книги / Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах

Р Е Ф Е Р А Т Ы

УДК 518.5 : 548.4

К и р с а н о в В. В. ЭВМ-экспсримснт в современном материаловедении // Моделирова­ ние на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 0—22.

Вычислительный эксперимент (ЭВМ-эксперпмент) в последние годы все более ши­ роко проникает в различные ветви материаловедения. Пионером использования ЭВМэкспернмента оказалось радиационное материаловедение. Появилась новая ветвь ис­ пользования ЭВМ-моделей в материаловедении: машинный поиск оптимальных соста­ вов сплавов, которые удовлетворяют заданным требованиям. Эта ветвь близко примы­ кает к планированию натурного эксперимента в сложных условиях эксплуатации ма­

териалов.

Бнблиогр. 27 назв. Ил. 2.

УДК 548.4.001

3 и и с п к о в а Г. М., Т я п у н и и а Н. А. Диполи н дипольные скопления в массивных образцах и пластинах ГПУ-мсталлов // Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 23—41.

Изложен детальный анализ дислокационных диполей как одних из наиболее часто встречающихся элементов дислокационной структуры, формирующихся в кристаллах независимо от вида нагружения. Основные результаты приведены для базисных дисло­ каций магния. Проанализированы положения равновесия диполей и квазидиполей с раз­ личной ориентацией векторов Бюргерса в массивном образце и пластине конечной тол­ щины. Проведено моделирование на ЭВМ изображений диполей и квазиднполей в пла­ стине и массивном образце. Проанализирована роль диполей как структур, стимули­ рующих поперечное скольжение при постоянной и знакопеременной нагрузках.

Бнблиогр. 52 иазв. Ил. 6. Табл. 1.

УДК 548.4

Г р и н б е р г Б. А. Блокировка дислокаций и аномалии деформационных характеристик

ннтерметаллнда T iA l/ / Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 42—53.

Дан анализ теоретических моделей, предложенных для объяснения аномалий де­ формационных характеристик интерметаллида TiAl. Рассмотрены различные механизмы блокировки дислокаций, связанные с образованием барьеров Кира—Вильсдорфа, некомпланарным расщеплением дислокации, захватом дислокаций в глубокие долины

Пайерлса. Обсуждается возможность использования различных моделей для объясне­ ния хрупкости интерметаллида TiAl.

Бнблиогр. 33 назв. Ил. 4.

УДК 548.4.001

Л и х о д е д о в Н. П ., К л я в и и О. В. Атомная динамика дислокаций в кристаллах с примесями// Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 54—75.

Дан обзор работ, в которых методом машинного моделирования рассмотрены кон­ фигурации ядер дислокаций (краевые, винтовые, одиночные и парные перегибы на них). Анализируется взаимодействие указанных конфигураций с точечными дефектами (соб­ ственными межузельными атомами, вакансиями, атомами внедрения: гелием и углеро­ дом). Микроскопические расчеты миграции точечных дефектов в кристаллах дают осно­ вание утверждать, что практически отсутствует облегченная диффузия внедренных ато­ мов по ядрам дислокаций в ОЦК-решетке, а континуальные модели неспособны аде­ кватно описывать многообразие взаимодействий точечных дефектов с ядрами дислокаций.

Бнблиогр. 62 назв. Ил. 9.

УДК 548.4

А р т е м ь е в А. В., Ф н о н о в а Л. К. Мишинное моделирование структуры границ зерен/ / Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 76—92.

Дан обзор основных моделей атомного строения границ зерен в различных материа­ лах. Описаны методы моделирования на ЭВМ атомной структуры границ зерен в полу-

222

проводниках, рассмотрены основные элементы релаксационной процедуры. На основа­ нии ЭВМ-моделнровання получено описание структуры границ зерен с помощью струк­ турных элементов, качественно одинаковых для границ зерен с идентичными кристалло­ графическими параметрами в материалах с одинаковой атомной структурой. Обсуждается возможность использования результатов ЭВМ-моделированпя атомной структуры гра­ ниц зерен для анализа их свойств. Приведены результаты исследования электронной структуры границ зерен в полупроводниковых материалах.

Бпблиогр. 58 назв. Ил. 1. Табл. 1.

УД К 539.374 Г 424—548.4

Излагается методика расчета мартенситной неупругости, позволяющая прогнози­ ровать механическое поведение кристаллических материалов со свойствами памяти формы и в более широком смысле материалов, испытывающих фазовые превращения. Теория основана на использовании представлений об особенностях реально протекаю­ щих в твердом теле реакций и допускает переход от физики явлений непосредственно к* инженерному уровню проблемы. Все математические построения сделаны в общей постановке, что обеспечивает решение конкретных задач произвольного характера.

Бпблиогр. 2 иазв. Ил. 5.

УД К 548.4.001

Б л а н т с р М. С. Машинное моделирование структуры и свойств твердых растворов внедрения/ / Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 105—118.

