книги / Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6
.pdfданным в них наблюдается частично зеркальное отражение [127— 131]. Большая часть экспериментальных данных для поликристаллических пленок и фолы поливалентных металлов ука зывает на диффузный характер рассеяния электронов поверх ностью. Однако определению параметра р мешает незнание
величины ро/ или, что эквивалентно, эффективной концентрации свободных электронов в этих металлах. Кроме того, существо вание частично зеркального отражения в таких пленках может быть замаскировано изменениями в сопротивлении, обусловлен ными зависимостью размеров зерен от толщины [143, 144]. Ча стично зеркальное отражение наблюдалось в монокристаллических пленках алюминия [141], монокристаллических висмутовых пластинах [162, 164], поликристаллических и монокристалличе ских пленках висмута и поликристаллических пленках сурьмы *).
Экспериментальные данные о размерных эффектах в поли- и монокристаллических проволоках согласуются с представлением о диффузном рассеянии на поверхности, однако большая часть этих данных относится к поливалентным металлам, для которых величина роI неизвестна. Поэтому определить значение пара метра р сколько-нибудь однозначно не удается и обычно его
принимают равным нулю. Частично зеркальное отражение на блюдалось в нитевидных монокристаллах меди [97] и цинка и в монокристаллических цинковых лентах [98—100].
Наличие зеркального отражения в полуметаллах, висмуте и сурьме, не вызывает удивления, так как дебройлевская длина волны электрона в них составляет соответственно 800 и 60 А. Де бройлевская длина волны электрона в металлах порядка не скольких ангстрем, так что зеркальное отражение представляет ся маловероятным. В то же время довольно частое наблюдение зеркального отражения в металлах указывает на то, что глад кость поверхности на атомном уровне не является необходимым условием. Возникает вопрос: насколько гладкой должна быть поверхность, чтобы отражение было зеркальным? Один из отве тов на этот вопрос был дан Беннетом и др. [197] в их исследова нии отражения инфракрасного излучения от поликристалличе ских серебряных пленок. Серебряные пленки осаждались на сверхгладкие оптические пластинки из плавленого кварца, кото рые можно было делать более шероховатыми, нанося пленки фтористого кальция. Полученные результаты согласуются с представлением о зеркальном отражении электронов, если сред неквадратичный размер неровностей не превышает 45 А; для более шероховатых поверхностей параметр зеркальности р бы
стро спадает до нуля. Однако для интерпретации данных об
*) Существование квантовых размерных эффектов в пленках висмута и сурьмы свидетельствует о частично зеркальном отражении электронов от по верхностей пленки (см. разд. IV).
отражении инфракрасного излучения наиболее шероховатыми пленками параметру р приходится придавать отрицательные
значения, так что получаемый при этом параметр зеркальности р нельзя отождествлять с параметром р, .используемым при ин
терпретации данных об удельном сопротивлении.
Зеркальное отражение наблюдалось также в экспериментах, в которых исследованию подвергалась поверхность массивного металла. С предположением о зеркальном отражении согла суются результаты измерений высокочастотного сопротивления (аномального скин-эффекта) на плоских поверхностях моно кристалла висмута при 2 К [65], а также результаты измерений циклотронного резонанса [198]. Однако измерения аномального скин-эффекта в меди, серебре, золоте, свинце, олове, кадмии, алюминии и индии [132, 150, 199] указывают на чисто диффуз ное рассеяние электронов на поверхности. Позднее подтвержде ние зеркального характера отражения электронов от хорошо полированных поверхностей, ряда металлов дали измерения низкочастотного поверхностного импеданса. В присутствии маг нитного поля электроны захватываются поверхностью металла
®н
Ф иг. 29. Резонанс на поверх ностных состояниях в олове [203]. Sn (101), f = 32,65 ГГц,Я|| (100), /ВЧ ± Я , Т = 4,2 К [203].
а — скачкообразная траектория элек
трона; б-* осцилляции СВЧ-нмпедяиса для полированных и очень слабо тра вленых поверхностей. Наиболее ярко выражены пики в более сильных полях, где угол падения наименьший.
