Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Элементы автоматики и счетно-решающие устройства

..pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
13.63 Mб
Скачать

На рис. 1.5 для полупроводника из смеси окислов марганца и никеля (Mn30 4 + N i0) показаны зависимости RT/ROпри Г0 = 273°К и ат в функции от Т (рис. 1.5, а), а также вольт-амперная харак­

теристика (рис. 1.5,6). Такой термистор может реагировать на изменение температуры порядка 0,0005° К.

Вольт-амперная характеристика должна строиться при опреде­ ленной температуре Гср окружающей среды. При увеличении этой температуры (пунктирная кривая) при том же значении тока соб-

Рис. 1.5. Типовые характеристики термистора

ственная температура термистора будет больше (т. е. сопротивле­ ние меньше) и вольт-амперная характеристика расположится ниже.

Вид вольт-амперной характеристики определяется тем, что» термистор сам нагревается проходящим через него током по срав­ нению с температурой Гср среды. Соответствующие температуры (Т—Гср) указаны в отдельных точках на вольт-амперной харак­

теристике. Пока ток мал, влияние собственного нагрева незначи­ тельно и сопротивление термистора практически не зависит от тока (участок 0 — а характеристики). В этом режиме термистор обычна

используется для измерения температуры окружающей среды. При дальнейшем увеличении тока разогрев термистора приводит к уменьшению его сопротивления и характеристика приобретает «падающий» участок. В этом режиме термистор может использо­ ваться как термореле, ограничитель тока, стабилизатор напряже­

ния и т. п.

При измерении температуры основными преимуществами тер­ мисторов по сравнению с металлическими термометрами сопротив­

ления являются большая величина ат и высокое удельное электри­

ческое сопротивление. Благодаря высокому удельному сопротивле­ нию такой термометр можно сделать очень маленьким, что также позволяет значительно уменьшить его постоянную времени т.

Для измерения малых отклонений температуры от начального значения Т0 можно, разлагая (1. 15) в ряд Тейлора, получить при­

ближенную формулу сопротивления термистора, аналогичную фор­ муле (1.5):

 

 

 

^ = ^ о[ 1- ^ - (7’--7 ’о)] = /? о[1+ с!о(7’- Г 0),>

(1.17)

где

а0=

— — —температурный коэффициент

сопротивления тер-

 

 

 

Т2

мистора при начальной температуре.

 

 

В табл.

1. 1 приведены основные параметры некоторых отечест­

венных

термисторов.

 

 

Таблица 1.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Основные данные некоторых термисторов

 

 

 

 

 

 

 

Допусти­

Рабочей

 

 

 

 

До

а0

 

мая

 

Тип

 

X

мощ­

диапазон

Величина В

при 293° К

при 293 °К

ность

температу­

 

 

 

ком

96 /град

сек

рассея­

ры

°К-1000

 

 

 

 

 

 

ния

°К

 

 

 

 

 

 

 

мет

 

 

Т8*

1

0,12—0,20

—3,0

1—5

5—30

200—390

2,4—2,7

T9*

/

 

 

 

 

 

 

 

ММТ-11

 

1—200

—2,4ч-—3,4

85—115

400

200—390

2,06—2,92

MMT-4J

 

 

 

 

 

 

 

 

КМТ-1 )

20—1000

—4,5ч— 6

85-115

800—900

200—450

3 .8 6 - 5,15

КМТ-4 }

 

 

 

 

200

200—390

 

КМТ-10

100—3000

—4,5 ч— 6

1—5

3.86—5,15

* Чувствительность этих термисторов равна 10—90 ом/мвт.

Для любой точки вольт-амперной характеристики (рис. 1.5,6) можно определить сопротивление термистора «ак отношение U/I и рассеиваемую в термисторе мощность VI.

Чувствительность ST = AR/AT термистора при измерении темпе­

ратуры определяется для начальной точки из приближенной фор­ мулы (1.17):

ST0= R 0a0 [о.фрад],

(1. 18)

а при использовании подогрева термистора — как отношение изме­ нения сопротивления к изменению подводимой мощности, вызвав­ шему это изменение:

ST/= д^ у)- [ом!мет].

(1. 19)

1.1.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фоторезисторы)

Количество свободных электронов в полупроводниках увеличи­ вается под действием падающей на них лучистой энергии. Увели­ чение вследствие этого электропроводности при постоянстве тем­ пературы называется внутренним фотоэффектом.

Достоинствами фотодатчиков являются их простота, малые га­ бариты, высокая чувствительность, отсутствие механической связи с измеряемым процессом и малая инерционность. Основным недо­ статком является малая величина фототока, вследствие чего необ­ ходимо либо его усиление, либо применение высокочувствительных измерительных устройств.