Сделан обзор работ по моделированию на ЭВМ твердых растворов С, N, О в ме­ таллах с ОЦК-решеткой (a-Fe, Nb, V, Та). Рассмотрены потенциалы взаимодействия внедренных атомов друг с другом и атомами замещения, рассчитанные на основе модели деформационного (упругого) взаимодействия в дискретной кристаллической решетке, дополненные кулоновским пли «химическим» взаимодействием в ближайших координа­ ционных сферах. Приведены результаты моделирования дальнего и ближнего порядков и влияния последнего на сопротивление движению дислокаций (упрочнение) и спектры внутреннего трения смешанных растворов внедрения—замещения. В случаях, когда возможно сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными, на­ блюдается удовлетворительное совпадение.

Бпблиогр. 28 назв. Ил. 7. Табл. 1.

УД К 539.12.04

Т р у ш и н Ю. В. Микроскопические механизмы эволюции структуры в распадающихся под облучением твердых растворах // Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 119—145.

Развита теория радиационных процессов в металлических твердых растворах за­ мещения на различных стадиях повреждаемости и распада. Получены аналитические выражения и зависимости для таких характеристик, как каскадная функция, длина пробега динамических краудионов, концентрация точечных дефектов, скорость и эффек­ тивность поглощения стоками точечных дефектов, размеры формирующихся выделений второй фазы, скорость радиационного распухания гетерогенного материала. Подчерк­ нута необходимость постановки комплексных аналитических и ЭВМ-расчетов для опи­ сания изменения свойств облученных материалов.

Бпблиогр. 170 назв. Ил. [7.

УДК 548.4

П л а т о в 10. М., Л а з о р е н к о В. М., С и м а к о в С. В ., Т о н т и н В. 11. Зарожде­ ние и рост дислокационных петель в металлических материалах при облучении {; Модели­

рование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 199и. С. 146—157.5

Изучены процессы зарождения и роста дислокационных петель в чистом алюми­ нии и бинарных твердых растворах алюминии с цинком и магнием при облучении в вы­ соковольтном электронном микроскопе. Процесс зарождения дислокационных петель рассмотрен в рамках классической теории зарождения. Это позволило учесть влияние растворенных элементов на энергетические параметры зарождения. Эксперименталь­ ные данные по росту петель анализируются на основе аналитического уравнения описы­ вающего кинетику накопления межузельных атомов в дислокационных петлях Подучен

223

билыюсти твердых растворов в условиях зарождения п роста дислокационных петель при облучении.

Библиогр. 34 назв. Ил. 3. Табл. 1.

УДК 539.12.04

П и р о г о в Ф. В. Эффекты проотранственных корреляций в процессах накопления и агрегации радиационных дефектов в твердых телах // Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 158—172.

Дан обзор результатов по исследованию в л и я н и я пространственных корреляций на процесс агрегации как подвижных, так и неподвижных дефектов в трехмерных си­ стемах. Предложен приближенный метод статистического описания пространственных корреляций в системах с реакциями рекомбинации и захвата. Такой метод используется при немалых концентрациях реагентов в широком интервале изменения значений ки­ нетических параметров системы.

Библиогр. 29 назв. Табл. 1.

УДК 548.4

К и в А. Б ., К о в а л ь ч у к В. В. Кластерные модели пограничных слоев в многослойных структурах/ / Моделирование на ЭВМ»дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 173—184,

Дан обзор экспериментальных и теоретических результатов исследования малых металлических кластеров. Выявлены некоторые закономерности поведения физико­ химических характеристик в зависимости от размеров кластеров. Предложена и обсуж­ дена модель силицидообразования на поверхности Si.

Библиогр. 23 назв. Ил. 2.

УДК 539,12.04

К о ш к и н В. М., 3 а б р о д с к и u Ю. Р. Зона неустойчивости и кинетика накопления

радиационных дефектов/ / Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 185—205.

Дан обзор физических механизмов возникновения зон неустойчивости не только около точечных дефектов, но и вблизи других взаимодействующих дефектов в твердых телах. Приведены данные о влиянии фокусировки атомных соударений на вероятность аннигиляции вакансий и межузельных атомов. Дан обзор теоретических и эксперимен­ тальных результатов исследования образования радиационных дефектов в рыхлых кри­ сталлических структурах, обладающих повышенной радиационной стойкостью.

Библиогр. 52 назв. Ил. 2.

УДК 539.1.01 / 539.2 : 548А

Б о й к о В. С. Математическое моделирование атомной структуры границ зерен и их взаимодействия с точечными и линейными дефектазш // Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. Л.: Наука, 1990. С. 206—220.

Анализируются результаты математического моделирования атомной структуры границ зерен, их взаимодействия с точечными и линейными дефектами в ОЦК-решетке. Кратко рассматривается методика машинного моделирования. Приведены результаты моделирования вакансий и их комплексов (днвакаисий, трнвакансий, цепочек вакансий) в границах зерен и в приграничных областях решетки. Моделирование на атомном уровне взаимодействия решеточной дислокации с границей зерна показало в соответ­ ствии с электронно-микроскопическим экспериментом, что дислокация притягивается к границам, которые могут служить их стоками. Согласно полученным результатам, менее равновесная граница зерна должна являться более интенсивным стоком для дис­

локаций.

Библиогр. 42 назв. Ил. 4. Табл. 1.

224