книги / Релятивистские многоволновые СВЧ-генераторы
..pdfРис. 2.7. Схема коак- |
Рис. 2.8. Время запаздывания появления сигнала |
спального диода. |
с зондов, расположенных на расстоянии s от места |
|
поджига. |
лись зонды из тонкой медной проволоки, которые устанавливались па одном уровне с катодом и на расстоянии s от места поджига. На диод подавался прямоугольный импульс напряжения длитель ностью до 1,3 мкс и амплитудой до 30 кВ. Одновременно на под жигающий электрод подавался импульс длительностью 5 нс и та ким образом фиксировалось место образования первичного КФ. Выяснилось, что новые КФ образуются практически только во вре мя высоковольтной стадии вакуумного разряда и последовательно размножаются в направлении силы Ампера. С помощью зондов
определялось время запаздывания т3 взрывной |
эмиссии с |
зонда |
(рис. 2.8) и потенциал плазмы в данных точках |
катода. Из |
зондо- |
вых измерений и фотографий плазмы следует, что скорость движе ния границы образования КФ составляет (0,5— 2) •106 см/с и не зависит от магнитного поля 2? = 2— 10 кГс.
Полученные результаты позволили авторам [159] предложить механизм образования новых КФ в магнитном поле. Плазма, выте кающая из первоначального эмиссионного центра, дрейфует по ази муту вдоль катода со скоростью, достигающей 2 •106 см/с [161]. Из-за неравномерности поступления материала катода в плазму [105] в ней возникают разрывы и потенциал периферийной обла сти КФ может достигать единиц киловольт. При повышении по тенциала плазмы над данным участком катода на нем возникает ВЭЭ и образуется новый катодный факел. Последующие КФ обра зуются эстафетно от предыдущих.
Эксперименты [160] проводились в КДМИ с неоднородным
магнитным |
полем, имеющим пробочное отношение |
к = 6,7. |
Ис |
|||
пользовался тонкостенный (hl{ = |
0,1 мм) трубчатый катод из |
нер |
||||
жавеющей |
стали. На диод с межэлектродным |
зазором |
d = 8 см |
|||
подавался |
импульс напряжения |
длительностью |
ти = |
1 |
мкс, |
тф=■ |
= 0,3 мкс и амплитудой U = 1,6 |
МВ. Динамика размножения |
КФ |
исследовалась с помощью анализатора, который устанавливался в трубе дрейфа в области однородного магнитного поля. Основным элементом анализатора был графитовый конус с радиальными раз резами различной ширины. Длина щелей вдоль магнитного поля
Рас. 2.9. Осциллограммы полного тока пучка (а), тока за щелью ши риной 2,5 (б) и 4 мм (в).
была больше шага ларморовской спирали. Конус служил коллекто ром для основной части тока пучка /*. Для регистрации тока за щелью / к использовались специальные графитовые коллекторы. Эффективная ширина щели /эф определялась как разность между поперечным размером щели и диаметром ларморовской окружности.
Осциллограммы коллекторного тока IK(t) не повторяли по фор ме импульс тока пучка h {t ), на них наблюдаются всплески разной интенсивности с периодом 100— 180 нс (рис. 2.9). Это свидетель ствует о том, что в пучке существуют азимутальные уплотнения тока (струи), причем они сохраняются на протяжении всего им пульса. Из сравнения максимальных токов в струях в различные моменты времени можно оценить динамику изменения числа струй в пучке. Если число струй со временем увеличивается, то средний ток струи должен падать, т. е. при t2 > i\
/ b ( f e ) / / Km a x ( f e ) > Ib(tl)JIxma(ti), |
( 2 .1 6 )' |
где I к max (Z1), / к max (£2) — максимальные токи, измеренные |
за щеля |
ми с одинаковой /оф. Поскольку размер струи неизвестен, число струй из этих измерений найти нельзя. Однако можно определить
угеличение числа струй в момент времени |
относительно t\ из со |
|
отношения |
|
|
Л Г = /Ктах(^ )/*^ 2)/[/к тах(^ )/ь(^ )]. |
(2.17) |
Из результатов, полученных по этой методике, следует, что число струй увеличивается практически только в первые 200—300 нс, т. е. на переднем фронте импульса напряжения. Число струй ра стет примерно линейно с увеличением магнитного поля в иссле дованном диапазоне Вп — 1,2—4,2 кГс (рис. 2.10). По автографу
пучка при ти ~ |
ы 0,3 мкс было найдено, что число струй в пуч |
ке при 5 К= 1 ,8 |
кГс равно 20— 25. При этом расстояние между |
КФ — 1,5— 2 см. |
|
Полученная совокупность экспериментальных результатов по зволяет сделать два основных вывода. Во-первых, нет универсаль ной зависимости линейной плотности КФ на катоде (расстояния между КФ) от магнитного поля. Она зависит как от магнитного поля на катоде, так и от материала катода и скорости нарастания напряженности электрического поля на катоде. Во-вторых, в силь ных электрических полях, достаточных для возбуждения ВЭЭ, чис ло КФ практически полностью определяется эффектом экраниров ки, а размножение КФ вследствие подхвата под плазмой [159] несущественно и играет дополнительную роль.
