Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Синтез принципиальных схем цифровых элементов на МДП-транзисторах

..pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.41 Mб
Скачать

ческие переменные. Такой способ считывания показан на диаграмме 2 (рис. 3.9). Для передачи на выход схемы инфор­

мационных сигналов Xi и Х х без искажения уровней необхо­ димо использовать двунаправленные ключи (параллельное соединение п - и p-канальных транзисторов). Схемная реа­ лизация показана на рис. 3.12,6. Как видно из рисунка, схема содержит четыре транзистора и управляется двумя парами дополняющих сигналов. Отметим, что этот вариант схемы один из оптимальных по числу транзисторов.

. Способ считывания, показанный на диаграмме 6, имеет такой же комплекс (см. гл. 2), как и на диаграмме 2. Одна­ ко схемотехническое решение [61] (рис. 3.12, в) отличается от приведенного на рис. 3.12, б. Достоинство новой схе­ мы в том, что она требует меньшего числа внешних сигналов

(Хь Хх, Х а) для выполнения функции. Недостаток схемы — число транзисторов больше минимального.

Способ считывания, показанный на диаграмме 8 (рис. 3.9), изменяет комплекс, но при реализации требует использования двунаправленных ключей для неискажен­

ной передачи информационных сигналов Х х и Х 2 на выход

схемы (рис. 3.12, г). Двунаправленные ключи могут быть заменены, например,.-инвертором (рис. 3.12, 5), позволяю­ щим восстановить искаженные уровни. Использование ин­ вертора в качестве формирователя уровней является эврис­ тическим приемом. При этом собственно логический элемент должен реализовывать функцию равнозначности.

Способ считывания, показанный на диаграмме 15, соот­ ветствует новому комплексу. Однако теперь появляется возможность при реализации уменьшить число транзисто­ ров-за счет многократного покрытия значений функции на отдельных наборах входных аргументов. Как показано на

диаграмме 15, значения функции на наборах Х гХ 2, Х хХ2 •оказываются считанными дважды (покрыты контурами на рис. 3.9). Поэтому достаточно только один раз на каждом из этих наборов передать без искажений входной сигнал через ветвь траизистор'ов. Схемотехническая реализация элемента показана на рис. 3.12, е. Транзисторы V T1, V T2 образуют двунаправленный ключ, передающий логические

О и_1 без искажения на выход схемы на наборах Х гХ 2, и Х гХ 2. Транзистор V T 3 без искажений передает уровень логического 0 на наборе Х гХ г и с искажением уровень 1 на наборе Х гХ 2. Однако, так как единичный уровень на этом наборе уже передается на выход схемы через транзисторы V T1, V T 2, то достаточно использовать один транзистор V T 3 для передачи без искажения значения функции на наборе

Х гХ ъ. Аналогично V T 4 без искажения передает уровень 1 и с Нскажением уровень 0, однако это не влияет на правиль­ ную работу всей схемы.

Проиллюстрированная возможность восстановления значения функции за счет передачи сигналов по другим вет-- вям, подключенным к выходу элемента, широко использу­ ется при совершенствовании схемотехнических решений. Достоинство схемы на рисГЗ.12, е в том, что в ней исполь­ зуется три входных сигнала и она.содержит минимальное число транзисторов.

Схема, которая соответствует способу считывания, по­ казанному на диаграмме 16, приведена на рис. 3.12, д. Ее достоинство в том, что по сравнению со схемой на рис. 3.12, е цепи входных сигналов в ней имеют приблизительно оди­ наковую емкостную нагрузку. Это способствует росту бы­ стродействия, схемы по сравнению с предыдущей реализа­ цией.

Рассмотренные принципиальные схемы не исчерпывают всего многообразия схемотехнических решений. Следует,

 

X,

х,

X,

X,

X,' 'X,

X,

X,

х2

К

7

X

/

г, г,

7

1

X*

1 X

1

7

А F, X

1 X

х, х,

ЛX Fi Fг S'

Х2

{ и и п ; х , \ х г }

; л j ; х 2j

{ц ил ;Х |,х2}

[ u u n <Xi ■х2}

н-L-ч.---

—.1—1—I.----

—|' _t Jr=-

1 iL^^Jr=~'

хЛтй п ^

^îSr^T

x , i £ 3 ! T

 

X

IppsÆfir ILJM Î IÂ

U

U

5) u

Рис. 3.13. Использование декомпозиции и коньюнкцни для реализа­ ции значений и1 функции:

а — декомпозиция диаграммы Вейча; б — схемотехнические реали­ зации

например, отметить, что при использовании входных сиг­ налов в качестве информационных и допускаемых искаже­ ниях выходных уровней 0 и 4 минимальное число транзис­ торов, необходимое для реализации схемы неравнознач­ ности (равнозначности), равно двум. Схема с минимальным числом транзисторов и неискаженными уровнями выходных сигналов содержит, четыре транзистора, причем в ней могут быть использованы двунаправленные ключи (рис. 3.12, б) или инвертор в качестве элемента формирования уровней (рис. 3.12, з).