и двигаются вдоль нее скачками, периодически претерпевая зер кальное отражение. Такое поведение электронов показано на фиг. 29, а. Этим связанным электронам отвечает набор поверх ностных квантовомеханических состояний, и переходы между такими состояниями объясняют наблюдаемые осцилляции СВЧимпеданса в слабых магнитных полях. Подобные осцилляции наблюдались в целом ряде металлов — в меди, алюминии, оло ве, индии и галлии [200—203] — и были теоретически интерпре тированы Пранге и Ни [204, 205]. Осцилляции в слабых полях очень чувствительны к условиям на поверхности: уже совсем слабое травление приводит к исчезновению пиков, соответствую щих более сильным полям, а несколько более интенсивное травление полностью разрушает картину осцилляций. Такое пове дение отражено на фиг. 29, б, где сравниваются сигналы, полу
ченные при полированной и слегка травленой поверхности [203]. Полученные результаты можно интерпретировать как умень шение степени зеркальности отражения при уменьшении угла падения электронов на поверхность (угол падения убывает с ростом магнитного поля). Эти эксперименты указывают также на возможность частично зеркального отражения от поверх ности массивного металла (как и от поверхностей тонких пле нок и нитевидных кристаллов) и на то, что параметр зеркаль ности меняется при изменении угла падения, как это предпола галось Пэрротом [53]. Модель Мюзера [206], в основе которой лежит представление о дифракции на поверхности, предсказы вает увеличение зеркальности при уменьшении угла падения и потому непригодна для определения параметров зеркальности. б. Данные для поливалентных металлов. При анализе ре зультатов, полученных при работе с пленками и проволоками из одновалентных металлов, часто можно считать, что эффек тивная концентрация свободных электронов составляет один электрон на атом. Тогда, пользуясь формулой (4), можно опре делить величину ро/ и сравнить экспериментальные данные с теорией Фукса — Дингла, чтобы определить длину свободного пробега электрона / и параметр зеркальности р. Результаты
для пленок и проволок из поливалентных металлов, наоборот, никогда не согласуются со значениями ро/, следующими из фор мулы (4), если в последней предположить число свободных элек тронов на атом равным валентности металла. Поэтому результа ты для поливалентных металлов обычно сравнивают с теорией Фукса — Дингла для определения ро/ и, следовательно, эффек тивней концентрации свободных электронов. При таком ана лизе, однако, предполагается диффузный характер рассеяния электронов и справедливость теории Фукса — Дингла. В лите ратуре, посвященной размерным эффектам, анализу этих допу щений достаточного внимания не уделяется.
Таблица
Данные для поливалентных металлов при низких температурах
|
Образец |
Температура, |
|
|
|
К |
|
А1, |
пленки |
|
4,2 |
А1, |
фольги |
|
4,2 |
|
|
|
4,2 |
|
|
|
4,2 |
|
|
|
4,2 |
А1, проволоки |
0-4,2 |
||
|
|
|
4,2 |
А1, массивный |
|
0 |
|
|
|
||
образец |
|
0 |
|
In, |
пленки |
|
|
In, |
фольги |
|
0 |
|
|
|
3,4 |
In, |
проволоки |
|
4,2 |
|
4,2 |
||
|
|
|
4,2 |
|
|
1О |
(N |
In, |
массивный |
|
0 |
|
|
||
образец |
|
3,8 |
|
Sn, |
фольги |
|
|
Sn, |
проволоки |
|
4,2 |
|
|
|
0 |
|
|
|
4,2 |
Sn, массивный |
|
|
|
образец |
|
4,2 |
|
РЬ, |
проволоки |
|
|
РЬ, массивный |
|
|
|
образец |
|
4,2 |
|
Zn, |
проволоки |
|
|
Zn, |
массивный |
|
|
образец |
|
|
|
Cd, |
фольги |
|
4,2 |
Cd, проволоки |
|
4,2 |
|
Cd, массивный |
|
|
|
образец |
|
|
Длина сво |
р0г, ю-12 |
Концентрация |
Литературный |
бодного про |
свободных |
||
бега электро |
Ом*см2 |
электронов |
источник |
на, мкм |
|
п/па |
|
17,5 |
11,5 |
0,61 |
[141] |
700 |
8,2 |
1,01 |
[139] |
|
7,0') |
1,28 |
[138] |
275 |
8,25 г) |
1,00 |
[82] |
71 ') |
6,75 ') |
