книги / Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов
..pdf3.11.Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электри ческая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
3.12.Жданов В. М. Явления переноса в многокомпонентной плазме. М.: Знергоиздат, 1982.
3.13.Dannhauser F. Die Abhangigkeit der Tragerbeweglichkeit in Silizium von der Konzentrazion der freuen Ladungstrager// Solid-State Electronics. 1972. V. 15,
№12. P. 1371— 1375.
3.14.Krausse J. R. Die Abhangigkeit der Trager beweglichkeit in Silizium von der Konzentrazion der freuen Ladungstrager// Solid-State Electronics. 1972. V. 15, JNs 12. P. 1377— 1381.
3.15.Кузьмин В. А., Мнацаканов T. T., Шуман В. В. О влиянии электронно дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику кремниевых многослой
ных структур при большой плотности тока// Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6, № 11.
С.689— 693.
3.16.Мнацаканов Т. Т., Ростовцев И. Л., Филатов Н. И. О соотношении Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного электронно-дырочного рас сеяния// ФТП. 1984. Т. 18, № 7. С. 1293— 1296.
3.17.Fossuin J. G., Lee D. S. A physical model for dependence of carrier life
time on |
doping |
density in nodegenerate silicon// Solid-State |
Electronics. |
1982. |
||
V . 25, № |
8. P. 741— 747. |
|
|
|
|
|
3.18. A review of some transport |
properties of silicon/ C. Jacoboni, |
C. Canali, |
||||
G. Ottaviani, A. |
Alberigi-Quaranta// |
Solid-State Electronics. |
1977. V. |
20, |
№ 1. |
|
P.77— 80.
3.19.Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
3.20.Marshak А. Н., Van Vliet К. М. Electrical currents in solids with posi
tion — dependent band structure// |
Solid-State |
Electronics. |
1978. |
V. 21, '№ 2. |
||||
P. 417— 429. |
|
R. J., Gray J. L. Transport equations for the |
||||||
3.21. Lundstrom M. S., Schwartz |
||||||||
analysis |
of |
heavily doped semiconductor |
devices// Solid-State Electronics. |
1981. |
||||
Y. 24, № |
3. |
P. 195-202. |
Car |
R. Energy gap reduction |
in heavily do |
|||
3.22. Pantelides S. T., Selloni A., |
||||||||
ped silicon: causes and consequences// Solid-State |
Electronics. |
1985. |
V. 28, № |
1/2. |
||||
P. 17— 24. |
|
|
|
|
|
|
|
|
3.23. Мнацаканов T. T. О пределе применимости диффузионного приближе ния в теории многослойных полупроводниковых структур// Радиотехника и элек
троника. 1987. |
Т. |
32, |
№ |
1. С. 127— 132. |
||
3.24. Fletcher |
N. |
Н. |
The |
high |
current limit for semiconductor junction devi |
|
ce s// Proc. IRE. |
1957. |
V. |
45, |
INb 6. |
P. 862— 872. |
|
3.25.Грехов И. В., Яссиевнч И. Н. Теория мощного тиристорного оптоэлек тронного переключателя// ФТП. 1980. Т. 14, № 9. С. 1747— 1755.
3.26.Berz F., Cooper R., Fagg S. Recombination in the end regions of pin •diode// Solid-State Electronics. 1979. V. 22, № 3. P. 293—301.
3.27.Мнацаканов T. T., Поморцева Л. И. О влиянии нелинейных физических
эффектов на граничные условия в диффузионных структурах при большой плот ности тока// ФТП. 1986. Т. 20, № 2. С. 386—387.
3.28.Мнацаканов Т. Т., Поморцева Л. И. О влиянии оже-рекомбинации на зольт-амперную характеристику кремниевых многослойных структур при боль шой плотности тока// ФТП. 1982. Т. 16, № 5. С. 798— 804.
3.29.Исследование влияния оже-рекомбинации на вольт-амперную характе
ристику кремниевых многослойных структур/ А. С. |
Зубрилов, В. |
А. Кузьмин, |
Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман// |
ФТП. 1983. |
Т. 17, № 3. |
•С. 474— 478. |
|
|
3.30. Грехов И. В., Отблеск А. Е. Учет электронно-дырочного рассеяния и •падения эффективности эмиттера с ростом плотности тока при расчете прямой яетви вольт-амперной характеристики p-s-n и p-s-R структур// Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19, № 7. С. 1483— 1489.
3.31. Исследование оже-рекомбинации в кремниевых многослойных структу рах при большой плотности тока/ В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. По морцева, В. Б. Шуман// ФТП. 1982. Т. 16, № 6. С. 988—992.
27 1
3.32.Мнацаканов Т. Т., Тугушева Т. Е. Особенности вольт-ампернон харак теристики при двойной инжекции в кремниевых многослойных структурах с узкой базовой областью// Радиотехника и электроника. 1985. Т. 30, № 1. С. 127— 132.
3.33.Choo S. С. Theory of forward biased diffused junction p-L-n rectifiers// IEEE Trans. Electr. Dev. 1972. V. ED-19, № 8, P. 954— 960.
3.34. Amantea R. A new solution for minority |
currier injection |
into the emitter |
|
of a bipolar transistor// IEEE Trans. Electr. Dev. |
1980. V. ED-27, |
u\"s 7. |
P. 1231— |
1238. |
|
|
|
3.35. Burtscher J., Dannhauser F., Krausse J. Die Recombination in Thyristoren |
|||
und Gleichrichtem aus Silizium// Solid-State |
Electronics. 1975. V. |
18, № 1. |
|
P.35— 63.
