Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Физика композитов.Термодинамические и диссипативные свойства

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.34 Mб
Скачать

х "(ш)

Рис. 3.11. С хем атическое изображ ение качественного поведения мнимой части м агнитной восприимчивости в трех реальны х ф изических случаях (кривая 1 - один действительный корень уравнения (8), кривая 2 - три дейст­ вительных корня, кривая 3 - пять корней)

Рис. 3.12. С хематическое изображ ение осциллирую щ ей зависимости мнимой

части магнитной восприимчивости в Р -компонентном

композите

П ериод осцилляций максимумов приблизительно

АУрт&х = 2co*Tj/(2Р +

+ 1)(2Р + 3)

 

рой Х аШ = Хо(Ш) + *х£(ю). гДе индекс (X= 0,1,

Ха = Ха ф + ю2т2),

Ха = Х а ^ а ф + с°2'1а)> позволяет оценить экстремальные точки по час­

тотной оси. В результате оказывается, что уравнение, из которого они могут быть найдены, имеет вид уравнения пятого порядка относитель­ но у2, где у = шть a Tj - характерное время релаксации в примесной

фазе в магнонном приближении [3.4]:

 

(1- / Х 2) (a + y2f + by2 +D(l + y2A?)2yOO = 0,

(3.119)

где фигурирующие в этом уравнении параметры таковы:

 

Х = т0 /т,, а = \-4nNX\, Ь = (4пЫхх)2, D = ^ \ \ 1 х № ~ К \

6. Гладков С .О .

161

функция

V(y) = (1+ Зу2)[(fl + у2)2 + by2]- 4у2(1+ у2)(а + 0,5Ь + у2).

Согласно общей методике нахождения корней алгебраического урав­ нения л-го порядка [3.57] и в рамках нашей задачи можно утверждать, что имеют место три реальные возможности: а) один действительный корень, б) три действительных корня и в) пять действительных корней. На рис. 3.11 схематически изображены все три случая.

Обобщение на композит с Р примесными фазами приведет, оче­ видно, к алгебраическому уравнению на экстремумы мнимой части маг­ нитной восприимчивости (1 + 4Р)-то порядка. А это значит, что физи­ чески могут реализоваться только 1 + 2 Р случая. Таким образом, зави­ симость имеет ярко выраженный осциллирующий характер, на­ глядно продемонстрированный схематически рис. 3.12. Период этих колебаний можно оценить следующим образом. Пусть со* - предельная частота, выше которой х"(со) ведет себя как 1/со. Поскольку полное количество максимумов Nmax = + 1, а минимумов Nm,п = 2Р, то сред­ ний период по максимумам есть

АуРтах =

/(2Р + 3) - СО\

/(2Р + 1)| = 2(0*1, /(2Р + 3)(2Р +1),

 

 

(3.120)

а по минимумам

 

 

AyPmin=co*T,/2P(P + l).

(3.121)

Для одной примесной фазы (Р = 1) расстояние между максимумами при­ близительно Ду1тах = со*т,/7,5, а между минимумами - Ay,min = со*т,/4. Надо заметить, что описанное выше поведение восприимчивости маг­ нитного композита на качественном уровне можно представить себе, например, следующим образом. Когда примесных фаз несколько и все они различны, то совершенно понятно, что каждая из них поглощает свой спектр частот РЧ поля, и, значит, в частотном масштабе они вы­ страиваются в иерархическую цепочку. Поэтому, подобрав по такому признаку дисперсные фазы, можно получить очень нужный в прак­ тическом отношении композит, поглощающий весьма широкий спектр радиочастот. Количественное же описание, проведенное выше, адек­ ватно указывает на корректность этих выводов и дает положительный импульс экспериментальному исследованию подобных структур.

3.6. ТЕОРИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ

НЕОДНОРОДНЫМИ ДВУХКОМПОНЕНТНЫМИ СИСТЕМАМИ (СТРУКТУРА D+M)

В настоящем разделе теоретически будет исследован композит, матрица которого представляет собой чистый диэлектрик (скажем, по­ липропилен), а в качестве примесной фазы выберем макроскопические

162

z

-

"

- ■

-

»

» X

 

_________________________ £

 

 

Рис. 3.13. Геометрическое расположение осей координат и приложенного

электрического поля

магнитные частицы. Для такой структуры будут вычислены диэлек­ трическая проницаемость и важный в практическом отношении тангенс диэлектрических потерь в зависимости от частоты приложенного элек­

трического поля, концентрации магнитной фазы и температуры Т.

При изложении настоящего раздела будем придерживаться в основном результатов работ [3.64] и [3.65].