2.5.2.Характеристики катодной плазмы
вмагнитном поле
Характеристики плазмы, образующейся на катоде при ВЭЭ в
магнитном поле, |
исследовались как в |
КДМИ [124, 156, |
162], так |
и в вакуумных |
линиях с магнитной |
самоизоляцией |
[163, 164]. |
Массовый состав плазмы определялся из спектральных измерений
свечения плазмы в |
диапазоне |
200— 700 нм как интегральных за |
время разряда [124, |
156], так |
и с временным разрешением [163, |
164]. Концентрация плазмы измерялась с помощью лазерной ин терферометрии [156, 162], шлирен-фотографии [163], голографии [164] и по штарковскому уширению линий водорода [124, 156]. Минимальная концентрация плазмы в используемых методиках со ставляла 1015 -г- 1016 см-3, пространственное разрешение ^ 0,1 мм. Температура плазмы вычислялась [163] по относительной интен сивности свечения спектральных линий в предположении локаль
ного |
термодинамического |
равновесия. |
Эксперименты |
проводились |
||||||||
при |
наносекундных |
(< 100 |
нс) |
[124, |
163, 164] |
и микросекундных |
||||||
(< 5 |
мкс) |
[156, 162] |
длительностях импульса |
напряжения ампли |
||||||||
тудой |
U = 0,2 -f- 2 МВ. При сравнении результатов, полученных |
в |
||||||||||
различных |
экспериментальных |
условиях, параметром |
может |
слу |
||||||||
жить |
линейная плотность |
тока |
/ л = //(2 я гк) (ток на |
единицу |
дли |
|||||||
ны периметра катода). В КДМИ ток I |
соответствует току пучка |
|
||||||||||
в линиях |
с |
магнитной самоизоляцией — току, |
передаваемому |
по |
||||||||
линии. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
В |
[156] |
спектральные исследования свечения плазмы прово |
дились с использованием катодов из графита, алюминия и меди. Полученные спектрограммы указывали на присутствие в плазме
как материала катода |
(АН, |
A 1II, А Н Н , Cul, C u ll), |
так |
и десорби |
||
руемого газа |
и продуктов |
крекинга |
углеводородов |
(На,э,т, CI, СИ, |
||
С2 — система |
Свана, |
СН — система |
430,0 нм), причем |
интенсив |
ность свечения последних значительно превышала интенсивность линий металла и была практически одинаковой для всех катодов (С, А1, Си). При фотометрировании в аксиальном направлении
(рис. 2.11, а) |
отчетливо виден пик излучения на кромке катода. |
||
В радиальном |
направлении (рис. 2.11, б) интенсивность линий ме |
||
талла |
(Cul, Cull) |
более резко спадает внутрь промежутка, чем |
|
линий |
С2, Нр, |
СН. |
Последнее может быть обусловлено различием |
Рис. 2.11. Продольное (а) и поперечное (б) распределения интенсивности ли ний Cul 1521,8 нм (7), Cull 490,9 нм (!'), Нр 458,0 нм (2), С2 516,5 нм (5),
С II 558,9 нм (4) (гК)= ' 3,2 см, ти = 3 мкс, В = 5,1 кГс/, U = 230 кВ).