3.36.Choo S. C. Theory of forward biased diffused junction p-L-n rectifiers//
Solid-State Electronics. 1973. V. 16, № 2. P. 197— 211.
3.37.Кузьмин В. А., Мнацаканов T. T. Вольт-амперная характеристика полу проводниковых структур с диффузионными р-п переходами при большой плот ности тока// Радиотехника и электроника. 1981. Т. 26, № 5. С. 1082«-»1091.
3.38.Passari L., Susi Е. Recombination mechanisms and doping density in Silicon// J. Appl. Phys. 1983. V. 54, '№ 7. P. 3935-3937.
3.39.Adler M. S., Houston D. E., Wolley E. D. Measurement and analysis of carrier distribution in power fast diodes// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. V. ED-27,
№7. P. 1217— 1222.
3.40.Мнацаканов T. T., Ростовцев И. Л., Филатов Н. И. Исследование чис ленного алгоритма моделирования мощных полупроводниковых структур в про водящем состоянии// Электронное моделирование. 1986. Т. 8, № 1. С. 40— 43.
3.41. Adler М. S. Accurate calculation of |
forward drop |
and |
power |
dissipation |
in thyristors// IEEE Trans. Electr. Dev. 1978. |
V. ED-25, '№ |
1. |
P. 16— 21. |
|
3.42. Freidin B., Veltnre E. Numerical simulation of forward biased |
p-i-n struc |
|||
ture with band-to-band Anger recombination// |
Electron. Lett. 1978. V. |
14, № 22. |
||
P.701— 703.
3.43.Sharfetter D. L., Gummel H. K. Large signal analysis of a silicon Read
diode oscillator// IEEE |
Trans. Electr. Dev. 1969. V. ED-16, № |
1, p. |
64— 67. |
3.44. Seidman T. I., Choo S. C. Iterative scheme for computer |
simulation of |
||
semiconductor devices/ / |
Solid-Stale Electronics. 1972. V. 15, J\< ? |
10. |
P. 1229— 1235. |
3.45.Мнацаканов T. T„ Ростовцев И. Л., Филатов Н. И. Исследование влияния нелинейных физических эффектов на вольт-амперную характеристику кремниевых многослойных структур с помощью моделирования на ЭВ М // Радио техника и электроника. 1986. Т. 31, № 9. С. 1848— 1853.
3.46.Mnatsakanov Т. Т. Transport coefficients and Einstein relation in high
density plasma of solid s// Physica Status Solidi. 1987. V. 143, tNs 1. P. 225— 234.
Кгл. 4
4.1.Мнацаканов T. Т. Теория вольт-амперной характеристики силовых р-п переходов и проборов на их основе// Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22,
№2, С. 366— 373.
4.2.Осипов В. В., Холодное В. А. Явление изотермического шнурования то ка при инжекционном пробое полупроводниковых структур// Микроэлектроника. 1973. Т. 2, № 6. С. 529— 547.
4.3.Зависимость напряжения пробоя р-п перехода от величины его площа ди/ В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова, А. С. Кюрегян, Т. Т. Мнацаканов// Электро техническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1975. Вып. 5
(64). С. 3««*6.
4.4.Мнацаканов Т. Т., Кузьмин В. А. Проектирование полупроводниковых приборов с учетом статистического разброса параметров// Тр. ВЭИ. М.: Энергия. 1980. Вып. 90. С. 49— 57.
4.5.Худсон Д . Статистика для физиков. М.: Мир, 1970.
Кгл. 5
5.1.Перегрузка тиристора однократным импульсом тока большой амплиту ды/ Э. Ф. Бурцев, И. В. Грехов, Н. Н. Крюкова и др.// Физика электронно-ды
рочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, |
1969. С. 309— 319. |
5.2. Чесноков Ю. А. Исследование предельно допустимых |
импульсных режи- |
272
мов работы тиристоров и разработка конструктивных мероприятий по повыше нию стойкости приборов к токам перегрузки: Автореф. дис. на соиск. учен, сте пени канд. техн. наук/ ВЭИ имени В. И. Ленина. 1969.
5.3.Остренко В. С. Исследование устойчивости кремниевых вентилей и ти ристоров к токам короткого замыкания: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ Одесса, ОПИ, 1974.
5.4.Кузьмин В. А., Мамонов В. И., Юрков С. Н.// Электротехническая про мышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1979. Вып. 3 (110). С. 3—6.
5.5. Расчет |
допустимых токов аварийной перегрузки мощных тиристоров/ |
B. А. Кузьмин, |
Ю. М. Локтаев, В. И. Мамонов и др.// Электротехническая про |
мышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1979. Вып. 4 (111). С. 3—6.
