Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

.pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
23.3 Mб
Скачать

именуемые как внутризоиные и межзонные переходы. В пере­ ходах первого типа участвуют свободные электроны, т. е. те, ко­ торые определяют проводимость металлов. При межзонных пе­ реходах электроны совершают прыжки из одной энергетической зоны в другую.

Оптические свойства материалов удобно обсуждать, поль­ зуясь комплексной диэлектрической проницаемостью &, кото­

рую мы определим следующим образом:

е = е, — is2= Я2 = (n — ikf.

Комплексная диэлектрическая проницаемость обладает полез­ ным свойством, на которое обратили внимание Эренрайх и Фи­ липп [4]: вклады, вносимые в нее внутризонными и межзонными переходами, просто складываются. Обозначим вклад межзон­ ных переходов через е<ь>. Тогда комплексную диэлектрическую проницаемость металла можно представить в виде е = е</> + е(Ь)> где — вклад «свободных» электронов в диэлектрическую про­ ницаемость.

Дисперсионная формула для внутризонных переходов была установлена Друде в начале века. Она была получена путем чисто классического рассуждения, в котором электроны прово­ димости считаются свободными частицами с массой пг и заря­ дом е, ускоряемыми электрическим полем падающей волны и

испытывающими действие тормозящей силы, пропорциональной их скорости; эта сила обеспечивает также конечную электро­ проводность. В сущности все обстоит так, как если бы статиче­

ская проводимость Ое была

заменена

зависящей

от

частоты

«оптической»

проводимостью

его = ае/(1+/шт), где

т — время

релаксации

электронов проводимости,

т. е. интервал

времени

между двумя последовательными соударениями с какими-либо

несовершенствами кристаллической решетки

фононами,

или

с колебаниями решетки, либо со статическими дефектами).

 

Уравнение Друде можно написать в виде

 

 

 

в<п =

1 -

{(АЛо)7[1 “

i ( W ] } =

 

 

 

=

1 -

{ ( W И +

I (ЯА,)]/[1 +

W

2]}.

(1)

Здесь использованы две характеристические длины волн: плаз­ менная длина волны Лю= {с2ят0/псе2)'1а и Л,т = 2яст. Величина то называется «оптической массой» и может отличаться от мас­

сы электрона; лс есть концентрация электронов проводимости. Выбор названия для Люсвязан с тем, что электроны проводимо­ сти, образующие вырожденный газ, совершают продольные плазменные колебания с соответствующей частотой сор. Более подробно этот вопрос будет обсужден позднее. Для металлов величина Ло ~ 0,1 мкм. Если значения т, получаемые из

измерений статической электропроводности и из оптических измерений, одинаковы, то можно показать, что (в электростати­ ческих единицах)

се = (с/2){ХхЩ)

или

1/огв = 6000 (Щкх) мкОм • см,

если Ло и Хх выражены в микронах. При комнатной температуре удельное электрическое сопротивление рв = 1/ае большинства

металлов порядка нескольких мкОм-см, так что Яг~ 10 мкм. По­ рядки величин Ло и необходимо знать, так как они являются

характеристиками металла. Для полуметаллов и полупроводни­ ков Яо может лежать в инфракрасной области в зависимости от пс и то. В настоящее время твердо установлено, что Яо почти не

зависит от изменений температуры. Поскольку мы показали, что длина Ят пропорциональна электропроводности, очевидно, что Ят будет заметно изменяться с температурой Т и принимать

очень большие значения при низких температурах. В действи­ тельности ситуация является более сложной: при очень низких температурах, где Ят возрастает гораздо медленнее, чем ае, эта

пропорциональность нарушается. На это обстоятельство впер­ вые указал Холстейн [5]; позднее его очень подробно обсуждал Пиппард [6]. Эксперименты на свинце, проведенные при комнат­ ной температуре и температурах жидкого азота и жидкого ге­ лия, подтверждают это положение [7]. Если Ят(7') есть значение релаксационой длины волны при температуре Т, превышающей

дебаевскую температуру 0 D (которая для большинства метал­ лов составляет несколько сотен градусов Кельвина), то при 0К Х-с(О) = (57'/20с)Ят(Г). Таким образом, значение Ят при очень низких температурах не может более чем втрое превышать зна­ чение для комнатной температуры и очень редко превосходит 100 мкм.