Пусть композит представляет собой очень тонкую пленку, а пере­ менное электрическое поле направлено вдоль плоскости по оси х (рис. 3.13). Следуя схеме и алгоритму, уже описанным в разделе 3.1, можно легко определить диэлектрическую проницаемость такой сильно неоднородной по составу среды.

Действительно, согласно формуле (3.7а) е будет иметь вид

Е1* “

(l “ £*)е0

(3.122)

 

[l + ( e , - l М - М ] _

Для сферических включений, когда

NXxx= Nlyy = Nla = 1/3, a L, = 0

(поле Лоренца в сферических, а тем более в магнитных образцах от­ сутствует), имеем

е* = 8Й [(1 -Г )ео + 3 ^ е , / ( 2 + е,)].

(3.123)

С помощью формулы е0 = Eg(со) + /Ео(со) выражение (3.123) можно переписать несколько иначе. В самом деле, поскольку для магнитных частиц ех не зависит от частоты, то имеем

e = (l-$ * )(e i + iEj) + 3

$'(eJ + <e;;)2el/(2 + £l).

(3.124)

Отделяя здесь мнимую и действительную части, найдем, что дейст­ вительная часть есть

e' = (l-V )eS +WT[(ei)2 - (e j)2],

(3.125а)

где b = 3£J/( 2 + е,)2, а мнимая будет

E" = (l-^ )e J + 2^*E5eJ.

(3.1256)

6*

163

Составив их отношение, придем к формуле для "тангенса дельта":

 

( 1 - ^ ) е; + 2Н Ч ео

tg 5 = — =

(3.126)

8'

(l-|')eJ + H'[(ei)2-(eS)J]'

Сделаем замену: е' = x(t), а г" = у(?), где параметр ? = оот0. Тогда, диф­ ференцируя выражение (3.126) по параметру ?, получим следующее ал­ гебраическое уравнение для определения экстремальных точек:

j[l -

+ 2Ь$*(у'х + у)] [(l -

+ Ъ^[у2 - л2)] -

 

- [(l -

£*)дг + 2b$*xy] [l -

+ 2b^*(yy' - *)]} dxfdt = 0.

(3.127)

Из приведенного уравнения сразу же следует, что по крайней мере один экстремум имеется всегда. Действительно, из равенства dx/dt = 0 на­

ходим, что первый корень есть tx= (е0/е 0оо)1/2

Связь между у их очевидна. Действительно, согласно дебаевскому определению имеем

е0 + £0оо(о2т^

У= ео(ш) =

1 + Ш2Хо

 

X = Е о И =

(ер ~ £о»)(|УСо

1 + со2т§

 

а значит,

 

у = е0 - 0,5^а + <Ja2 - 4 х 2j,

где а = Е0 - £0„.

Уравнение (3.127) является алгебраическим уравнением пятого по­ рядка относительно ?. Это значит, что при наилучшем соотношении между входящими в него параметрами имеется пять действительных корней: ?! 2,з,4,5*® остальных же реальных случаях может быть а) три

корня ?! 2,3 и б) один корень ?|. Это означает, что схематически пове­

дение tg 5 можно проиллюстрировать рис. 3.14, на котором изображены пять возможных кривых. Следует заметить, что в отличие от корня fj

остальные корни являются сложными функциями от концентрации £,* примесной фазы. Условно это можно записать в виде следующих ре­ шений (напомним, ? = 0УС0):

т 2 ”

)V .

шз =

)то'.

 

(3 .1 2 8 )

4= 54(^ ) то1.

=)x<i'

164

tg<F

Рис. 3.14. Схематическое изображение пяти возможных случаев для tg5 при различных гипотетических соотношениях между входящими параметрами

Надо сказать, что к большому сожалению функции <$2,3,4.

нельзя выразить аналитически в сколько-нибудь удобном обозримом виде даже в том случае, когда дело касается решения только куби­ ческого уравнения, для которого имеются вполне конкретные формулы в форме, предложенной Кардано, и согласно которой соответствующие решения просто необозримы. Приводить их, пожалуй, мы не будем, а заметим только, что проще, конечно, сделать соответствующие оцен­ ки, исходя из заданных параметров вполне конкретной структуры, рас­

считав зависимости *(«*) для любых на компьютере. Что же ка­

сается уравнения пятого порядка, то, как говорится, здесь комментарии просто излишни.

И еще. Может возникнуть вполне законный вопрос: а почему про­ пущены решения, когда корней может быть, скажем, два или четыре? Согласно общей теории алгебраических кривых n-го порядка для чет­ ных п соответствующая полиномиальная функция уходит в отрица­ тельную область значений и, таким образом, для описания реального процесса поглощения не годится. В противном случае такое поведение tg 8 означало бы просто, что происходит не поглощение, а излучение ЭМ энергии композитом, что находится в противоречии со всеми из­ вестными законами природы.