5.6. Silber |
D., |
Robertson |
М. Thermal effects on the |
forward characteristics |
|
of silicon p-i-n diodes at high |
pulse currents// Solid-State |
Electronics. 1973. V. 16, |
|||
№ 12. P. 1337— 1346. |
|
|
|||
5.7. OXOTIIH А. С , Пушкарский А. С., Горбачев В. В. Теплофизические свой |
|||||
ства полупроводников. М.: Атомиздат, 1972. |
|
||||
5.8. Adler |
М., |
Glascock Н, Investigation of the surge |
characteristics of power |
||
rectifiers and |
thyristors in large — area press packages// IEEE Trans Electr. Dev. |
||||
1979. V. ED-26, № 7. P. 1085-1091. |
|
||||
5.9. Silard A., Bodca M., Luca M. Temperature distribution in nonlinear multi |
|||||
layer |
structure with several heat sources// Letters heat and mass transfer. 1977. |
||||
V. 4. |
P. 149— 154. |
|
|
|
|
5.10. Кузьмин |
В. А., Мамонов В. И. О тепловом пробое в высоковольтных |
||||
p-i-n структурах// |
Микроэлектроника н полупроводниковые приборы. 1977. |
||||
Вып. |
2. С. 204— 211. |
|
|
||
5.11.Кузьмин В. А., Мамонов В. И., Чесноков Ю. А. Допустимые ударные токи и механизмы отказа силовых полупроводниковых приборов в различных режимах// Электротехника. 1984. № 3. С. 44— 47.
5.12.Мамонов В. И. Исследование и моделирование тепловых процессов и ударных токов в силовых полупроводниковых приборах: Автореф. дис. на соиск.
учен, степени канд. техн. наук/ ВЭИ имени В. И. Ленина. 1986.
Кгл. 6
6.1.ГОСТ 20859.1— 79. Приборы полупроводниковые силовые. Общие техни ческие условия. М.: Изд-во стандартов, 1985.
6.2. Gray D. I. This SCR is not for burning// Electronics. 1968. V. 41, № 20.
P.96— 100.
6.3.Пат. № 3609476 (СШ А). Interdigitated structures for gate t u r n - o ff thy ristors and for transistors U. S. patent/ H. F. Strom!
6.4.Исследование высоковольтных импульсных тиристоров/ Д. В. Андреев, Э. Ф. Бурцев, А. Н. Думаневнч и др.// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1983. Вып. 12 (158). С. 1—4.
6.5.Накагава В., Отаки К., Ниваяма К- Тиристоры для линий передач по
стоянного тока// Мицубиси Дэнки тихо (на япон. языке). 1983. Т. 57, № 10.
C.34— 38.
6.6.Особенности процесса включения тиристоров с разветвленным электро
дом управления/ П. Г. Дсрменжи, В. В. Шмелев, М. Ю. Лебедева, Н. Г. Поно марева// Электротехническая промышленность. Преобразовательная техника. 1979. Вып. 4 (111). С. 1— 3.
6.7. Ковров А. М., Рухамкин В. М., Якивчик Н. И. Учет сопротивления ме таллизации управляющих электродов при проектировании мощных тиристоров// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1980. Вып. 4 (123). С. 11— 12.
6.8. Рухамкин В. М. Исследование включения р-п-л-л-структур с различны ми конструкциями управляющих электродов и разработка силовых тиристоров с высокими коммутационными и нагрузочными характеристиками: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ ВЭИ нм. В. И. Ленина. 1980.
6.9. Боронин К- Д., Дерменжи П. Г. Зависимость времени выключения р-п-р-п структур от их параметров и режимов измерения// Радиотехника и элек троника. 1973. Т. 18, № 11. С. 2364—2373.
273
6.10. |
Davies P. L.f Petruzella J. p-n-p-n charge dynam ics// |
Proc. IEEE. 1967. |
V. 55, vNb |
8. P. 1318— 1330. |
|
6.11. О физических процессах p-n-p-n структуре при комбинированном |
||
выключении/ Р. Э. Аязян, И. В. Грехов, И. А. Линийчук и |
др.// Радиотехника |
|
иэлектроника. 1978. Т. 23, № 8. С. 1692— 1698.
6.12.Грехов И. В., Горбатюк А. В., Костина Л. С. О возможности повыше ния быстродействия мощных тиристоров при выключении// Радиотехника и элек троника. 1979. Т. 24, № 3. С. 606— 614.
6.13.Рабкин П. Б. Моделирование переходных процессов в силовых полу проводниковых приборах: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ Л., 1984.
6.14.Грехов И. В., Отблеск А. Е. Определение электрофизических парамет ров сильнолегированной области диода по длительности фазы высокой обратной проводимости// Радиотехника и электротехника. 1974. Т. 19, JY® 9. С. 1910— 1916.
6.15.Raderecht Р. С. The development of a gate assisted turn-off thyristor for
use |
in high frequency |
applications// Int. J. |
Electronics. |
1974. V. 36, |
№ 3. |
|
P. 399— 416. |
|
|
a technique for the reduction |
|||
|
6.16. Assalit H. B., Studtmann G. H. Description of |
|||||
of |
thyristor turn-off tim e// IEEE Trans, Electron |
Devices. 1974. V. ED-21, |
№ 7. |
|||
P. 416— 420. |
high-power gate — assisted |
turn-off |
thyristor for |
high |
||
|
6.17. H ig h -v o lta g e |
|||||
frequency use/ J. Shimisu, H. Oka, S. Funakawa e. a.// IEEE Trans. Electron De vices. 1976. V. ED-23, № 8. P. 883— 887.
6.18.Schlegel E. S. Gate — assisted turn-off thyristor// IEEE Trans. Electron Devices. 1976. V. ED-23, № 8. P. 888— 892.
6.19.Быстродействующий прибор ключевого типа — комбинированно-выклю-
чаемый тиристор// Р. Э. Аязян, О. Г. Булатов, И. В. Грехов и др.// Электриче ство. 1977. № Ю. С. 82— 84.