Кратко обсудить ту часть диэлектрической проницаемости, которая обусловлена межзонными переходами е(Ь>(со), не совсем просто, поскольку она может обладать самой различной частот­ ной зависимостью и принимать самые разные значения. В види­ мой и ближней ультрафиолетовой областях она обычно порядка нескольких единиц. В дальней ультрафиолетовой области вели­ чины п и к довольно малы, и по этой причине большинство ме­

таллов в этой спектральной области имеет низкую отражатель­ ную способность. Межзонные переходы возникают при некото­ рой минимальной частоте, которая является характеристикой электронной структуры металла. Для меди и золота эта мини­ мальная частота расположена в видимой области, для сере­ бра— в ближней ультрафиолетовой области, для большинства других металлов, за исключением щелочных, — в инфракрасной

области. В инфракрасной области внутризонные переходы го­ раздо важнее межзонных, и поэтому п и k принимают здесь

большие значения.

При рассмотрении монокристаллов нужно помнить, что ди­ электрическая проницаемость е должна быть тензорной вели­ чиной. Получить моиокристаллические пленки оказывается довольно трудно (по краней мере в случае металлов с некуби­ ческой симметрией), и потому свойства таких пленок будут об­ суждены лишь в общих чертах.

III.

ФОРМУЛЫ д л я тонких ОДНОРОДНЫХ

И

ИЗОТРОПНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Ради полноты изложения ниже приводятся формулы для тонких металлических или поглощающих пленок. Они хорошо известны, и мы придадим им форму, удобную для составления программы для ЭВМ. Следует отметить, что против этих фор­ мул активно выступал Васичек, утверждая, что они не удовле­ творяют условию сохранения энергии. В своей книге «Оптика тонких пленок» [8] он приводит видоизмененные выражения для коэффициентов отражения, пропускания и т. д. По нашему мне­ нию, его точка зрения неверна, и большинство физиков сегодня пользуются выражениями, приведенными ниже. Однако, по­ скольку его «Оптика тонких пленок» пока что широко исполь­ зуется, такое предостережение представляется нам необходи­ мым. Для тех, кто интересуется трудностями, с которыми столкнулся Васичек, укажем статью Фрагштейна [9J, где можно также найти ссылки на литературу по этому вопросу.

1. ОПРЕДЕЛЕНИЯ и ОБОЗНАЧЕНИЯ

Мы будем иметь дело главным образом с отдельными пленхами. Их комплексный показатель преломления обозначим че­

рез Я = ti — ik — e'!t, а показатель преломления

подложки —

через

ns = n3 — iks. Среду, в которой распространяется падаю­

щая

волна, будем характеризовать вещественным

показателем

преломления щ. Следует отметить, что явно вводить п0 необя­

зательно, так как все наблюдаемые величины будут функциями отношений п1п0 и ns/n0. Удобно, однако, явно ввести п0 в фор­

мулы, поскольку в этом случае они оказываются симметрич­ ными относительно показателей преломления.

При наклонном падении будем обозначать углы отражения в средах с показателями преломления п0, п и п„ соответственно

через ф0, ф и ф5. Эти углы связаны между собой законом пре­ ломления

Поsin фо= Я sin ф = ns sin <ps.

Если п и пг— комплексные величины, то углы фиф* также бу­

дут комплексными, не имеющими простого и наглядного физи­ ческого смысла.

Часто встречается также безразмерная величина т] = 2ndjK, где d — толщина слоя.