1,36 |
[140] 3) |
590 |
5,5 |
1,84 |
[168] |
610 |
7,1 *) |
1,25 |
[170] |
|
6,73 |
1,37 |
[82] |
|
4,9 |
2,18 |
[132] |
|
4.0 |
3,0 |
[63] |
15,2 |
20 |
0,42 |
[151] |
650 |
16 |
0,59 |
[148] |
240') |
13,4 ') |
0,77 |
[85] 3) |
200 |
14 |
0,72 |
[149] |
200 4) |
13,5 4) |
0,76 |
[168] |
160 |
15 |
0,65 |
[172] |
|
12,5 |
0,85 |
[173] |
10505) |
18 |
0,49 |
[75] |
|
5,8 |
2,69 |
[150] |
80 |
18 |
0,50 |
[96] |
600 |
10,2 е) |
1,17 |
[168] |
2100 !) |
9,8') |
1,24 |
[179] |
|
13,4') |
0,79 |
[178] |
|
10,5 |
U 2 |
[132] |
|
8,2 |
1,63 |
[63] |
130 |
16,7 |
0,64 |
[168] |
|
10,6 |
1,24 |
[132] |
2000 |
18") |
0,29 |
[168] |
|
|
0,52 |
[207] |
700 |
58 |
0,07 |
[180] |
1350 |
21 в) |
0,32 |
[168] |
|
|
0,49 |
[207] |
') Среднее значение.
2) Наиболее чистый материал.
*) Получено методом вихревых токов. «) Наиболее падежный результат.
*) Имеются лишь три экспериментальные точки.
О Среднее для поликристалла, полученное из результатов для монокристалла.
В таблице дана сводка результатов для пленок, фолы и проволок из поливалентных металлов, относящихся к низким температурам; сюда включены также данные, полученные при изучении аномального скин-эффекта. Пленки и фольги были изготовлены соответственно вакуумным напылением и холодной прокаткой. Температурам ниже точки перехода в сверхпроводя щее состояние или ОК соответствуют данные, полученные путем экстраполяции.
При вычислении приведенной в таблице величины п/па кон центрация электронов п определяется из значений ро/ по форму ле (4), а в качестве числа атомов на единицу объема па берется
его объемное значение. Значения ро/, найденные путем измере ния размерного эффекта, всегда оказываются больше тех, кото рые получаются при изучении аномального скин-эффекта. Кро ме того, значения ро/, полученные при измерениях на пленках, приготовленных вакуумным напылением, превышают значения ро/ для тонких фольг и проволок. В случае алюминия, олова и кадмия измерения на фольгах дают большие значения ро/, чем на проволоках. В соответствии с этим чйсла свободных электро нов на атом п/па, определенные при измерении размерных эф
фектов, больше тех, которые следуют из результатов изучения аномального скин-эффекта. Хотя измерения скин-эффекта обла дают тем недостатком, что информация относительно объем ных свойств выводится из результатов измерения поверхност ного сопротивления, тем не менее полученные при этом значе ния п/па, по-видимому, находятся в довольно хорошем согласии
с предсказаниями теории. Такое согласие имеет место как для алюминия и индия, у которых экспериментальные значения п/па приблизительно совпадают с валентностью, так и для цинка и кадмия, у которых эти значения п/па гораздо меньше валент
ности [207].
Таким образом, оказывается, что значения ро/, которые сле дуют из результатов измерения размерных эффектов в полива лентных металлах, довольно ненадежны и возможность приме нения к таким металлам теории Фукса — Дингла становится сомнительной. Возможная интерпретация этого расхождения была предложена Котти и др. [140]. Они предположили, что длина свободного пробега электрона, определяемая по резуль татам измерения размерных эффектов, относится в первую оче редь к тем частям поверхности Ферми, где длина пробега наи большая. Тогда эффективное число свободных электронов п/па
будет меньше, чем следует из модели свободных электронов. Бейт и др. [71] показали, что эффективная длина свободных электронов в монокристаллических проволоках или в поликристаллических проволоках с большим размером зерен возрастает в (/2)/(/)2 раз [см. формулу (29)].
В этой модели анизотропия длины свободного пробега элек трона приводит к большим значениям величины р0/ и меньшим значениям п/па, чем следует из модели свободных электронов.