в механизмах разлета плазмы поперек и вдоль магнитного поля. Для графитового катода наиболее интенсивны линии На и СП 657,8 нм [124]. Причем интенсивность линии На (концентра
ция излучающих атомов) существенно различалась от импульса к , импульсу при постоянной плотности электронов. Для воспроизводи мости результатов в диод напускали водород, который адсорбиро вался иа поверхности графитового катода в течение нескольких минут, а затем диод откачивался до рабочего вакуума. Данные экспериментальные результаты также указывают на важную роль ионизации десорбируемого с катода газа в формировании прикатодной плазмы.
В спектре прикатодной плазмы при исследованиях с времен ным разрешением [164] во время высоковольтной стадии вакуум ного разряда наиболее ярки водородные линии На и Нр. После окончания импульса высокого напряжения длительностью ти = 70 нс плазма излучала еще более чем 100 нс. В этот период регистриро вались многие линии нейтралов и молекулярные полосы, особенно углеродные. Это позволяет предполагать, что полосы С2, СН [156] соответствуют низковольтной стадии вакуумного разряда в КДМИ. Отметим также, что на катоде из нержавеющей стали зарегистри ровано свечение ионов углерода, кислорода, кремния во время вы соковольтного импульса напряжения [163].
Проведенные исследования показали, что плотность плазмы увеличивается в течение импульса и практически линейно растет с током. Так, изменение линейной плотности тока от 4 до 0,5 кА/см (ти = 4 0 нс) при изменении индукции магнитного поля от нуля до 14 кГс привело к уменьшению плотности плазмы вблизи катода
иа порядок (от |
1,8 •1017 до 1,4 •1016 см“3) |
[124]. Плотность |
плаз |
||||
мы у катода в |
КДМИ |
при / л ^ 0,3 кА/см |
достигает п ^ 1016 |
см“3 |
|||
через 3 мкс от начала импульса |
напряжения i [162]. При линейной |
||||||
плотности тока |
/ л — 0,1 |
кА/см |
плотность плазмы т г< 1 0 15 |
см-3 в |
|||
течение всего импульса |
ти ~ 3 мкс [156]. При относительно |
боль |
|||||
шой / л = 5 — 10 |
кА/см и Ти = 50— 70 |
нс плотность плазмы |
вблизи |
||||
катода равна (0,5—4) •1016 см“3 |
[163, |
164] |
и спадает на |
порядок |
|||
на расстоянии |
^ 1 мм |
от катода. При микросекундных длитель |
|||||
ностях импульса напряжения плазма плотностью 2 •1015— 1016 |
см-3 |
представляет собой трубку с толщиной стенки 2 — 3 мм, вытянутую вдоль неоднородного магнитного поля [162]. Такая геометрия ка тодной плазмы также указывает на различный характер ее рас ширения поперек и вдоль магнитного поля.
Сравнение спектроскопических данных для алюминиевого ка тода в диоде без магнитного поля [96] и в КДМИ [156] показало наличие одних и тех же линий алюминия. Это позволило предпо ложить, что температура катодной плазмы в КДМИ не превышает 5 эВ [156]. Специальные измерения [163] температуры катодной плазмы в коаксиальной линии с магнитной изоляцией дали вели чину кТ ^ 2 эВ.
Проведенные различными авторами исследования позволяют сделать следующие основные выводы. Плазма на катоде состоит как из материала катода, поступающего из эмиссионных центров при ВЭЭ, так и из десорбированного газа и продуктов крекинга масла, используемого при получении вакуума в диоде. Причем за метную часть плазмы, или даже основную, может составлять во дород. Плотность плазмы вблизи катода в широком диапазоне ус ловий эксперимента ( /л = 0,1— 10 кА/см) составляет 1015— 1016 см~3 и быстро спадает внутрь разрядного промежутка. Плазма с высокой плотностью лг = 1018— 1020 см-3, необходимой для самоподдержания ВЭЭ, сосредоточена вблизи катода на расстоянии менее 0,1 мм.
