книги / Математические модели элементов интегральной электроники
..pdfВ кн.: Автоматизация в проектировании. Под ред. Д. КалаханЗ
и др. Пер. с англ. М., «Мир», 1972.
98.Ермак В. В., Жаров М. М., Межов В. Е. и др. Комплекс про грамм для расчета электрических характеристик компонентов
биполярных ИС. — Электронная промышленность», 1974, № 12. 99. Казенное Г. Г., Авдеев Е. В. Библиотека программы авто
матизированного. проектирования |
элементов |
ИПС. — В кн.: |
|
Машинные методы проектирования |
электронных |
схем. МДНТП |
|
им. Ф. Э. Дзержинского, 1976. |
|
В. И., Орликовский А. А. |
|
100. Баринов В. В., Кремлев В. Я., Мошкин |
|||
Интегральные схемы с инжекционным |
питанием. — «Зарубежная |
||
|
электронная техника», 1973, № 19(67). |
|
|
|||||||
Ю1.Аваев |
Н. А., Дулин В. Н„ Наумов |
Ю. Е. Интегральные цифро |
||||||||
|
вые схемы |
с |
инжекционным питанием. — «Зарубежная |
радио |
||||||
|
электроника», |
1974, № |
1. |
|
|
|
транзи |
|||
102. Аваев |
Н. А., Наумов |
10. Е. Статические характеристики |
||||||||
|
стора |
с |
инжекционным |
питанием. — «Изв. вузов СС'СР. Радио |
||||||
|
электроника», 1975, т. 18, № 5. |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
К г л а в е |
4 |
|
|
|
1. Кроуфорд |
Р. |
Схемные |
применения |
МОП-транзисторов. Пер. |
||||||
2. |
с англ. Под ред. М. С. Сонина. М., «Мир», 1970. |
|
||||||||
Полевые транзисторы. Под ред. Д. Т. Уолмарка и X. Джонсона. |
||||||||||
3. |
Пер. с англ. Под ред. С. А. Майорова. М., «Сов. радио», 1971. |
|||||||||
Валиев К. А., Кармазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые |
||||||||||
|
интегральные схемы на МДП-транзнсторах. М., «Сов. радио», |
|||||||||
4. |
1971. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ходош Л. С. Технологические методы изготовления МДП-тран- |
||||||||||
5. |
зисторов. — «Зарубежная |
электроника», |
1972, № 1. |
|
||||||
Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолиро |
||||||||||
|
ванным затвором. Пер. с англ. Под ред. Г. Г. Смолко. М., «Сов. |
|||||||||
6. |
радио», |
1971. |
|
и применение полевых транзисторов. Пер. |
||||||
Кобболд |
Р. С. Теория |
|||||||||
сангл. М„ «Мир», 1975.
7.Носов Ю. Р., Петросянц К- О., Шилин В. А. Модели компонен тов для машинного проектирования интегральных схем. Ч. II.
М|Д'П-транзнсторы. — «Зарубежная электронная техника», 1972,
N* 7.
8. |
Рао |
Н. |
С., |
Sah С. Т. Effects of diffusion |
currents |
on characteris |
|||
|
tics |
of |
metall — oxide — semiconductor |
transistors. — «Sol.-St. |
|||||
9. |
Electr.», |
1966, v. 9, № |
10. |
of fixed-bulk charge on the cha |
|||||
Sah |
С. T., |
Рао |
H. C. The effects |
||||||
|
racteristics |
of |
MOS Transistor. — «IEEE |
Trans.», |
1966. v. ED-16, |
||||
10. |
№ 5. |
M. |
B. |
Phisioal |
limitations |
of MOS transistor. — «Sol-St. |
|||
Das |
|||||||||
|
Electr.», |
1968, v. 11, (№ 3. |
|
|
|
||||
11.Wright G. T. Current— voltage characteristics, channel pinchoff and field dependence of carrier velocity in silicon insulated-gate FET. — «Electr. Letts», 1970, v. 6, № 4.
12.Шриффер Д. Эффективная подвижность носителей тока в по
верхностных слоях пространственного заряда. — В кн.: |
Пробле |
мы физики полупроводников. Пер. с англ. М., «Наука», |
1957. |
13.Ходош Л. С., Шилин В. А. Математическая модель МДП-тран- зистора для машинного расчета интегральных схем. — В кн.:
Автоматизация проектирования в электронике. Под ред. Сигорского В. П. Вып. 6. Киев, «Техника», 1972.
14. Frohman — Bentchkowsky D., Grove A. S. Conductance of MOS transistors in saturation. — «IEEE Trans.», 1969, v. ED-16, № 1.
15.Морозов А. А., Ходош Л. С. Об исходной информации по пара метрами компонентов для статистического анализа МДП ИС.— «Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника», 1971, т. 8, № 11.