Главные идеи технических приемов при синтезе основа-, ны на декомпозиции исходной логической функции и пред­ ставлении ее в виде дизъюнкции или конъюнкции не полно-

.стью. определенных функций, а также на применении опе­ рации инверсии.

На рис. 3.13 показана исходная диаграмма Вейча, спо­ собы ее декомпозиции и схемотехнические реализации с по­ мощью конъюнкции. Как было определено в гл. 1, конъюнк­ ция соответствует последовательному соединению транзис­ торов или целых фрагментов принципиальных схем. На диаграммах конъюнкции соответствует логическое произве­ дение значений функций на одинаковых наборах, входя­ щих в декомпозицию. Как следует из рис. 3.13, а, исходная диаграмма, содержащая два набора с неопределенными зна­ чениями, может быть заменена конъюнкцией двух диаграмм, на каждой из которых имеется по. одному набору с неопре­ деленными значениями. Функция F ± — произвольная

Х| X, х, X, х, X, [иип;х(;х2} х2}

"х2 X 1

X 1

X

X х2

7“lt=!

*ЗПГ

м 1 X'

X X

1

X Хг

' '“ I

P ’

а)

Ы

Ь*

я I___

1___.

Рис. 3.14. Использование декомпозиции и дизъюнкции для реализа­ ции значений и1 функции:

а — декомпозиция диаграммы Вейча; б — схемотехническая реали­ зация

функция, которая принимает значения, равные единице, на тех же наборах аргументов, что и исходная функция. В рассматриваемом примере удается достаточно, просто реа­ лизовать функции, входящие в декомпозицию, и объеди­ нить их конъюнкцией — последовательным соединением групп транзисторов, как показано на рис. 3.13, б (в фигур­ ных скобках отмечены множества допустимых информаци­ онных сигналов, которые можно использовать для реализа­ ции значений функции на ряде наборов).

№ а рис. 3.14, а показана реализация той же исходной функции с помощью декомпозиции и последующего объеди­ нения с помощью дизъюнкции. При дизъюнкции логичес­ ки складываются значения функций, входящих в декомпо­ зицию, на одинаковых наборах аргументов. Сравнивая ре­ ализации на рис. 3.13, б и 3.14, б, нетрудно заметить, что

X,

X,

i X, xf

A

х, X,

X,

x ,

X,X;

х2

й

X

0

F_

0

0 A X Fz h

X

 

 

 

 

 

 

Х2 У

X

0 0

 

F X

0

X

Ft Ft h

 

 

 

 

 

а)

 

 

 

X

X

X

- JT

хЛмГх*

id{±j±sl*L

 

iüp^jîsLït

v* i»!i7

7 * h 7

v h у

у и I

 

Xf lp -^ -w lXg

X, lp - j - » jl X2X, |w -^- * { |X t

{Z;X,;X:}

{z;x,;x*}

{z;x,;x*}

{Z;xi;x:}

 

0 )

 

 

Рис. 3.15. Использование декомпозиции и конъюнкции для реализа­ ции значений м° функции:

а — декомпозиция диаграммы Вейча; б — схемотехническая реали­ зация

 

h

%

Xf

%

"*■% Ы "

*Sb

h

X

0

X

/7

X X

 

h

0

X

X

V

в X

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

{ z , X jj/Л

[ZjX^XjJ:

 

 

 

 

 

0 )

Рис. 3.16. Использование декомпозиции и дизъюнкции для реализа­ ции значений ы° функции:

а — декомпозиция диаграммы Вейча; б — схемотехническая реали­ зация

хотя они и содержат 'одинаковое число транзисторов, но структура фрагментов схем различна. Поэтому при интег­ ральной реализации различными будут электрические ха­ рактеристики, топология и площадь элемента на кристалле. Для реализации соединений, показанных на рис. 3.13, б, потребуется вводить по крайней мере одно дополнительное соединение между парами транзисторов, что увеличит пло­ щадь легированных областей и паразитные емкости в местах соединений. Следовательно, синтез может влиять на топологищ и электрические характеристики элементов.

