду следования Т)

определяется

постоянная времени RC. При этом для уменьшения влияния неучтенных токов закрытых

диодов на длительность импульса нежелательно использовать резисторы R с большим со­ противлением. По известной величине RC после выбора R рассчитывается емкость С и вы­ бирается резистор сопротивлением R 2 = (1...2 ) кОм.

Рассмотренный автоколебательный генератор отличается большой удельной длитель­ ностью tJ(RC) и не очень высокой ее стабильностью. Объясняется это тем, что, несмотря на принятые меры увеличения тока /0, напряжение — U3 mi , к которому стремится вре-

мязадающее напряжение их (и,,), недостаточно велико.

Для повышения стабильности длительности импульса схему рассмотренного генера­ тора необходимо изменить так, чтобы начальное значение ВЗН одной полярности было мало, а напряжение противоположной полярности, к которому стремится ВЗН,-^ велико. При этом уменьшается удельная длительность. Такими особенностями отличается а в т о г е ­

н е р а т о р , принципиальная схема которого (рис.

5.13, а) отличается

от схемы

на

рис. 5.12, а полярностью включения опорных диодов

VD3, VD4 и диодов

VDlt VD2

за­

рядно-разрядной цепи.

 

 

 

Принцип работы этого варианта автогенератора отличается от предыдущего тем, что при противоположной полярности включения диодов VD1 и VD2 открытым оказывается тот из них, катод которого в данный момент времени имеет потенциал — min. Поэтому

управляющие напряжения иг и //2, в отличие от напряжений предыдущего генератора

120

Соседние файлы в папке книги