Температура катодной плазмы составляет кТ ~ 1 эВ. Давление |
маг |
|
нитного поля в КДМИ |
(В ~ 104 Гс) существенно превосходит |
дав |
ление катодной плазмы |
(Б2/8я > пТ) уже на расстоянии 0,1 |
мм |
от катода. |
|
|
2.6.ВАКУУМНЫЙ ПРОБОЙ И ДВИЖЕНИЕ КАТОДНОЙ ПЛАЗМЫ
ВКДМИ С ОДНОРОДНЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ
2.6.1. Методы измерения скорости разлета катодной плазмы
Привлекательной особенностью КДМИ, как уже отмечалось, яв ляется возможность получения трубчатых РЭП с запасаемой энер гией в сотни килоджоулей вследствие увеличения длительности им
пульса тока пучка. Для определения причин ограничения ти в КДМИ необходимо было выяснить роль в вакуумном пробое диода катодной и анодной плазмы, коллекторной плазмы, образующейся при посадке пучка на коллектор (см. рис. 2.5), а также остаточ ного газа.
Вторым направлением исследований физики плазменных про цессов в КДМИ является изучение динамики разлета катодной плазмы в магнитном поле с целью выяснения механизма ее дви жения. Динамика разлета катодной плазмы определяет геометрию, плазмокатода и, следовательно, пространственно-временные харак теристики формируемых РЭП.
Наиболее детально [165— 167] исследовались плазменные про цессы в цилиндрическом КДМИ с однородным магнитным полем (см. рис. 2.4, б)\ Поэтому удобно рассмотреть физические явления в КДМИ на примере простой геометрии, а затем перейти к их осо бенностям в КДМИ более сложной геометрии.
Наиболее распространена [156, 168] методика измерения ра диальной составляющей скорости движения катодной плазмы по перек магнитного поля иР± по расширению электронного пучка, ре гистрируемого системой коллекторов (токовых датчиков), установ ленных в конце трубы дрейфа (рис. 2.12). При этом предполага ется, что электроны пучка идут строго по силовым линиям маг нитного поля и переносят изображение плазмы. В большинстве случаев это приближение выполняется, за исключением начальной стадии формирования пучка при мегавольтных напряжениях на диоде [150]. Назовем эту методику измерения vPJL коллекторной. Используются разные модификации метода, в том числе с регистра цией электронов пучка по рентгеновскому излучению [127]. Зна чение vP_L оценивается также по фотографиям свечения плазмы, получаемым в разные моменты импульса с помощью электронно оптических преобразователей [131, 155]. Фотоэлектрическая мето дика [169] позволяет измерять скорости разлета слоев плазмы с разной интенсивностью свечения (плотностью). Минимальный све
товой |
поток, регистрируемый ФЭУ, |
составлял |
JPO— 1 •Ю“5 |
лм, |
а максимальный — F ^ 4 •104 Fo лм [169]. |
|
|
||
Азимутальная составляющая скорости катодной плазмы vp* |
||||
обычно |
определяется по фотографиям |
свечения |
плазмы либо |
по |
Рис. 2Л2. Схема эксперимента по регистрации скорости разлета плазмы.
1 — катод; 2 — катодная плазма; 3 —
анод |
(труба |
дрейфа); 4 — электрон |
|
ный |
пучок; |
5 — емкостные датчики; |
|
6 — коллектор; |
7 — токовые датчики; |
||
g — окна для |
оптической и СВЧ-ди- |
||
|
агностики; 9 — соленоид. |
литографам' пучка на чувствительной полимерной пленке, получен ным при разных длительностях импульса напряжения на диоде [161]. В последнем случае предполагается, что скорость азимуталь ного вращения пучка мала. Она легко оценивается, а также из меряется по нескольким автографам пучка, полученным вдоль его распространения, для профилированного каким-либо способом катода.