иип _

.Jl/TJ- ^

U--11E—, и01АВых ( Ф ,

ьГ ё Ь П .

.

т

 

VTi

*'

1~ у ~ 1 >,

 

 

иип

 

щ

т

: j |vfs

 

YTS\

 

« E l Вых

 

râ|

 

--

 

 

 

 

mj

 

H im

'г)

 

 

 

unn

*i

 

UHIÎ

 

 

VT11

VTZ

р7Т]

IITS

 

1E

. T IT Хг(Хг)

 

 

 

 

 

ш

]

v n

 

ml

VTS

Вых

 

|l«-

 

-«I

 

т \

 

 

Ъ VT?

Вых

vn

 

Xi

VT11

v n

h

 

 

 

 

 

 

■S)

 

 

 

 

, 1>1.

I

иип

 

 

VTS\L~

«нЦТУВых

 

x , \ l z, V T 7

 

 

 

Вых

x2

VTI|U*

-4\vn

x'

VTS

TS

 

n .

 

V

 

 

 

IV

 

3

 

 

 

3)

 

 

 

Рис. 3.17. Принципиальные схемы элементов равнозначности и не­

равнозначности, синтезированные с использованием декомпозиции диаграммы Вейча

На рис. 3.15 и 3.16 представлены,способы реализации нулевых значений функции с помощью декомпозиции. Схе­ мы равнозначности и неравнозначности, полученные при использовании декомпозиции, показаны на рис. 3.17.

Применение технических приемов при синтезе значитель­ но расширяет возможности совершенствования и видоиз­ менения принципиальных схем ЛЭ. Все рассмотренные в данном параграфе схемы можно использовать во входных цепях микросхем для проверки входных сигналов на равно­ значность или неравнозначность.

Отметим, что аналогичные технические приемы примени­ мы при синтезе схем, «с отношением» _и смешанного типа.

3.7. Синтез регистровых входных элементов

Отличительная особенность регистровых входных эле­ ментов •— наличие положительной ОС и восстановление по крайней мере одного из уровней входного сигнала за счет ее действия. Поэтому к регистровым относятся все элементы, РЛФ которых описывают цепи ОС. К таким РЛФ в соот­ ветствии с табл. 3.2 относятся {1 Ъ Z2, Z4 — Z„, Z13f Z14).

Несложно принудительно ввести ОС в запись РЛФ эле­ мента, ее не имеющего, т. е. в элементы прямого усиления. Рассмотрим в качестве примера РЛФ Zs. Приведем РЛФ для F 3 с дополнительными членами, обеспечивающими вве­ дение ОС для восстановления и регенерации уровней 0 й 1. Все введенные дополнительные члены соответствуют безус­ ловной ОС, так как функция условия Ф = 1:

Z s = и [11-f U [0] = [1Ш + [0JD + [1]«,

z, = [i]£> + [о]£>;+ toR

Z z — [D ll -f- [I R

Z3 = [DJI + [OR

Схемотехнические формулы, соответствующие

имеют вид

 

 

J

Cx ( F 3)

=

[1ÎDP +

[0JD« - f [\]UP,

Cx ( F 3)

[l]Dp+

[0JDn +

[0lw«,

Cx (F a) =

[DIOP +

ир

 

Cx (F8)

=

[D il» +

[115»,.

 

Cx ( f 3)

=

[D1 (1« - f OP) +

[1]UP.

(3.5a)

(3.56)

(3.5B)

(3.5r)

РЛФ,

(3.6a)

(3.66)

(3.6B)

(3.6r)

(З.бд)

136

Р и с . 3 .1 8 ., П р о с т ы е

р е г и с т р о в ы е э л е м е н т ы 6 р еге н е р ац и е й о д н о

уровня сигнала

 

Соответствующие формулам принципиальные схемы вход­ ных регистровых элементов изображены на рис. 3.18. В схе­ мах на рис. 3.18, а, в, г, д, восстанавливаются уровни ло­ гической 1, а в схеме на рис. 3.18, б — уровень логическо­ го 0. Цепь восстановления и регенерации уровня состоит из инвертора и дополнительного транзистора, включенного между одной из шин питания и входом инвертора. Допол­ нительный инвертор необходим для того, чтобы создать цепь положительной ОС.