6.20.Горбатюк А. В. Исследование неодномерных нестационарных процес сов в многослойных полупроводниковых структурах: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук/ ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. 1980.
6.21.Исследования процесса комбинированного выключения в быстродейст вующих тиристорах/ С. В. Генералов, П. Г. Дерменжи, А. М. Ковров и др.//. Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1983. Вып. И (157). С. 1 - 3 .
6.22.Дерменжи П. Г. Переходный процесс в тиристорах при их выключении
комбинированным способом// Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28, № 1.
С.173— 180.
6.23.Григорьев Б. И., Тогатов В. В. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях диодных и тиристорных структур при
больших плотностях токов// |
Радиотехника и электроника. |
1980. Т. |
25, jY® 5. |
С. 1063— 1071. |
|
|
|
6.24. Комбинированное |
выключение р-л-р-л-структур |
круглой |
формы/ |
П. Г. Дерменжи, А. М. Ковров, В. Г. Пономарев, В. М. Рухамкин// Радиотехни ками электроника. 1985. Т. 30, № 8. С. 1663—*1665.
*6.25. Грехов И. В., Коробков Н. Н., Отблеск А. Е. Исследование темпера турных изменений линейного времени жизни, эффективности эмиттера и коэффи циента оже-рекомбинации по длительности переходного процесса переключения: кремниевого диода// ФТП. 1978. Т. 12, № 2. С. 319— 324.
6.26. Исследование методом вычислительного эксперимента процесса выклю чения КВТ/ П. Г. Дерменжи, А. М. Ковров, В. Г. Пономарев и др.// Силовые полупроводниковые приборы. Таллин: Валгус, 1986. С. 24— 28.
6.27.Вэлмре Э. Э., Пироженко А. А., Удал А. Э. Численное моделирование электрофизических процессов в полупроводниках с учетом электронно-дырочноп> рассеяния// Электронное моделирование. 1985. Т. 7, № 4. С. 66— 71.
Кгл. 7
7.1.Kokosa R. A., Tuft В. R. A high-voltage, high-temperature reverse con
ducting thyristor// IEEE Trans. Electron Devices. |
1970. V . ED-17, № |
9. P. 667— 672. |
|
7.2. Matsuzawa T., |
Usunaga Yu. Some electrical characteristics of a reverse |
||
conducting thyristor// |
IEEE Trans. Electron |
Devices. 1970. V. |
ED-17, iNb 9. |
P. 816— 822. |
|
|
|
2 7 4
7.3. Боронин К. Д., Дерменжи П. Г., Якивчик Н. И. Стойкость к эффекту du/dt и время выключения р-п-р-п-структур с обоими зашунтированными эмит терами// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника.
1974. Вып. 7 (54). |
С. 3— 6. |
7.4. Некоторые |
результаты экспериментального исследования тиристоров с |
обоими зашунтированными эмиттерными переходами/ Т. В. Антонова, К. Д. Бо ронин, П. Г. Дерменжи и ар.// Электротехническая промышленность. Сер. Пре образовательная техника. 1974. Вып. 9 (56). С. Е— 7.
7.5. Боронин К. Д., Дерменжи П. Гч Якивчик Н. И. Время выключения и стойкость к эффекту du/dt р-п-р-п структур с обоими зашунтированными эмиттернымн переходами и ограничением области пространственного заряда// Элек
тротехническая |
промышленность. Сер. Преобразовательная |
техника. |
1975. |
Вып. 1 (60). С. 8— 10. |
|
|
|
7.6. Грехов И. В., Киреев О. А., Костина Л. С. Статические параметры ти |
|||
ристора на основе р+-п'-п-р-п+ структуры// Радиотехника и электроника. |
1975. |
||
Т. 20, № 2. С. 381 -386 . |
|
|
|
7.7. Расчет |
оптимальных параметров тиристора с обратной |
проводимостью |
|
на основе рл-п'-п-р-п+ структуры/ И. В. Грехов, О. А. Киреев, |
Л. С. Костина, |
||
М. В. П опова// |
Радиотехника и электроника. 1976. Т. 21, № 4. С. 837—845. |
||
7.8.Грехов И. В., Киреев О. А., Костина Л. С Экспериментальное исследо вание статических параметров тиристора на основе р+-п'-п-р-п+ структур// Ра диотехника и электроника. 1977. Т. 22, № 2. С. 361— 365.
7.9.Влияние диффузионного п+-слоя в широкой базе на некоторые выход ные параметры высоковольтных тиристоров без обратной блокирующей способ ности/ Л. Г. Варшавский, П. Г. Дерменжи, В. И. Черемисин, В. И. Челмакин// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1977. Вып. 9 (92). С. 1— 2.
7.10.Дерменжи П. Г., Шмелев В. В. Процесс выключения тиристора-диода// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1981. Вып. 5 (133). С. 6— 9.
7.11.Ковтун В. И., Дерменжи П. Г., Внльянов А. Ф. Методика приближен ного расчета напряжения лавинного пробоя кремниевых диффузионных диодов// Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, № 6. С. 1263— 1269.
7.12.Дерменжи П. Г., Томенко А. К- Влияние параметров многослойной структуры симисторов на их стойкость к эффекту du/dt в процессе выключения//
Радиотехника и электроника. 1976. Т. 21, № 6. С. 1350— 1352.
Кгл. 8
8.1.Кузьмин В. А., Павлик В. Я-, Юрков С. Н. Пакет прикладных программ для автоматизированного проектирования силовых тиристоров// Тр. ВЭИ. 1980. Вып. 90. С. 36— 48.