16.Merkel G., Borel J., Cupcea N. An accurate targe — signal MOS transistor Model for Use in Computer — Aided design. «IEEE
Trans.», 1972, v. ED-19. N 5.
17. Frohman — Bentchkowsky D., Vadash L. Computer-aided design and characteristics of digital MOS integrated circuits. — «IEEE J.», 1969, v. SC-4, M 2.
18.Burns L. B. Large-signal transit-time effects in the MOS Transi tor. — «RCA Rev.», 1969, v; 30, № 1.
19.Караханян Э. P., Носов Ю. P., Шилин В. А. Анализ инерцион
ности МДП-транзистора. — «Радиотехника и электроника», 1972,
т. :17, № 4.
20.Шилин В. А. Высокочастотная модель МДП-транзистора.— «Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника», 1973. т. XVI, X* 3.
21.Шилин В. А. Каид. дис. Разработка математических моделей МДП-транзистора и приборов с зарядовой связью и их приме нение для анализа и оптимизации цифровых интегральных схем. М., МИЭМ, 1973.
22. Гальперин В. С., Красник Е. В., |
Овсянников Е. К. К вопросу |
|
о методике разработки электрофизической модели «МОП транзи |
||
стора и |
ее экспериментального |
исследования. — «Электронная |
техника. |
Микроэлектроника», 1973, |
вып. 4. |
23.Гальперин В. С., Дольник В. Я., Красник Е. В. АМИС — про грамма моделирования схемотехнических решений 'МОП БИС.— «Электронная техника. Микроэлектроника», 1973, вып. 4.
24.Байков В. Д., Кармазинский А. Н., Немчинов В. М. Влияние
потенциала подложки на вольт-амперные характеристики уни трона со структурой металл — диэлектрик — полупроводник.— «Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника», 1969, т. XII. № 5.
25.Ильин В. Н. Машинное проектирование электронных схем. М., «Энергия», 1973.
26.Paul R. Die ersetzschaltung van feldefeckttransistoren mit isolierten gate. — «Naclirichtenteclinik», 1966, v. .16, № 7.
27.Vanderpre D. An -accurate two-dimensional numerical anaylsis of
the MOS Transistor. — «Sol.-St. Electr.», 1972, v. 16, № 6.
28.Березин И. С., Жидков Н. П. Методы вычислени" М., Физматгиз, 1959.
К г л а в е 5
1.Кроуфорд Р. Ионное легирование в технологии МОП ИС с на грузками, работающими в режиме обеднения. — «Электроника», 1972. т. 45. № 9.
2.Юдин В. В., Туркин В. В. Основы технологии ионной импланта ции и ее применение в полупроводниковой электронике. — «Зару бежная электронная техника», 1972, № 8, 9.
3.Гиббонс Р. Ионное внедрение в полупроводниках. — «ТИИЭР»,
1968, т. |
56, |
3. |
4. Ходош |
Л. |
С. Расчет профиля внедренной примеси в МДП-тран- |
302
зисторах с ионнолегированными каналами. — «Электронная тех ника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы», .1973, Mb 8.
5.Носов Ю. Р., Ходош Л. С. Анализ характеристик МД:П-транзи- сторов с ионнолегированными каналами. — «Микроэлектроника», 1973, т. 2, Mb 5.
6.Edwards D. R., Магг G. Depletion-mode IGFET mod by deep i
implantation. — «IEEE |
Trans.», |
1973, v. ED-20, Mb |
3. |
7. Lin H. C., Jones W. S. Computer analysis of the |
double-diffused |
||
MOS transistor for |
integrated |
circuits. — «IEEE |
Trans.», 1973, |
v. ED-20, Mb 3.
8.Зи C. M. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Под ред. А. Ф. Трутко. М., «Энергия», 1973.
9. |
Frohman — Bentchkowsky |
D. A fully |
decoded 2048 — bit electrical |
|
|
ly programmable FAiMOS |
read only |
memory. — «IEEE J.», |
1971, |
10. |
v. SC-6, Mb 5. |
|
|
devi |
Boyle W. S., Smith G. E. Charge — coupled simiconductor |
||||
11. |
ces.— «Bell Syst. Techn. J.», 1970, v. 49, Mb 4. |
|
||
Альтман Л. Приборы с зарядовой |
связью — новое направление |
|||
|
в создании ЗУ и устройств формирования сигналов изображе |
|||
|
нии. — «Электроника», 1971, т. 44, № |
13. |
|
|
12.Носов Ю. Р., Шилин В. А. Приборы с зарядовой связью — новое направление микроэлектроники. — «Зарубежная электронная тех ника», 1972, Mb 13.