Рассмотрим в качестве примера принцип работы схемы на рис. 3.18, г. Входной сигнал D передается из внешней цепи через транзистор V T 1 . Затвор V T1 подключен к шине «ип, поэтому транзистор всегда.открыт. Если D = 0, то за­ крыт V T 2, и уровень логического 0 без искажений переда­ ется из внешней цепи во внутренние цепи схемы. При подаче на вход D = 1 увеличение напряжения на входе инвертора приводит к уменьшению напряжения на его выходе,’откры­ ванию V T 2 и возникновению регенеративного процесса, в результате него рост напряжения во внутренней точке (на входе инвертора) зависит от проводимости канала V T 2 . Такие элементы используются для согласования выходов 7ТЛ-элементов и входов КМДП-микросхем. Так как мини­ мальный уровень и1 ТТЛ-элементов составляет 2,4 В, то це­ лесообразно для ускорения ввода информации обеспечить ее регенерацию. Такую функцию и выполняет схема на рис. 3.18, г. Так как V T1 не может без искажений пере­ дать со входа уровень и1, то во входной цепи для устране­ ния этого недостатка используют двунаправленный ключ

Рис. 3.19. Входные регистровые элементы — «защелки»

чает внутреннюю точку схемы к общей шине, а пара V T2 , V T 4 — к шине питания. Достоинство этой схемы в том, что уровни и1, и0 внутри элемента формируются с помощью ис­ точника питания, а не входным информационным сигналом. Недостаток схемы в том, что возрастает входная емкость за счет увеличения числа и размеров транзисторов в парах. Схема на рис. 3.19, г представляет собой комбинацию схем на рис. 3.19, а и в.

Описанный ранее прием каскадирования можно исполь­ зовать для синтеза принципиальной схемы DV-триггера. Для ускорения процесса восстановления уровней и1 и и0 во внутренней точке схемы целесообразно, чтобы ветви восста­ новления содержали минимальное число последовательно соединенных транзисторов, т. е. содержали по одному тран­ зистору, подключенному к общей шине и к шине питания. Для этого необходимо схемотехнически осуществить каска­ дирование: заменить совокупность управляющих сигналов, входящих в импликанты, которые содержат и к и, одним сигналом. Этому случаю соответствует СФ (3.8д). Здесь

сигналы Х г = иВК и Х %— и + ВК реализуются отдель­ ными элементами И—НЕ, ИЛИ—НЕ. Соответствующая принципиальная схема приведена на р‘ис. 3.20. Достоинст­ во схемы в том, что в разные фазы сигнала ВК на выходе та­ кого DV-триггера формируются сигналы и и и.

Каскадирование является универсальным приемом, ко­ торый удобно использовать в том случае, когда входной

элемент должен сформировать дополняющие сигналы, на­ пример при создании запоминающих устройств для работы дешифраторов необходимы дополняющие входные сигналы. Кроме того, чтобы исключить переключение адресных шин на входе дешифраторов в невыбранном состоянии из-за по­ дачи входных адресных сигналов, на выходе формировате­ лей, как правило, устанавливаются одинаковые и постоян­ ные уровни напряжения.

Рассмотрим синтез формирователя адресных сигналов на основе DV-триггера. Как было отмечено, помимо записи и хранения информации схема должна обеспечить формиро­

вание функций

 

= В К + и В К = В К - й ,

(3.9а)

Р г = В К + й ВК - ВК -и,

(3.96)

где. и — внутренний сигнал входного элемента, РЛФ кото­ рого

, Z b = [1+ [0]й =

[D]BK + Ши ВК +

[0] Й ВК.

(3.10)

Из

(3.10) следует,

что

 

 

Z6 =

[D]BK + [11 F , + [01Л = [1} и +

[0]ü.

(3.11)

В соответствии с (3.11) нетрудно записать СФ, реализующую

и

Сх (F6) = [D] .(ВК» + ВК» + 11]/7? + 101F»

(3.12)

Последовательность построения принципиальной схемы адресного формирователя на основе соотношений (3.9) и

инп

(3.12) показана на рис. 3.21. Вначале

строится

часть

схемы

на

основе

 

(3.12)

,

формирующая

сигнал

и

 

(рис.

3.21,-а). Затем

на

основе (3.9)

 

строятся

элементы

для

F x

и

F3

 

(рис. 3.21, б).

Недостающие

прямые

 

и инверсные входные сигналы фор­

 

мируются

с

помощью дополнитель­

 

ных инверторов

(рис. 3.21, в). После

 

этого

объединяются одноименные точ­

 

ки фрагментов в полную схему фор­

 

мирователя (рис. 3.21, г).

 

 

 

Рис. 3.20. Быстродей­

Недостатком

синтезированного

формирователя, который

нашел при­

ствующая схема вход­

ного регистра

менение в БИС ОЗУ

К537РУ2 на