8.2.Кузьмин В. Л. Исследование некоторых взаимосвязей параметров крем ниевых структур большой площади и создание на их основе физической и мате матической модели силового диода: Автореф. дне. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ ВЭИ имени В. И. Ленина. М., 1974.
Кгл. 9
9.1.Cray S. R., Kisch R. N. A Progress Report on Computer Applications in 'Computer Design// Proc. WYCC. 1956. P. 8 2 -8 5 .
9.2. Комплекс общеотраслевых методических материалов по созданию АСУ
иСАПР. М.: Статистика, 1980.
9.3.ГОСТ 22487— 77. Проектирование автоматизированное. Термины и опре деления. М.: Изд-во стандартов, 1978.
9.4.Автоматизация проектирования. Проблемы и перспективы/ 10. А. Тюрин, О. Л. Смирнов, М. И. Осин, В. Н. Шауров. М.: Изд-во СЭВ, 1980.
9.5.Кахро М. И., Калья А. П., Тыугу Э. X. Инструментальная система про граммирования ЕС ЭВМ (ПРИЗ). М.: Финансы и статистика, 1981.
9.6.Григоренко В. П. АСКЭТ— опыт разработки и внедрения// Системы
автоматизированного проектирования |
в электротехнической промышленности// |
Тр. ВНИИЭМ. 1982. Т. 71. С. 61— 73. |
|
275
9.7. Проектирование |
диалоговых пакетов |
программ |
в системе СПРИНТ/ |
В. П. Григоренко, А. В. Марин, 10. П. Саан, |
М. Г. Щ едрова// Моделирование и |
||
оптимизация проектных |
решений в САПР. Ч. |
I. Таллин, |
1983. С. 47— 49. |
9.8. Язык УТОПИСТ/ М. А. Мяннисалу, Э. X. TbiyFy, М. И. Унт, А. Л. Фуксман// Алгоритмы и организация решения экономических задач: Сб. статей под ред. В. М. Савинкова М.: Статистика. 1977. Вып. 10. С. 80-— 113.
Кел. 10
10.1.См. [4.1].
10.2.Кузьмин В. А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское
радио, 1971.
10.3.Рабкин П. Б., Тогатов В. В. Квазилинейная квазиодномерная модель процесса включения р-п-р-п структур на этапе установления стационарного со стояния// Радиотехника и электроника. 1981. Т. 26, № 7. С. 1498— 1509.
10.4.Шилов А. М. О применении быстрого преобразования Фурье в задачах моделирования// Электронное моделирование. 1983. № 3. С. 94— 98.
10.5.Велмре Э. Э., Удал А. Э., Фрейдин Б. П. Исследование эффективности
численных алгоритмов моделирования силовых полупроводниковых структур в проводящем состоянии// Электронное моделирование. 1981. № 4. С. 90— 94.
10.6.Рабкин П. Б., Тогатов В. В. Моделирование процесса выключения ти ристоров// Электронная техника. 1982. Сер. IV, № 5 (94). С. 14— 19.
10.7.Григоренко В. П., Смирнова В. А., Тай М. Л. Об одном методе реше ния нелинейных краевых задач, описывающих распределение неосновных носите
лей в базе полупроводниковой структуры// Журнал вычислительной математики
иматематической физики. 1975. Т. 15, № 4. С. 923— 930.
10.8.Вермишев Ю. X. Методы автоматического, поиска решений при проек тировании сложных технических систем. М.: Радио и связь, 1982.
10.9.Уайлд Д. Оптимальное проектирование: Пер. с англ. М.: Мир, 1981.
10.10.Батищев Д. И. Диалоговая оптимизация// Современное состояние
теории исследования операций/ Под ред. Н. Н. Моисеева. М.: Наука, 1979.
С.404 -423 .
10.11.Диалоговая система принятия оптимальных решений/ В. П. Григорен ко, Н. С. Сотников и др.// Методы выбора и оптимизации проектных решений. Горький: ГГУ им. Н. И. Лобачевского. 1977. С. 66— 77.
10.12.Соболь И. М., Статников Р. Б. Поиск и задачи оптимального конст
руирования// Проблемы случайного поиска. Рига: Зипатне. 1972. Т. 1.
С.117— 136.
10.13.Соболь И. М. Многомерные квадратурные формулы и функции Хаара. М.: Наука, 1969.
10.14.Сергеев В. И., Статников Р. Б., Статников И. Н. Об одном способе принятия решений в задачах оптимизации со многими функциями цели// Реше ние задач машиноведения на. ЭВМ. М.: Наука, 1975. С. 28— 36.
10.15.Брейтон Р. К.. Хечтел Г. Д., Санджованни-Винчентелли А. Л. Обзор
методов оптимального проектирования интегральных схем// ТИИЭР. 1981. Т. 69,
№10. С. 18С— 230.
10.16.Григоренко В. П., Кузьмин В. Л., Базанов О. В. Автоматизация рас чета силовых полупроводниковых приборов// Электротехника. 1984. № 7.
10.17.Сотников Я. Д. Исследование и разработка методики и программных' средств автоматизированного построения математических моделей (на примере силовых полупроводниковых приборов): Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ Таллин, 1984.
10.18.Тамм Б. Г. Элементы теории моделирования инженерных процессов при помощи специализированной системы программирования: Автореф. дис. на соиск. учен, степени д-ра техн. наук. Таллин, 1969.