Скорость движения катодной плазмы вдоль магнитного поля vn измерялась с помощью фотоэлектрической методики [146, 168], СВЧ-интерферометрии [170], емкостных делителей напряжения
[146].При использовании СВЧ-интерферометра 8-мм диапазона
[170] |
можно |
было регистрировать концентрации |
плазмы п ^ |
^ Ю 11 |
см-3, |
что позволяло проследить движение |
периферийных |
слоев с низкой концентрацией. С помощью емкостных делителей напряжения, установленных вдоль трубы дрейфа, обычно измеряют разность потенциалов между электронным пучком и трубой дрейфа А и ь (2.8), которая меньше приложенного к диоду напряжения. При подходе катодной плазмы к емкостному делителю амплитуда сигнала на нем возрастает до значения, соответствующего напря жению на диоде. По перегибу на осциллограмме сигнала с емко стного датчика определяют время подхода к нему плазмы, пере носящей потенциал катода. Характерные осциллограммы сигналов с ФЭУ и емкостных делителей напряжения приведены на рис. 2.13 [146].
Скорость распространения коллекторной плазмы вдоль магнит
ного |
поля измерялась с помощью фотоэлектрической методики |
[146] |
и СВЧ-интерферометрии [170]. |
Несмотря на относительно небольшое количество используемых методик, в экспериментах удалось выделить роли катодной и кол лекторной плазмы в пробое диода, а также проследить динамику разлета катодной плазмы поперек и вдоль магнитного поля.
2.6.2. Вакуумный пробой КДМИ поперек магнитного поля
Для характеристики пробоя КДМИ поперек однородного маг нитного поля будем использовать время коммутации £„±, определяе мое по длительности импульса диодного напряжения на уровне 0,1 от амплитудного значения (см. рис. 2.13,6) [156, 161, 169]. В эк спериментах осуществлялся постоянный контроль за тем, чтобы пробой развивался именно поперек магнитного поля. Другие кана лы развития разряда устранялись, в частности, увеличением рас стояния от катода до коллектора. Все исследования проводились
при В > Вкр. |
|
|
|
|
Давление |
остаточного газа |
в пределах (l-r-9 )* |
10~3 Па не ока |
|
пывает влияния на величину |
th-j_ (рис. |
2.14) [169]. Время комму |
||
тации уменьшается на 10 % |
при р ^ |
2 •10~2 Па |
и практически |
|
вдвое при р « |
0,2 Па. |
|
|
|
а
Рис. 2.15. Зависимости времени запаздывания появления катодной плазмы от
расстояния ПО |
радиусу для трубчатых катодов из графита для d = 2,6 (-7), |
F |
1,45 см (2 ) и алюминия для d = 2,6 см (3). |
2 = 1 8 кГс; *к_1: — времена коммутации.
Для выяснения роли катодной плазмы в пробое поперек маг нитного поля проводились [156, 169] измерения t1<± и времени за паздывания появления катодной плазмы в различных точках по радиусу вплоть до анода с помощью коллекторной методики. Для
трубчатых катодов |
из графита и алюминия (рис. 2.15) |
пробой по |
перек магнитного |
поля развивается при подходе катодной плазмы |
|
к аноду [169]. До |
коммутации диода регистрировался |
ток на анод |
порядка 10 % от тока пучка. Время задержки тока на анод умень шалось с уменьшением межэлектродного зазора d и составляло для тока 150 А величину ~ tKJ 2 при d = 0,65 см. В этих условиях ско рость катодной плазмы vp±, усредненная по большей части зазора, и скорость коммутации диода d/tK± совпадают в пределах погреш ности измерений. Таким образом, анодная плазма, которая может образовываться при попадании электронов на анод, не оказывает существенного влияния на пробой диода. Аналогичные результаты получены для КДМИ с торцевыми катодами из графита и меди [156]. Следует отметить, что dJtK± в цилиндрическом КДМИ слабо