Итак, из соотношения (3.127) следует, что учет частотной зави­ симости тангенса диэлектрических потерь приводит к резко выражен­ ным максимумам на вполне определенных частотах, зависящих, в свою

очередь, от концентрации

Заметим, что для чисто однородного

вещества tg 8, как должно

быть, есть (е0 - е0вв)сот0Д е0 + е0овш2То).

Качественное различие между поглощательными способностями компо­ зита и однородной диэлектрической средой наглядно демонстрирует рис. 3.15. Из него видно, что при фиксированных значениях £0 и е 0о, максимум поглощения при наличии примесной фазы "гуляет" относи­

165

Ц6

Рис. 3.15. Зависимость tg8 от частоты прилож енного переменного электри­

ческого поля в двух физических случаях К ривая 1 соответствует однородному диэлектрику, а кривая 2 отвечает

двухфазной структуре типа D + М в зависимости от величины Ео„

тельно точки (Oj = х01(ео/£о~)^2 влево и вправо в зависимости от ве­ личины е0вв. В самом деле, проанализируем формулу (3.126) для случая малых £*. Разложив дробь по параметру £*, найдем

tcS = Ео Н |

2Ы;*е£3(со)

(3.129)

£'o(®)

(l-^*)£o2(co)

 

Дифференцируя полученное выражение по t = шт0, получаем уравнение

(е о -Е р У )

D(atf

 

1+

(еооУ ) 2

En +£п„/ У ( 1 + ' 2 ) '

2Рд3г2е0(2 - EQL - epl) _

(е0 + E0oef2)3(l + f2)2

где D = 2b^{\ - £*) = 6EJ^*/(2 + Ej). Здесь учтено выражение для b (см.

формулу (3.125а)).

Ищем его решение в виде t = t{ - 5 , где ц = (е0/80ов)^2 Подстав­ ляя это t в приведенное уравнение, немедленно находим, что

 

 

г р

\ Ъ12

(ео - ео«) / _ - 2

 

5 = 1,5

$*

Е0о

 

(3.130)

е0

 

( e ^ + e o l- 2 ) .

 

 

 

2 + El (Ео+ЕоооУ

 

Мы убедились, таким образом, что максимум поглощения будет смещаться либо влево, либо вправо (в зависимости от того, мало е0оо

или велико), что собственно, и определяет знак выражения (e o i+Eo l - 2 ) .

166

Перейдем теперь к оценке потерь магнитной энергии в классе композитов D +М. Согласно формуле (3.13)

2 + Ц, *

Отсюда, как и следовало, поглощение определяется только магнитной мелкодисперсной фазой и

ц"(со) =

(|х' + 2)2 + fi"2(oo)

Представив, например, частотные зависимости магнитной прони­ цаемости следующим образом:

Ц '(С 0 ) =

Ц |

тг

1 + со2т?

 

1 + со

 

 

Т 1

 

находим

 

 

 

 

(ц !+ д 1ввд:2)

+ р\х2

(3.131)

 

 

где р0 = (J-!

- |ilee, х = сот,.

 

Дифференцируя равенство (3.131) по х, найдем условие на экстре­

мумы функции д"(со):

 

 

(l + 3x2) ( ^ + |i,„ x 2)2 + pfc2] -

 

- 2x2(l + х2) 2(11! + Д1ввдг2)2 + p j] = 0.

(3.132)

Поскольку полученное уравнение является уравнением третьего

порядка по отношению к дг2, то существует только две возможности: а) три корня действительные; б) один корень действительный.

Схематически поведение |i"(co) иллюстрирует рис. 3.16. Для ди­ электрика время релаксации т0 должно определяться релаксацией поляризации Р. Надо заметить, что если речь идет о фононном меха­ низме релаксации и в диэлектрике и в магнетике, то качественное поведение времен Т! и т0 оказывается одинаковым, а количественное будет различаться. Последнее связано с тем, что константы взаимо­ действия между фононами в диэлектрике и магнетике могут несколько различаться, поскольку зависят от конкретной симметрии вещества.

Остановимся теперь на вычислении коэффициентов деполяризации N0 как функции от концентрации магнитной примесной фазы. Пусть диэлектрик представляет собой тонкую пленку, а магнитные включе-

167

Рис. 3.16. Поведение мнимой части магнитной проницаемости, как функции

частоты Кривая / отвечает трем действительным корням уравнения (3.132), а

кривая 2 - одному корню

ния будем рассматривать как пустоты. Предположим (рис. 3.17), что геометрия расположения сферических включений представляет собой аксиально-симметричную "дисковую" фигуру. То есть вдоль оси г пус­ тоты располагаются по концентрическим окружностям. Причем в цент­ ре окружности частицы нет. Для такой симметричной фигуры вычислим N0. Согласно определению компонент тензора деполяризации (см., ска­ жем, [3.4]) имеем

Nik = (l/4Tt)J(d2/dx,dxk)(l/r)dV = {l/4lt)H{d/dx,-%\/r)dSt .