10.19.Тыугу Э. X. Применение вычислительных моделей в математическом
обеспечении машинного проектирования: Автореф. дис. на соиск. учен, степени
д-ра техн. наук. Таллин, 1972.
10.20.Тыугу Э. X. Решение задач на вычислительных моделях// ЖВМиМФ 1970. Т. 10, № 3. С. 716— 733.
276
Кгл. 11
11.1.Григоренко В. П., Ребане Л. А., Сотникова Н. С. Вопросы интеграции пакетов прикладных программ// Тезисы докладов Международной конференции
«Структура и организация пакетов программ», Тбилиси: Ин-т кибернетики АН ГССР, 1976. С. 143— 145.
11.2.Григоренко В. П., Саан Ю. П., Сотникова Н. С. Опыт применения си стемы ПРИЗ-32 при построении пакетов прикладных программ САПР// Програм
мирование. 1979. № 1. С. 73—79. |
* * |
11.3.Tyugu Е. Н., Grigirenko V. Р., Sotnikova N. S. Optimal design of power semiconductor devices// Computers in Industry. 1982. V. 3, № 4. P. 261—269.
11.4.Рубинштейн M. И. Процедуры анализа объектов и задач оптимального
проектирования// Моделирование и оптимизация проектных решений в САПР.
Ч.1. Таллин: НИИ ПО «ТЭЗ им. М. И. Калинина». 1983. С. 38—40.
11.5.Эйфимивала К-, Мейн Р. Схема построения контуров для оптимизации конструкций//'Конструирование. 1979. Т. 101, № 2. С. 136— 142.
11.6.Юлегин Ю. Н. Исследование' и разработка диалоговой системы опти мизации проектных решений в САПР СПП// Моделирование и оптимизация проектных решений в САПР. Ч. 1. Таллин: НИИ ПО «ТЭЗ им. М. И. Калини на». 1983. С. 27— 29.
11.7.Сотникова Н. С. Диалоговые процедуры решения многокритериальных задач оптимального проектирования// Моделирование и оптимизация проектных
решений в САПР. Ч. 1. Таллин: НИИ ПО «ТЭЗ нм. М. И. Калинина». 1983.
С.30— 32.
11.8.Абрамов О. В., Здор В. В., Супоня А. А. Допуски и номиналы систем управления. М.: Наука, 1976.
11.9.Григоренко В. П. Оптимизация проектных решений в системе автома тизированного проектирования силовых полупроводниковых приборов// Электро техника. 1978. № 6. С. 27— 32.
11.10.Специализированный комплекс программ технологического проектиро вания силовых полупроводниковых приборов/ В. П. Григоренко, О. В. Базанов,
Л.А. Оттмаа, С. М. Шабанов// Математическое обеспечение САПР. Горький:
ГГУ им. Н. И. Лобачевского. 1981. С. 111— 116.
11.11. Пост Р. И., Ребане Л. А., Сотников Я. Д. Подсистема автоматизации физического эксперимента в САПР СПП// Интерактивная технология в САПР. Тезисы докладов IV Всесоюзного совещания по автоматизации проектирования электротехнических устройств. Таллин: НИИ ПО «ТЭЗ им. М. И. Калинина». 1981. С. 123— 125, . . .
11.12.Сотников Я. Д. Система автоматизированного построения моделей для САПР силовых полупроводниковых приборов// Методы автоматизации проекти рования, программирования и моделирования. Межведомственный тематический научный сборник. Таганрог: ТРТИ, 1983. Вып. 4. С. 40—46.
11.13.Григоренко В. П., Сотников Я. Д. Особенности построения программ
ного |
обеспечения подсистемы автоматизации научных исследований ПАНИ// |
Там |
же. С. 46—51. |
11.14.Григоренко В. П., Мяннисалу М. А., Ребане Л. А. Пакет прикладных программ по математической статистике. Таллин: НИИ ПО «ТЭЗ им. М. И. Ка линина». 1975.
11.15.Сотников Я. Д. Пакет программ аппроксимации эмпирических дан ных и физических .зависимостей//. Пакеты прикладных программ САПР: Мате риалы . Всесоюзного научно-технического совещания. Таллин. НИИ ПО «ТЭЗ
им. М. И. Калинина», 1978. С. 150— 155.
11.16.Сотников Я- Д- Генерация специализированных пакетов обработки экспериментальных данных// Интеграция пакетов и баз данных САПР электро технических устройств: Тезисы докладов на Всесоюзном научно-техническом се минаре. Таллин, 1982. С. 44— 53.