Важнейшие три характеристики фотоэлементов:

световая характеристика /ф = /(Ф ), т. е. зависимость фото­ тока от величины светового потока Ф в люменах при постоянном

напряжении, приложенном к фотоэлементу;

вольт-амперная характеристика Aj>=f(fAj>), т. е. зависимость

фототока от величины приложенного к фотоэлементу напряжения £/ф при Ф = const;

— интегральная чувствительность

о

ф

(или

f

6 ф =

------

#ф = / ф/Ф

при прямолинейности световой характеристики),

т. е.

отношение

величины изменения фототока к изменению светового потока при постоянном напряжении, приложенном к фотоэлементу. Для сравне­ ния различных фотоэлементов их интегральную чувствительность условились измерять, используя в качестве источника света лампу, имеющую вольфрамовую нить, накаленную до температуры 2840° К, г. е. при всегда одинаковых цветовом спектре и температуре ис­ точника излучения.

Следует учитывать, что чувствительность SR фотоэлементов,

работающих на сопротивление нагрузки /?н, меньше, чем инте­ гральная чувствительность 5 Ф (рис. 1.6,а). Действительно, одина­

ковое изменение ДФ светового потока в обоих случаях вызовет одинаковое изменение Д/?ф сопротивления Дф фотоэлемента. Соот­

ветствующее изменение Д/ф тока в цепи без

сопротивления на­

грузки при Д/?ф < Дф будет

 

 

д у. _

U________ U _

^ А /?Ф

А/?Ф

ф~

Яф —ДЛф Лф— Лф(Яф—ДЯф)

Яф ’

а в цепи с сопротивлением Ra нагрузки

и

U

U ,ф Яф—ДЯф + R„

Лф + Л»

U Д Я Ф

Д Я Ф

(Я ф — Д /?ф ■+■ R«)(Л ф + /? „ )

■.и-

(Лф 4- Лн)2

и чувствительность фотоэлемента в схеме с нагрузкой (динамиче скал чувствительность).

( 1. 20)

а величина фототока

/ Ф= 5*Ф

( 1. 21)

Так как внутреннее сопротивление фотоэлементов обычно до­ статочно велико, то влияние сопротивления нагрузки сказывается только при относительно больших значениях Ra.

^ ч ф

Рис. 1.6. Схема включения (а) и конструкция (б) фото­ резистора

Ф о т о р е з и с т о р ы

(рис. 1.6,6) обычно

изготовляют

путем

нанесения тонкого слоя

1 полупроводникового

материала

(серни­

стый свинец, сернистый висмут, сернистый кадмий и т. п.) на ре­ шетки 2 и 3 из тонких проводников. При изменении освещенности Е такого фотоэлемента изменяется его сопротивление R$, а значит,

и величина тока /ф в электрической цепи. Величина фототока за­ висит от приложенного напряжения 11ф, которое для фотосопро-

гивлений может меняться в широких пределах. В связи с этим фо-

тосопротивления часто характеризуют удельной (на 1 в) инте­

гральной чувствительностью:

5 ф ° = - ^ [MKaje-лм].

(1.22)

Вольт-амперные характеристики большинства фотосопротивле­ ний практически линейны, т. е. их интегральная чувствительность пропорциональна напряжению 5ф = 5ф0/7ф.

Достоинствами фоторезисторов являются малые габариты, вы­ сокая чувствительность и возможность измерения слабого тепло-

Рис. 1.7. Вольт-амперная (а) и световая (б) характеристики сернисто-кадмиевого фоторезистора ФСД

вого излучения (инфракрасный спектр). К числу недостатков сле­ дует отнести нелинейность световых характеристик, инерционность, температурную погрешность и наличие «темнового» тока при от­ сутствии освещенности.

На рис. 1.7 показаны вольт-амперная и световая характеристи­ ки сернисто-кадмиевого фотосопротивления, снятые при освещен­ ности £ = 2 0 0 лк и напряжении на фотоэлементе {Уф = 300 в. Как

видно из световой характеристики, при £ = 0 имеется темновой ток /т, обусловленный конечной величиной темнового сопротивления RT. При точных расчетах величину

необходимо добавлять к фототоку / ф.

В табл. 1.2 приведены основные параметры некоторых типов отечественных фоторезисторов, снимавшиеся при освещенности £ = 200 лк.