Плоскую волну произвольной поляризации всегда можно представить как результат линейной суперпозиции двух плоскополяризованных волн, одна из которых поляризована в плоско­ сти падения (p-волна), а другая — в направлении, перпендику­ лярном к этой плоскости (s-волна), с сответствующим сдвигом фаз между ними. Поэтому достаточно привести результаты для s- и p-волн. При наклонном падении волна характеризуется адмиттансом, или эффективным показателем преломления.

Для плоской волны, электрический вектор которой перпен­ дикулярен плоскости падения, эффективный показатель прелом­ ления равен 7 = Я cos ф. Удобно ввести обозначение

Y — fi cos ф= р — iq,

где р и <7— решения следующей системы уравнений:

р2— q2 — п2k2 — п\ sin2ф0| pq = nk.

Если электрическое поле падающей волны параллельно плоско­ сти падения (р-поляризация), эффективный показатель прелом­ ления равен 1 = ra/cos ф. Если положить Z = А iB, то

А = Р I1+ Кsin2 Фо/(Р2 + ?2)]}>

В = q (1 — \п\ sin2Ф0/(р2+ <72)]}.

Величины, относящиеся

к подложке, отмечаются индексом s,

т. е. обозначаются через

ps, qs, А3 и Bs.

2. ФОРМУЛЫ

Следуя принятой терминологии, определим коэффициент от­ ражения R и коэффициент пропускания Т как долю энергии

падающей волны, переходящей соответственно в отраженную и проходящую волны. Эти коэффициенты представляют собой энергетические величины, но, будучи отношениями, не имеют размерности. Приведенные ниже выражения для коэффициента отражения соответствуют тонкой металлической пленке на по­ глощающей подложке (пв = п» — ikt,). Для пленок на нецогло-

щающей подложке As = 0. Полезно иметь формулы для ks ф- 0,

особенно в случае исследования пленок в дальней ультрафиоле­ товой области, где большинство материалов являются погло­ щающими.

Если подложка не поглощает света, можно ввести два коэф­ фициента отражения, обозначив их через R и R'. R есть коэф­

фициент отражения света, падающего из первой среды («о), а R' — коэффициент отражения света, падающего со стороны под­

ложки. Подобным образом можно ввести два коэффициента пропускания: Т и V . Можно показать, однако, что Т — Т'\ это

свойство является общим, справедливым как для стопы тонких пленок, так и для отдельной пленки. В случае наклонного падедения нужно иметь в виду, что если коэффициенту пропускания Т отвечает угол падения <ро, то коэффициенту пропускания Т

будет соответствовать угол падения <ps.

При интерпретации эллипсометрических измерений бывает полезно вычислить два угла ХР и А, определяемых следующим образом. Пусть падающий свет будет плоско поляризован под углом 45° к плоскости падения. Тогда t g ^ будет отношением проекций амплитуд отраженного или проходящего света соот­ ветственно на плоскость падения и перпендикулярную к ней плоскость, а А будет разностью фаз соответствующих колеба­ ний. Мы будем рассматривать только значения XF и А, получае­ мые для отражения. Эллипсометрические измерения в проходя­ щем свете почти никогда не проводятся, поскольку прохождение света через подложку обычно связано с появлением ложных эффектов.

Ниже приводятся выражения для R, соответствующие наи­

более общему случаю — тонкой металлической пленке на по­ глощающей подложке, — и для Т, соответствующие случаю не­

поглощающей подложки. Эти выражения даны для нормаль­ ного падения. В случае наклонного падения нужно заменить п либо на 7 (при s-поляризации), либо на S (при р-поляризации) всюду, кроме произведений пт\ и Аг), в которых п и А всегда за­ меняются на р и q. Чтобы получить формулу для R' в случае

непоглощающей

подложки

(As =

0), достаточно

поменять ме­

стами п0 и ns.