11.17.Ребане Л. А., Сотников Я. Д. Некоторые вопросы генерации специа лизированных процедур обработки экспериментальных данных// Интерактивная технология в САПР: Тезисы докладов IV Всесоюзного совещания по автомати
зации проектирования электротехнических устройств. Таллин, БИТ, 1981. С. 133— 135.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие |
....................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
||
Список основных обозначений . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
||||||
|
|
|
|
|
Ч а с т ь п е р в а я |
|
|
|
|
|
||||||
МОДЕЛИРОВАНИЕ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |
7 |
|||||||||||||||
Г л а в а |
п е р в а я . Общие |
вопросы |
|
моделирования |
силовых |
полупроводни |
7 |
|||||||||
ковых |
приборов ........................................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
1.1. Требования к математическим моделям. Классификация моделей |
7 |
|||||||||||||||
1.2. Физико-топологическая |
модель силового |
ти ри стора .............................. |
|
|
|
10 |
||||||||||
Г л а в а |
в т о р а я . Моделирование |
статической |
характеристики тиристора |
12 |
||||||||||||
в закрытом |
состоянии . |
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
. |
|||||
2.1. В в е д е н и е ................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 |
|||
2.2. Напряжение лавинного пробоя диффузионного р-п перехода |
|
15 |
||||||||||||||
2.3. Механизмы |
зависимости IKO(U) и |
а (/, t / ) ............................................ |
|
|
|
|
17 |
|||||||||
2.4. Расчет |
тока в закрытом состоянии, максимального напряжения, |
|
||||||||||||||
|
тока и напряжения переключения тиристора |
|
|
|
|
23 |
||||||||||
2.5. Отпирающий ток |
управляющего электрода . |
|
|
|
|
27 |
||||||||||
Г л а в а |
т р е т ь я . |
Моделирование |
статической |
|
характеристики |
силовых |
|
|||||||||
полупроводниковых приборов в проводящем состоянии . |
|
|
|
37 |
||||||||||||
3.1. |
В в е д е н и е ........................................................................................................... |
|
определяющие |
ВАХ |
СПП |
при |
больших |
37 |
||||||||
.3.2. Физические |
эффекты, |
|
||||||||||||||
|
плотностях |
тока |
............................................................................................... |
|
заряда . . . |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Рекомбинация носителей |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
Электронно-дырочное |
р а ссеяни е................................................................... |
в |
слоях |
полупроводниковой |
40 |
||||||||||
|
Эффекты |
сильного |
легирования |
|
||||||||||||
|
структуры |
............................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
45 |
||
|
Снижение коэффициентов инжекции эмиттерных переходов струк |
50 |
||||||||||||||
|
туры .......................................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
3.3. Вольт-амперная характеристика СПП с резкими р-п переходами |
52 |
|||||||||||||||
|
Исходные |
уравнения |
и граничные |
условия . . . . |
|
. . |
52 |
|||||||||
|
Вольт-амперная характеристика структур |
при |
№ „/L > 2 |
|
|
54 |
||||||||||
|
Вольт-амперная характеристика структур |
при |
W„/L<1 |
|
тео |
63 |
||||||||||
|
О |
пределе |
применимости |
диффузионного |
приближения в |
68 |
||||||||||
|
рии ............................. |
ВАХ |
СПП |
|
|
|
|
|
|
..................................... |
||||||
|
Сравнение ............................................ |
теории |
с эк сперим ен том |
|
|
|
|
|
, , |
74 |
||||||
|
Заключение............................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
75 |
|||
3.4. Вольт-амперная характеристика силовых полупроводниковых при |
77 |
|||||||||||||||
|
боров с диффузионными р-п переходами |
. . . |
|
|
|
|||||||||||
|
Модель полупроводниковой структуры . . . . |
|
|
|
78 |
|||||||||||
|
Граничное условие для диффузионного р+-п перехода . |
|
|
80 |
||||||||||||
|
Вольт-амперная .....................................характеристика |
с экспериментом . . . . |
|
|||||||||||||
|
Сравнение полученных |
результатов |
|
|||||||||||||
3.5. Численное |
моделирование |
вольт-амперной характеристики |
сило |
|
||||||||||||
|
вых полупроводниковых ...................................................... |
приборов |
|
|
характеристики . |
|
89 |
|||||||||
|
Математическая |
модель |
вольт-амперной |
|
||||||||||||
2 7 8
Алгоритм решения фундаментальной системы уравнений полупро |
|
|||||||||||
водниковой |
структуры |
............................................................................. |
|
|
|
|
другими |
численными |
9Г |
|||
Результаты численного расчета, сравнение с |
|
|||||||||||
м о д е л я м и ......................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
96 |
|
Г л а в а ч е т в е р т а я . |
Статистическое |
моделирование характеристик |
си |
|
||||||||
ловых полупроводниковых |
приборов . |
................................... |
|
96 |
||||||||
4.1. В в е д е н и е .......................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
96 |
|
4.2. Статистический метод вывода вольт-амперной характеристики не |
|
|||||||||||
однородного прибора |
большой |
п л о щ а д и |
.......................................... |
|
|
|
||||||
4.3. Основные типы задач, возникающие |
при |
|
проектировании СПП |
106 |
||||||||
Учет разброса исходных параметров при синтезе полупроводнико |
|
|||||||||||
вой структуры |
.................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
106 |
||
Обоснование требований к качеству кремния и уровню техноло |
|
|||||||||||
гического процесса .......................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
105. |
|||
Учет разброса исходных параметров при анализе характеристик |
106- |
|||||||||||
СПП . . |
|