(3.133)

 

s

 

Начнем вычисления c Na . Запишем N0zz в виде

 

 

J

 

N0zz = (l/47i)JI

1 (dV dz2 )(l/r)d!z.

(3.134)

Чтобы найти внутренний интеграл, представим себе одномерную структуру и схематически изобразим ее в соответствии с рис. 3.18, где сферы условно обозначены пробелами, расстояние между которыми пусть будет 2х . Размер "пустоты" есть d. Если длина такой нити 5, то, легко понять, полное количество пустот вдоль оси z есть

«шах = (S - *)/(<* + 2х).

 

 

 

(3.135)

Далее, поскольку концентрация

= x(l + 2nmax)/8, а 1 -

= dn^fb,

то с учетом (3.135) находим связь между d и х :

 

x = $ V /2 (l- V ) -

 

 

 

(3.136)

С учетом сказанного внутренний интеграл запишется так:

 

увн = - г /^ |65 = - J(d/dz)(z/r3)<fc-

J

(djdz^z!r3)dz - ... -

х

 

«/ + Зх

 

(члены с заменой d = * - d , х => - х ). При

малых концентрациях маг-

168

X

Рис. 3.17. С хем атическое изображ ение дисковой структуры располож ения

частиц магнитной мелкодисперсной ф азы К онцентрические окружности леж ат в плоскости х - у

Рис. 3.18. У словное изображ ение сф ерических магнитных частиц в виде линейных пробелов

нитной фазы, вплоть до значений ^ 1/2, можно разложить получаю­ щиеся в результате интегрирования функции по степеням х. В результате находим

м

N Ozz = ( 1 /4 л ) \ \ d x d y x

 

х | г n j (х 2 + у 2 + X2)3' 2 + 4 X X *(*2 + у2 + n 2d 2J 3/2 1.

(3.137а)

Переходя здесь к полярным координатам, получим

 

М

 

v-l/2

(3.1376)

N0 a = (x /2 )|- (P2 + x2)-1/2- 2 " r ( p 2 + n V )

Разбив радиальные нити на области

 

р 6 [0: Jj + х] U [^i + Зх : 2dx+ Зх] U [2dl + 5х : 3dx+ 5х] U ....

 

где </, =л/2d и

 

^ ш а х = (М -* )/(4 + 2 х ),

(3-138)

169

в результате (так же, как и выше), разлагая выражение (3.1376) по степеням х , получаем приблизительно:

N0a = 1 - 5 х 2 / 2 d\ NT \ l / N d - 2 dxx/(df + N2d2f 2].

Подставляя сюда (3.135) и учитывая, что dx=*j2d, получаем окон­ чательно:

W0a= l- 5 |* 7 l6 (l- ^ )2 + {5 V 2 (l-C )}”l 1IN.

(3.139)

Нам осталось только оценить сумму членов расходящегося гармони­ ческого ряда. Приблизительно имеем

^тпах

l { y N ) = Nmax\nNmax

N= \

ис учетом (3.138) и (3.139) найдем

Л10 и = 1 - 5 V 2 / I 6 ( l - V ) 2 + [ г 2 l n ( r / 2 ) ] / 4 ( l - $ * ) •

(3 .1 4 0 )

Что касается компонент N0xx = N0yy, то для них имеем

Ло« = Л0„ = (1 -* о * )/2 =

= 5V2/ 3 2 ( l - V f - [ V 2ln(V /2)]/8(l-V )-

(3-141)

Итак, полученые формулы отвечают на поставленный вопрос о зависимости коэффициента деполяризации от концентрации примесной фазы. Еще раз подчеркнем, что чисто формально магнитные макроско­ пические добавки заменены свободными объемами.

Из формулы (3.140) видно, что зависимость коэффициентов N0 от

концентрации магнитной фазы при малых весьма слабая (пропорцио­

нальная £*2), но тем не менее функциональное поведение tg 5 при

учете зависимости ^о(^*) становится очень сложным, и его схематиче­

ское поведение можно изобразить в соответствии с рис. 3.19. Надо заметить, что такое нестандартное поведение tg 5 присуще любой двухкомпонентной структуре, когда в основную матрицу добавлено ино­

родное вещество с концентрацией £*, причем это вещество не диэлект­ рическое.

Вычисленная выше диэлектрическая проницаемость двухфазных систем (диэлектрик + макроскопические магнитные частицы) позволяет предсказать ряд особенностей поглощения внешнего электромагнитного излучения подобными веществами.

170