зависит от материала катода |
(С, А1, |
Си). Различие |
их значений |
не превышает 20 % (см. рис. 2.15). |
|
|
|
Дополнительным подтверждением определяющей роли катод |
|||
ной плазмы в пробое диода |
являются |
эксперименты |
[161], в ко |
торых изменение геометрии катода при прочих равных условиях
привело |
к |
изменению |
величины |
d,/tK_L. |
Так, |
при |
d — 6 мм, |
17 = |
|||||||
= |
300 |
кВ, |
5 ^ 10 |
кГс |
для |
торцевого |
катода |
dJtK± ^ |
5 •105 |
см/с, |
|||||
а |
для |
острийного |
d/tK± < 2 •105 см/с. Для |
острийного |
катода |
(d = |
|||||||||
= |
3 мм, |
5 |
= 12 кГс) |
d/tK± зависит также |
от |
его |
материала: |
|
|||||||
|
|
|
|
Материал |
|
Al |
W |
Mo |
Си |
С |
|
|
|
||
|
|
|
|
d/tK±y |
105 см/с |
2,3 |
2,6 |
2,7 |
3,6 6,6 |
|
|
||||
|
Как |
показали |
спектральные |
измерения (см. |
разд. 2.5.2), |
ка |
тодная плазма в цилиндрическом КДМИ состоит в основном из ионизованного десорбированного газа. Поэтому представляют инте рес исследования пробоя диода с катодом, нагретым до температу
ры, |
достаточной |
для удаления основной части адсорбированного |
||
на |
поверхности |
катода газа и пленки масла |
[156]. Катод |
из тан |
таловой фольги |
прогревался 20 -г- 30 мин при |
температуре |
1400 °С. |
Импульс напряжения подавался на диод без снятия накала катода. Массовый состав катодной плазмы на нагретом катоде не контроли ровался, но известно [171], что при такой температуре поверхность тантала является практически чистой. Нагрев катода до 1400 СС при d = 6 мм, 5 = 6 кГс не привел к изменению tK±. Полученные данные позволяют полагать, что пробой диода обусловлен собствен но катодной плазмой, а не движением фронта ионизации газа, де сорбированного с катода в сторону анода.
Рассмотрим влияние магнитного поля, напряжения, зазора, то ка, радиуса катода на время пробоя диода поперек магнитного по ля, обусловленное, как показано выше, разлетом катодной плазмы. В характерных зависимостях £Kj_ от магнитного поля для графито вого трубчатого катода при d = 0,37 -f- 2,6 см и гк = 3,0 см
Рис |
2.17. |
Зависимость |
d/tH± * от |
магнитного |
поля, построенная |
||
|
по данным рис. 2.16. |
||
Рис. |
2.16. |
Зависимость |
времени |
коммутации диода поперек маг |
нитного поля tK± от магнитного поля для графитового трубчатого
катода.
1 — d — 2,6 |
см; U = 190 кВ; |
2 — d — |
||
= 1,45 |
см, |
U = 190 |
кВ; |
3 — d — |
— 0,65 |
см, |
U — 140 |
кВ; |
4 — d = |
= 0,37 |
см, |
U — 90 |
кВ; штриховые |
линии — расчет.
(рис. 2.16) можно выделить три области [169]. В первой области ^K_L растет примерно линейно с увеличением магнитного поля, вторая область соответствует слабой зависимости tvjL от В, а в третьей tKjL уменьшается с ростом В. Границы указанных областей с умень шением зазора d смещаются в сторону более сильных магнитных полей. Так, на графиках tK±(B) при d = 0,37 см отсутствует третья область, а при d = 2,6 см — первая область. Из графиков dJtK±(B)
Рис. 2.18. Зависимость времени |
Рис. 2.19. Зависимость времени комму |
||||||||||
коммутации |
диода поперек |
магнит |
тации |
диода поперек магнитного поля |
|||||||
ного |
поля |
от напряжения |
на |
нем |
ti<± от |
тока пучка h |
при постоянном |
||||
при |
постоянном |
токе |
пучка |
h = |
|||||||
|
напряжении U = |
240 кВ. |
|||||||||
|
|
= 0,9 кА. |
|
|
|
|
|||||
d = 0,5 |
|
|
|
|
В = |
24 КГс; гк = 2,0 |
см; |
d = 0,5 см. |
|||
см, В = 24 |
кГс; |
сплошная |
ли |
||||||||
ния — расчет, точки — эксперимент. |
|
|
|
|