 

 

 

 

 

 

п __

a&e2fel) +

cde

2fel) +

2г cos nr\ 4

- 2s sin ят|

 

 

bde2kri +

ace~2kri +

21cos ят) +

2u sin nt]

 

____________16я0Яд (n1+ ft2)____________

 

 

bde2kr] -f- ace~ 2k11 +

21cos ят) +

2и sin ят)

'

d } = (« + «о)2 +

* j = ( n ± t ls )2 + (A ± As ) \

] } =

("о + ^ + kl) (« а + Ь2) — по(«о + к1) + 4n0k {kns - nks)>

* J=

2k (ns q: n0) (n2 + k2 ± n0ns) ± 2ks {kksn0 ± 4 (tt2 — n2—hJ2)}1).

Напомним, что формула для Т относится к случаю ks = 0. Если

подложка не поглощает света, то при падении под углом

Брюстера, соответствующим

подложке

(т. е. под углом ф0в =

= arctg tijno) , выполняется

равенство

Rv (фов) = Rp (фов) • Это

равенство удобно использовать для проверки однородности пленки.

При вычислении величин Т и Д для составления программы для ЭВМ удобнее пользоваться комплексными величинами. Тогда

tg'FreM'

tg V A<

r z 0 - Z s + i

((Z QZS/Z ) -

Z) tg Yr\

^

 

[ z 0+

Z s + i ((ZoZs/Z) +

Z) tg Yr\

Л

 

x

Yo +

Y ,

+ t ( ( Y 0Y s ! Y )

+ Y) tg Yxi T/»

 

Y0 -

Ys + / ((YoYs/Y) - Y) tg Yi\ J

f

Y0 +

Ys + n (Y o Y sIY) +

Y) tgKti

Ub CQS

l

Z0 +

Zs +

i [(ZoZsIZ) +

2] tg Yn

J

V0'

 

 

 

3.

ПРИМЕРЫ

 

 

 

Для иллюстрации возможных экспериментальных ситуаций приведем несколько примеров. Конечно, имеет смысл не пы­ таться указать все возможные варианты, а лишь отметить не­ которые характерные особенности.

а. Нормальное падение. Рассмотрим сначала ситуацию, ко­ торая может возникнуть при нормальном падении. Возьмем два различных металла — один сильно отражающий, другой — уме­ ренно отражающий. Сильно отражающим металлом может слу­ жить алюминий при \ = 6500 А (« = 1 ,3 0 , k = 7,11 [10]) на

подложке из БЮг («3= 1,4565). На фиг. 1 показана зависимость R и R' от толщины d. Обе эти величины монотонно возрастают при увеличении d и достигают наибольшего значения при d «

') Здесь ^ J |» ц | представляют собой сокращенную форму записи

для обозначения того факта, что верхний символ (например, г) соответствует верхнему знаку (в данном случае минусу), а нижний символ (t) — нижнему знаку (в данном случае плюсу). Такая форма записи используется и для других соотношений в данном разделе, см., например, стр. 199 и 201. — Прим.

» 600 А. При d > 600 A R и R' постоянны и коэффициент отра­

жения для таких пленок практически совпадает с коэффициен­ том отражения для массивного металла.

На фиг. 2 показана зависимость T(d). Как видно из гра­ фика, при d > 600 А Г « 0 , что согласуется с выводом, который мы сделали относительно R и Rr. Коэффициент пропускания Т

Фиг.

1.

Функции

/? (d) и

R' (d) для сильно

отражающей

металлической

пленки,

нане­

сенной

на

плавленый

кварц

(Я = 6500 А, п =

 

1,30,

k = 7,11,

ns= 1.4565)

[10].

 

 

 

Значения п

и

k

соответствуют

оптическим постоянным алюминия.

представляет монотонно убывающую функцию от d. Как ука­

зано выше, при d > 100 А Т зависит от d экспоненциально. За­

висимость коэффициента поглощения А =

1 — R Т от d пока­

зана на фиг. 3 (кривая 2). Заметим, что, хотя при увеличении d

коэффициент отражения R возрастает, а коэффициент пропу­

скания Т убывает, функция A (d) имеет очень резкий максимум

при d «40A . Кривая 1 на фиг. 3 соответствует тому же метал­

лу, но другой длине волны, а именно К=

2200 А (п = 0,14, k =

= 2,35, ns = 1,534).