13.Носов Ю. Р., Шилин В. А. Теоретический анализ режимов хра нения и передачи заряда в приборах с зарядовой связью. — «Ми кроэлектроника», 1973, т. 2, Mb 1.
14.Amelio G. Т. et al. Charge — coupled imaging devices: design
cousideration. — «IEEE Trans.», 1971, v. ED-18, № 11.
15.Strain R. J., Schryer N. L. A nonlinear diffusion analysis of char ge-coupled divice transfer. — «BSTJ», 1971, v. 50, Mb 6.
16.Шилин В. А. Аналитический расчет управляющих напряжений и быстродействия приборов с зарядовой связью. «Изв. вузов СССР.
Радиоэлектроника», .1973, т. 16, Mb 4.
17.Mohsen А. М. Charge transfer in charge coupled devices. — «IEEE J.», 1973, v. SC-8, Mb 3.
18.Шилин В. А. Приборы с зарядовой связью. — В кн.: Микроэлек троника. Под ред. А. А. Васенкова. Вып. 6. М., «Сов. радио», 1973.
19.Носов Ю. Р., Скороходов В. Д., Шилин В. А. Приборы с заря
довой связью. Основные электрические характеристики. — «Элек тронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы», 1972,
№8.
20.Русаков С. Г., Шилин В. А. Алгоритмы машинного расчета ха
|
рактеристик |
интегральных |
схем |
на |
приборах с зарядовой |
21. |
связью. — «Микроэлектроника», 1973, т. |
2, Mb 5. |
|||
Lee Н. S., Heller L. G. Charge-control |
method of charge-coupled |
||||
22. |
device transfer analysis. — «IEEE |
Trans.», 1972, v. ED-19, Mb 12. |
|||
Shockley W. |
A unipolar |
fuld-effecl transistors. — «Ргос. IEEE», |
|||
|
1952, v. 40, Mb |
11. |
|
|
|
23.Кобболд P. С. Теория и применение полевых транзисторов. Пер.
сангл. М., «Мир», 1975.
24.Trofimenkoff F. N. Field-dependent mobility analysis of the fieldeffect Transistor. — «Proq. IEEE», 1965, v. 53, Mb II.
25.Van der Ziel А., Его J. W. Small signal high-frequency theory of field-effect Transistors. — «IEEE Trans.», 1964, v. ED-11, Mb 4.
Оглавление
Предисловие |
|
|
|
|
3 |
Введение |
|
|
|
|
5 |
Глава / |
|
|
|
|
|
ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПОСТРОЕНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ |
|
||||
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬ |
10 |
||||
НЫХ СХЕМ |
|
|
|
|
|
1.1. Требования к математическим моделям. Классифика |
10 |
||||
ция моделей |
|
|
|
||
1.2. Исходные уравнения . . . |
|
. |
17 |
||
1.3 Методы построения моделей |
|
21 |
|||
1.4. Эквивалентные схемы физических процессов в полу |
|
||||
проводниковых |
структурах |
|
|
37 |
|
1.5. Макромоделн цифровых ИС |
|
|
45 |
||
Глава 2 |
|
|
|
|
|
БИПОЛЯРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ |
48 |
||||
2.1. Одномерная |
модель |
. |
. |
51 |
|
2.2. Моделирование |
двумерных эффектов |
76 |
|||
2.3 Моделирование |
трехмерной |
структуры |
83 |
||
Глава 3 |
|
|
|
|
|
БИПОЛЯРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ |
93 |
||||
3.1. Малосигнальные Модели транзистора . . |
95 |
||||
3.2. Модели транзистора для режима большого сигнала |
109 |
||||
3.3. Разновидности |
биполярных |
элементов интегральны |
|
||
•схем |
. |
|
|
. |
151 |
3.4. Определение параметров моделей транзисторов |
165 |
||||
Глава 4 |
|
|
|
|
|
УНИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ |
|
||||
(МДП-ТРАНЗИСТОРЫ) |
|
|
|
|
182 |
4Л. Основные уравнения МДП-компонентов |
184 |
||||
4.2. Физико-топологические модели |
|
189 |
|||
4.3. Электрические |
модели |
|
|
231 |
|
4.4. Малосигнальные модели |
|
|
237 |
||
4.5. Двумерный |
анализ |
|
|
242 |
|
Глава 5 |
|
|
|
|
|
РАЗНОВИДНОСТИ УНИПОЛЯРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ |
250 |
||||
5.1. МДП-транзистор с ионно-легированнымканалом |
250 |
||||
5.2. Другие разновидности МДП-транзисторов |
265 |
||||
5.3. Приборы с |
зарядовой связью . . . . |
271 |
|||
5.4. Униполярные |
транзисторы |
с |
управляющим р— п-пе |
|
|
реходом |
|
|
|
|
283 |
Список литературы |
292 |