 

Основные данные ф оторезисторов

 

Тип фоторезистора

Рабочая

/?т

Uф шах

5фо

площадь 5

 

 

мм2

Мом

в

ма/в - лм

ФСА

(сернисто-свинцо­

30—125

0,01—0,5

15—60

0,5

вое)

 

 

 

 

 

ФСД (селенисто-кадмие­

28

2

300

30,0

вое)

 

 

 

 

 

ФСК

(сернисто-кадмие­

1—200

0,05—10

100—400

2,5—6,0

вое)

 

 

 

 

 

vv/

 

 

 

 

 

Пленочные:

 

 

зо о

 

ФСК-П

12

100—10000

6,0

СФ

 

1—72

2—30

20—50

6,0—30,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продолжение

 

 

*^ф шах

ат*

 

X

Тип фоторезистора

При Цф т ах

 

%/град

мсек

 

 

ма/лм

 

 

 

 

 

ФСА

(сернисто-свинцо­

7,5—30

- 1 ,5

 

0,04

вое)

 

 

 

 

 

ФСД (селенисто-кадмие­

9000

- 1 ,5

 

3—10

вое)

 

 

 

 

 

ФСК

(сернисто-кадмие­

350—2400

—0,12-т-0,2

20—30

вое)

 

 

 

 

 

Пленочные:

 

 

 

 

ФСК-П

1800

—0,2

 

40

СФ

 

120—1500

20,3—0,7

20—60

* ат— средний температурный коэффициент фототока в "диапазоне от 273 до 313° К.

Пример 1.2. Для фоторезистора типа ФСД подсчитать фототок в точке N

(рис. 1.7)

при

£=200 лк и Uф=300 в.

Ре ше

ние .

По табл. 1.2 находим 5=28 мм2 и 5 ф=5 фо^Ф=30 300=

= 9000 ма/лм. Световой поток, падающий на фотосопротивление Ф=£[л/с] 5[л(2]= =200 • 28 • 10—6= 5,6 • 10_3 лм. Следовательно, фототок

/ф = 5фФ = 9000-5,6-Ю-з ~5о ма.

1.1.5. Индуктивные датчики

Индуктивные датчики, основанные на изменении индуктивного сопротивления катушки со сталью при перемещении стального яко­ ря, получили широкое распространение во всех областях техники

для измерения малых угловых и линейных механических переме­ щений, а также для управления следящими устройствами. Их су­ щественные достоинства: а) простота, надежность и отсутствие скользящих контактов; б) относительно большая величина отда­ ваемой электрической мощности; в) возможность работы на пере­ менном токе промышленной частоты.

Основным недостатком индуктивных датчиков является сильная зависимость их от частоты источника напряжения питания.

Рис. 1.8. Индуктивный датчик

Индуктивность катушки с числом витков w простейшего индук­

тивного датчика (рис. 1.8, а) равна

 

 

L=

ЗД/Ф

 

(1. 23)

 

 

~т~ [г«],

 

где Ф — магнитный поток в

вб;

 

 

I — ток катушки

в

а.

 

 

a SM— площадь се­

Если б — величина

воздушного зазора [ж],

чения магнитопровода [ж2], то магнитный поток

 

Ф =

Iw

 

0,4я/до

 

(1.24)

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

Яст“Ь

 

 

 

 

 

 

SMUO

 

в гн/м;

где р0= 4 я -1 0 -7— магнитная проницаемость воздуха

R u— магнитное

сопротивление

цепи,

складываю­

щееся из сопротивления стального магнито­

провода RCT и сопротивления двух воздушных

зазоров,

равного 26/SMpo

(в данном случае

5 в « 5 м ) .

Подставляя (1.24) в (1.23), найдем

L= -

25

R CT 4 “ '

$м(Ч)

I

и

и

 

и

 

(1.25)

Z

/Л 2+Т о>/.)2

/-----------

•да2

т 2

 

 

/

/?2 + 0)2

 

 

 

 

 

У

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

^?ст + ‘

•^м^'О-

т. е. при неизменных конструктивных параметрах датчика ток за­ висит от величины воздушного зазора 6, частоты напряжения пи­ тания со и активного сопротивления обмотки. Характеристика дат­ чика, т. е. зависимость величины тока / от величины воздушного зазора, показана на рис. 1.8,6.

В типовых конструкциях индуктивных датчиков /?CT<C26/SM^O и активное сопротивление обмотки значительно меньше, чем ее индуктивное сопротивление. Если пренебречь величинами R cт и R,

то получим упрощенную формулу, применяющуюся при простей­ ших расчетах:

6М06

 

0,2л;аш25м(А8 = АД

(1.26)

где ki = I!6 — коэффициент передачи датчика

по току.

Для учета уменьшения рабочего магнитного потока вследствие явления рассеяния можно пользоваться в формулах (1. 25) и (1. 26) поправочным множителем порядка 0,7—0,8.

Реальная характеристика индуктивного датчика отличается от идеальной, построенной по формуле (1.26) и показанной на рис. 1.8,6 пунктиром, наличием некоторой нелинейности за счет остаточного тока при нулевом воздушном зазоре (ЯмфО) и стрем­ ления тока к установившемуся значению Iy=U/R при больших

зазорах, когда активное сопротивление становится сравнимым с ин­ дуктивным (ДфО).