Однако трудно объяснить анизотропией длины свободного про бега разницу в значениях ро/, получаемых из результатов для пленок, фолы и проволок. Относительно большие значения р0/ для тонких пленок можно было бы приписать систематическому увеличению ро при уменьшении толщины. Но в то же время измерения Котти и др. [85, 140], проведенные на одном образце, также дают большие значения ро/, в связи с чем данные для фольг и проволок нельзя интерпретировать таким образом. До пущение относительно диффузного отражения электронов по верхностью представляется спорным, но, если предположить частично зеркальное отражение, расхождение с результатами, полученными путем измерения аномального скин-эффекта, ста нет еще больше. Отмеченное выше расхождение можно устра нить, интерпретируя величину р0/, как было предложено Котти и др. [140] и Бейтом и др. [71]. С другой стороны, это расхожде ние можно рассматривать как следствие неприменимости тео рии Фукса— Дингла к поливалентным металлам.
IV. КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ 1. ТЕОРИЯ
До сих пор мы ограничивались рассмотрением классических размерных эффектов, которые становятся наблюдаемыми, когда длина свободного пробега электрона оказывается сравнимой с толщиной пленки или диаметром проволоки. Если толщина пленки или диаметр проволоки становятся сравнимыми с дебройлевской длиной волны электрона, то может наблюдаться новый класс размерных эффектов — квантовые размерные эф фекты. Эти размерные эффекты обнаруживаются, как правило, в полуметаллических или полупроводниковых пленках и прово локах, которые имеют гладкую поверхность и в которых носи тели тока имеют относительно большую дебройлевскую длину волны. Квантовые размерные эффекты возникают вследствие квантования квазиимпульса электрона. В тонкой пленке компо нента квазиимпульса, перпендикулярная поверхности, кван туется и электронные состояния образуют систему дискретных слоев, как показано на фиг. 30 для случая сферической поверх ности Ферми. Такое расслоение энергетических уровней приво дит к осцилляторной зависимости термодинамических и кинети ческих характеристик пленки от ее толщины с периодом, рав ным половине дебройлевской длины волны.
Следствия квантования энергии теоретически исследовались применительно к термодинамическим свойствам [208—210], элек-
тропроводности [211—214], гальваномагнитным явлениям [211, 213], парамагнитной восприимчивости [216], оптическим свой ствам [217], туннельным явлениям [218—220] и сверхпроводи мости [221—224]. Во всех этих расчетах выбиралась пленочная конфигурация; квантовые размерные эффекты в тонких провоз локах теоретически (а также экспериментально), по-видимому, не исследовались.
Электрическое сопротивление пленки полуметалла или вы рожденного полупроводника в условиях квантового размерного эффекта было вычислено Сандомирским [211] -и Безаком [212].
Фиг. 30. «Расслоение» электронных состояний в очень тонкой пленке.
В теории Сандомирского электроны и дырки рассматриваются как независимые частицы, движущиеся в потенциальной яме с плоским дном и бесконечно высокими стенками. Массы носи телей предполагаются равными соответствующим объемным эффективным массам ше и т&. В условиях квантового размер
ного эффекта зона проводимости и валентная зона расщеп ляются на дискретные слои. Наинизшая энергия зоны проводи мости смещается вверх на величину Две = b2n2/2med2 относи
тельно дна зоны проводимости массивного образца, а наивысшая
энергия валентной зоны смещается вниз |
относительно по |
толка валентной зоны массивного образца |
на величину Де/, = |
== b2n2/2nihd2. Если толщина пленки достаточно мала, то сумма
Дее -+- Де/, может оказаться равной величине перекрытия зон массивного полуметалла и полуметалл превратится в полупро водник. Этот эффект изображен на фиг. 31. Критическая тол щина, при которой исчезает перекрытие зон, равна
где М 1= те 1+ *пи \ а Д — перекрытие зон массивного полуме
талла. При /пд.3>/пе формула (39) принимает вид
d = nh[(2meeF)'l\ |
(40) |
где ер — энергия Ферми электрона. Величина 3 в формуле |
(40), |
как легко видеть, есть просто половина дебройлевской длины волны электрона. Исчезновение перекрытия зон, разумеется, имеет важные последствия в отношении электрических и опти ческих свойств пленки. Для толщины пленки, превышающей критическую толщину й, и очень низких температур, когда kT/A-C l , Сандомирский получил формулу для удельного со
противления, графически представленную на фиг. 32. Удельное сопротивление обнаруживает осцилляторную зависимость от толщины с периодом 3.