........................................................................................... |
||||||||||
Г л а в а п я т а я . Моделирование |
нестационарных |
тепловых процессов. |
106 |
|||||||||
Ударные токи и токи аварийной перегрузки................................................ |
|
|
|
|
||||||||
5.1. Модель для расчета температуры кремниевой структуры . |
|
ют |
||||||||||
5.2. Расчет |
токов |
аварийной перегрузки и ударных токов . |
|
116 |
||||||||
Г л а в а ш е с т а я . |
Моделирование |
переходного процесса выключения |
ти |
|
||||||||
ристоров. |
Быстродействующие |
и |
комбинированно-выключаемые |
ти |
116 |
|||||||
ристоры ........................................................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6.1. Быстровключающиеся, быстровыключающиеся и быстродействую |
116 |
|||||||||||
щие т и р и с т о р ы ............................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
6.2. Переходный процесс выключения тиристора |
по цепи анод — катод |
122. |
||||||||||
6.3. Комбинированно-выключаемый |
тиристор |
и |
переходный процесс |
132* |
||||||||
его в ы к л ю ч е н и я ............................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Г л а в а с е д ь м а я . |
Моделирование переходного |
процесса |
выключения |
139- |
||||||||
тиристоров, проводящих в обратном направлении ............................ |
|
|
||||||||||
7.1. Асимметричные тиристоры и тиристоры-диоды................................... |
|
|
139 |
|||||||||
7.2. Переходный процесс выключения асимметричного тиристора . |
|
146 |
||||||||||
7.3. Переходный процесс выключения тиристора ............................-диода |
|
|
152; |
|||||||||
Г л а в а в о с ь м а я . |
Примеры |
проектирования |
и |
расчета силовых тири |
|
|||||||
сторов ......................................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8.1. Пакет прикладных программ для автоматизированного проектиро |
156 |
|||||||||||
вания силовых тиристоров П Р О Т И ................................... |
|
|
|
. . |
||||||||
Назначение и возможности пакета программ ПРОТИ . |
|
156 |
||||||||||
Состав |
пакета |
ПРОТИ |
данных |
............................... |
|
. |
. . |
|
159 |
|||
Подготовка |
исходных |
|
|
165 |
||||||||
Пример |
р а с ч е т а ............................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
166 |
||
8.2.Пакет прикладных программ для расчета статических характери стик тиристоров с учетом разброса электрофизических и геомет
рических параметров структуры («Тиристор-статистика») . |
167 |
Состав ППП «Тиристор-статистика» . |
169 |
Подготовка исходных данных и расчет . . . |
Ча с т ь в т о р а я
АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Г л а в а д е в я т а я . |
Проблемы автоматизации |
проектирования силовых |
|
||
полупроводниковых |
приборов . . |
. . |
. . . . |
172" |
|
9.1. Общие сведения |
о С А П Р ............................................................................. |
|
172* |
|
|
9.2. Характеристика |
силовых полупроводниковых приборов и процес |
176 |
|||
са их проектирования . . . . . . |
.......................................... |
||||
9.3. Требования к |
САПР СПП и основные |
принципы ее |
построения |
179 |
|
2 7 9
Г л а в а д е с я т а я . |
Математическое обеспечение автоматизированного |
|
проектирования |
силовых полупроводниковых приборов . . . |
186 |
10.1.Математическая модель предметной области САПР СПП . . . 187
10.2.Математическое обеспечение двухэтаппой процедуры оптимизации
проектных |
р е ш е н и й .................................................................................................. |
|
|
|
191 |
|
10.3. Математическое обеспечение процедуры анализа |
и оптимизации |
|
||||
д о п у с к о в ......................................................................................................................... |
|
|
|
|
|
205 |
10.4. Математическое обеспечение автоматизированной обработки дан |
214 |
|||||
ных и построения |
эмпирическихм о д е л е й ....................................................... |
|
|
|||
10.5. Формализация и представление в ЭВМ модели предметной обла |
224 |
|||||
сти САПР . . . . |
|
|
|
|||
Г л а в а о д и н н а д ц а т а я . |
Программное |
обеспечение автоматизирован |
|
|||
ного проектирования силовых полупроводниковых приборов |
. . . |
228 |
||||
11.1. Диалоговая система принятия оптимальных решений ДИСПОР |
229 |
|||||
11.2. Подсистема |
автоматизированного |
технологического |
проектиро |
249 |
||
вания СПП |
А Н О Д ............................................................................ |
|
|
|
||
11.3. Подсистема |
автоматизации научныхисследований |
ПАНИ |
259 |
|||
Список литературы . |
|
. |
. |
|
|
269 |
Производственное издание
ГРИГОРЕНКО ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ ДЕРМЕНЖИ ПАНТЕЛЕЙ ГЕОРГИЕВИЧ КУЗЬМИН ВАДИМ АРКАДЬЕВИЧ МНАЦАКАНОВ ТИГРАН ТИГРАНОВИЧ
Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводйиковых приборов
Редактор |
И. М. К о р о н е в с к и й |
|
||||
Редактор издательства |
Н. Б. Ф о м и ч е в а |
|||||
Художник |
переплета |
Е. В. В о л к о в |
|
|||
Художественные |
редакторы |
В. А. Г о з а к-Х о з а к, |
||||
|
Г. И. П а н ф и л о в а |
|
|
|||
Технический |
редактор О. Д. К у з н е ц о в а |
|||||
|
Корректор 3. |
Б. |
Арановская |
|
||
|
|
ИБ |
№ |
1070 |
|
|
Сдано в набор 23.03.8& |
Подписано и печать 03-03.88 |
Т-ПС99 |
||||
Формат 60X90*/,, |
Бумага офсетная .V: 2 |
Гарнитура |
литературная |
|||
Печать высокая |
Уел. печ. л |
17,5 |
Уел. |
кр .-отт. 17,5 |
||
Уч.-иэд. л. 20,66 |
Тираж |
4100 экз. |
Заказ 0393 |
Цена 1р.40к. |
||
Эисргоатомиздат. 113114 Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10
Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамеин МПО «Первая Образцовая типография имени А. А. Жданова» Союзполиграфпрома при Госкомиздате СССР. 113054 Москва, Валовая, 28