Индуктивные датчики применяются только на относительно низ­ ких частотах (до 3000—5000 гц), так как на высоких частотах

резко растут потери в стали на перемагничивание и реактивное сопротивление обмотки. Для каждого типа датчика существует ка­ кая-то наивыгоднейшая частота, при которой соотношение между активными и реактивными сопротивлениями в схеме будет опти­ мальным. Для большинства конструкций эта частота лежит в диа­ пазоне 100— 1000 гц.

Существенными недостатками индуктивного датчика, показан­ ного на рис. 1—8, являются следующие:

— для измерения перемещения якоря в обоих направлениях необходим начальный воздушный зазор 6о, т. е. и начальный ток /о в нагрузке. Это создает неудобства при измерении и значитель­ ные погрешности от колебаний температуры и питающего напря­ жения;

— наличие электромеханического усилия притяжения якоря, за­ висящего от величины воздушного зазора.

Рис. 1. 10. Трансформатор­ ный индуктивный датчик

От этих недостатков ® значительной степени свободен диффе­ ренциальный индуктивный датчик, обладающий к тому же вдвое большей чувствительностью. Схема такого датчика, получившего наибольшее распространение, показана на рис. 1.9, а. Применение

Рис. 1.9. Дифференциальный индуктивный датчик

Ш-образного стального сердечника обусловлено удобством сборки катушки и уменьшением габаритов датчика. Для среднего положе­ ния якоря такого датчика ток в нагрузке /п р = 0 . При этом погреш­

ности от колебаний температуры и напряжения питания относятся только к изменениям тока в нагрузке, т. е. имеют значительно меньшую вели­ чину. Электромеханические усилия, действующие на якорь от двух кату­ шек, в значительной степени взаимно компенсируются во всем рабочем диа­ пазоне измеряемых перемещений.

Идеальная (пунктирные линии) и реальная характеристики дифференци­ ального датчика приведены на рис. 1.9, б. При применении фазочувстви­ тельных выпрямительных схем диффе­ ренциальный датчик может показы­ вать и направление перемещения яко­ ря от нулевого (среднего) положения.

Схема т р а н с ф о р м а т о р н о г о индуктивного датчика (рис. 1. 10), при­ меняющегося в гироскопических устг

ройствах, состоит из якоря 1, сердечника 2, обмоток I и II, фазо­ чувствительной выпрямительной схемы 3, трансформатора 4 и маг­ нитоэлектрического прибора 5 или другого измерительного устрой­ ства. При нейтральном положении якоря 1 магнитные потоки,

создаваемые намотанными в противоположном направлении об-

мотками I, не создают разностного магнитного потока в измери­ тельной обмотке II, т. е. э. д. с. в ней не наводится. При смещении

якоря от нейтрального положения магнитное сопротивление для потока, создаваемого одной из обмоток I, увеличивается, а для по­

тока, создаваемого другой обмоткой / а, уменьшается. В результате в сердечнике создается разностный переменный магнитный поток и в обмотке II появляется переменная э. д. с. е. Амплитуда этой

переменной э. д. с. пропорциональна смещению якоря от нейтраль­ ного положения, а фаза определяется направлением этого смеще­ ния. Если подать э. д. с. на вход мостовой фазочувствительной вы­ прямительной схемы 3, то магнитоэлектрический прибор 5 на ее вы­

ходе будет показывать величину и направление смещения якоря 7. Особенность трансформаторного датчика заключается в воз­ можности больших перемещений якоря и отсутствии электрической связи между измерительной цепью и цепью электрического пита­ ния. Между ними существует только магнитная связь, что во мно­

гих случаях является преимуществом.

1.2.ДАТЧИКИ Э. Д. С.

1.2.1. Термопары

Термоэлектрический метод получил широкое применение для точного измерения и регулирования высоких (370—2000° К) тем­ ператур. Преимуществами метода являются малая инерционность, простота и очень малые габариты дат­ z чиков, называемых обычно термопа­

рами.

Принцип действия термопары осно­ ван на явлении термоэлектрического эффекта, открытом в 1756 г. русским академиком Ф. У. Эпинусом. Это явле­ ние заключается в том, что если соеди­ нить концами два разнородных по ма­ териалу проводника 1 и 2 (рис. 1. И, а)

 

и поместить места соединений в среды

Рис. 1.11. Термоэлектриче­

с разными

температурами ^ и Г2, то

в полученной таким образом электри­

ская цепь

ческой цепи

появится электрический

ток ввиду наличия термо-э. д. с. Е. Эта

термо-э. д. с. пропорциональна по ве­ личине разности Т 1Т2 температур двух концов электрической це­

пи и зависит от материалов обоих проводников.

Любая термопара характеризуется следующими основными свойствами:

1) абсолютная величина термо-э. д. с. не зависит от распреде­ ления температур вдоль однородных проводников (рис. 1.11,6). Это означает, что величина термо-э. д. с. не изменится, если, на­

Соседние файлы в папке книги