Условие, необходимое для наблюдения квантового размер ного эффекта, имеет вид те,н ^ й/Дее, /, где те, л — времена ре
лаксации носитёлей, учитывающие рассеяние как в объеме, так
Фиг. 31. Энергетические зоны в условиях кванто вого размерного эффекта.
Заштрихованные области за* полнены электронами и дырками;
компонента квазинмпульса k x |
|
лежит в плоскости пленки. |
|
а —массивный |
полуметалл; |
зоны перекрываются на |
вели |
||
чину Д; |
б —тонкая |
пленка |
при |
d > d f , |
в —тонкая |
пленка |
при |
d < d, когда перекрытие зон исчезает.
и иа поверхностях. Для выполнения этого условия обычно не обходимы очень низкие температуры. Огрин и др. [213] пока зали, что при повышении температуры амплитуда осцилляций убывает быстрее, чем это следует из осцилляционной картины, изображенной на фиг. 32. Кроме того, обычно считается необхо димым зеркальное отражение электронов от поверхности, хотя частично диффузное отражение приводит лишь к уменьшению
Фиг. 32. Зависимость удельного сопротивления от толщины в условиях квантового размерного эффекта [211].
амплитуды осцилляций сопротивления. В работе Безака [212] возникновение осцилляций сопротивления предсказывается даже для полностью диффузного рассеяния электронов поверхностью, однако амплитуда этих осцилляций оказывается меньше, чем в случае частично зеркального отражения.
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ
Экспериментальное наблюдение квантовых размерных эф фектов впервые было осуществлено Огриным и др. ]225, 226]. Сни исследовали размерную зависимость удельного сопротив ления, коэффициента Холла и магнетосопротивления пленок висмута при 4,2; 78 и 300 К. В результате напыления висмута па нагретые слюдяные подложки получались поликристаллические пленки, в которых тригональная ось тем не менее обычно была перпендикулярна к поверхности. Размерные зависимости удельного сопротивления р, отношения удельных сопротивлений Рт/рзоо, поперечного магнетосопротивления Др/р, коэффициента Холла RH и холловской подвижности cRHJp обнаруживают
осцилляции с периодом 400—500 А.
Размерная зависимость удельного сопротивления показана на фиг. 33. Можно видеть, что амплитуда осцилляций удельного сопротивления убывает при увеличении температуры и толщины и что при толщине менее 400 А удельное сопротивление быстро возрастает при уменьшении толщины. Этот быстрый рост удель ного сопротивления можно объяснить либо переходом полуме талл — полупроводник, либо нарушением сплошности пленки.
Фиг. 33. Зависимость удельного сопротивления пленок висмута от толщи ны [226].
Данные эксперимента можно сравнивать с теорией квантового размерного эффекта, используя известные из литературы значе ния эффективных масс и энергии Ферми массивного висмута [227—229]. Поскольку эффективная масса дырок вдоль тригональной оси гораздо больше соответствующей эффективной массы электронов, можно пользоваться формулой (40). Под ставляя характерные значения те == 0,01 т0 и SF = 0,025 эВ, получим для периода осцилляций д. = 390 А, что хорошо согла
суется с результатами эксперимента.
Осциллирующий характер размерной зависимости удельного сопротивления и гальваномагнитных коэффициентов висмута наблюдался и другими исследователями. Дуггал и Ран [230] приготовляли монокристаллические пленки висмута вакуумным напылением на нагретые слюдяные подложки. Удельное сопро тивление и коэффициент Холла осциллировали в зависимости от толщины с периодом около 400 А. Эти осцилляции можно было наблюдать даже при комнатной температуре, хотя при 90 К амплитуда была больше. Комбе и Ле-Траон [231] получали пленки висмута вакуумным напылением на стеклянные под ложки, покрытые пленкой окиси висмута. При 4,2; 77 и 300 К удельное сопротивление было осциллирующей функцией тол-