При

таких оптических

константах

R (d= о о ) =0,9179, т.

е. при

Я = 2200А алюминий

также яв­

ляется сильно отражающим металлом. Кривая 1 приведена для того, чтобы показать, что функция A (d) для сильно отражающих

металлов не обязательно имеет заметный максимум.

Теперь рассмотрим умеренно отражающий металл. Пара­ метры металла произвольно выберем следующими: ei= 2 , е2= 8

Фиг. 2. Функция Т (d) для того же металла, той же под­ ложки и той же длины волны, что и на фиг. 1.

Фиг . 3.

Коэффициент

по­

глощения

 

A \d) для

пленки

того

же

металла, что

и

на

фиг.

1.

 

h = 2 2 00 А,

я—0,14,

Кривая

I:

6=2,35, ns= 1,534; кривая 2: 6=6500 А. п=1,30, 6=7,11, п5= 1 (4565.

Фиг. 4. R(d), R'(d),

T(d), A(d) и A'(d) для умеренно отражающей пленки

(Я = 5500 А, п = 2,26, k = 1,77, п, = 1.5).

(п = 2,26, k = l , 77 ) .

Вычисление проведем для Я=5500А, па=

= 1,5. Результаты показаны на фиг. 4. Функция T(d), как и в

предыдущем случае, монотонно убывает. Единственное отличие состоит в том, что k теперь намного меньше (1,77 вместо 7,11), так что при такой же толщине значения Т заметно больше. Так, для пленки толщиной 1000 А Т «0,015. Функции R и R' теперь

имеют небольшие максимумы, и если бы величина k была еще меньше, то наблюдалось бы большое число экспоненциально затухающих осцилляций. Заметим, что при с?« 5 0 А коэффи­ циент R' достигает минимума, практически равного нулю. Это

обстоятельство

обсуждается

в разд. IV, 1,а, 1),

где показано,

что нулевой

минимум R'

получается

для

толщины

d «

~ (ца—п0)%12п&г (в нашем

примере это

соответствует

55А),

Фиг. 5. R(d) для

умеренно отражающей пленки, нанесенной на сильно от­

ражающий металл

(А, = 5500 А, п = 2,26, k = 1,77, п, = 0,85, k, = 6).

При d=100 А коэффициент отражения ^=0,3464.

Знание того факта, что в определенных условиях R' = 0, может оказаться полезным. Функции А и А' монотонно возрастают, но

имеют по две точки перегиба, первые из которых напоминают максимум на фиг. 3 (кривая /), а вторые обусловлены осцил­ ляциями функций R и R'.

Во всех приведенных здесь примерах при па > п0 и заданной толщине пленки R' всегда оказывается меньше R. Действитель­ но, можно показать, что для вещественного па

п __п / _ 8 (ns п0) [п (п2 + ft2 — n0ns) sh 2kr\ +

k (n2 + fe2 + n0ns) sin 2w\]

bde2kT[ + ace~ 2411 + 2/ cos

2nr\ + 2u sin 2/tt)

Как будет показано в разд. IV, 1, а, I), в случае очень тонких пленок А'/А — па/п0, что невозможно при R' > R.

Наконец, на фиг. 5 представлена функция R(d) для уме­

ренно отражающего металла, нанесенного на сильно отражаю­

щий металл

(ns = 0,85, k s = 6), при той же длине волны, что и

раньше (А =

5500A). R убывает от высокого

значения, соот­

ветствующего d — 0 (алюминиевое зеркало), до

низкого значе­

ния, характеризующего материал тонкой пленки.

б. Наклонное падение. 1) Фотометрические величины. Рас­

смотрим те же пленки, что и в предыдущем разделе. Возьмем пленку алюминия толщиной 120 А и вычислим Ra<Rp, Та и ТР