книги / Синтез принципиальных схем цифровых элементов на МДП-транзисторах
..pdfГЛАВА 4
Синтез выходных элементов с тремя состояниями
4.1. Вводные замечания
Элементы с тремя состояниями используются в качестве мощных выходных каскадов при работе на внутреннюю и внешнюю емкостную и резистивную нагрузки [61—72]. Как правило, мощные выходные каскады представляют собой не линейные усилители, работающие под воздействием вход ных сигналов, соответствующих передаваемой информации, и управляющих сигналов, обеспечивающих заданный режим или программу работы. Мощные выходные каскады обес печивают заряд и разряд выходных и нагрузочных емкостей за заданное время, внося задержку в передаваемый логи ческий сигнал; минимизируют потери выходной мощности за счет уменьшения сквозного тока, протекающего между шинами питания и нулевого потенциала, во время переклю чения; формируют максимальный уровень логической 1 и минимальный уровень логического 0 на выходе. При этом они должны занимать минимальную площадь на кристал ле.
При двоичной системе кодирования информации третье состояние элемента соответствует неопределенному выход ному напряжению. В третьем состоянии устройство, выходным^каскадом которого является элемент с тремя состоя ниями, отключается от нагрузки. Следовательно, несколь ко различных цифровых устройств можно гальванически соединять по ИЛИ на одной шине, которая служит общей нагрузкой.
[•■с* Находят применение также выходные элементы с тремя состояниями, имеющие некоторые дополнительные осо бенности. Такими элементами являются: схемы с восстанов лением уровней логических 0 и 1, в которых после фиксации неопределенного состояния постепенно происходит восста новление одного из логических уровней; схемы с активны ми низким или высоким уровнями напряжения.
Цель данной главы — рассмотреть особенности синтеза и синтезировать схемотехнические решения мощных выход ных элементов с тремя состояниями на МДП-транзисторах.
Рис. 4.1. Непосредственная реализа ция выходного элемента с тремя со стояниями:
а — двунаправленный ключ на одном транзисторе; б — простейший выход ной элемент
Ü-Bx U6uxk
— 111“
л
Конечной целью является схемотехнический синтез ва риантов элементов с тремя состояниями. Однако конкрет ные схемотехнические реализации зависят от соглашений, принимаемых на основе дополнительных соображений, опы та разработчика, эвристических находок. Это важный ас пект процедуры синтеза, так как только формальный под ход не всегда приводит к удовлетворительным результатам. В частности, в данном случае на основе (4.1г) формально можно получить две СФ и соответствующие им схемотехни ческие решения:
Сх^ (лвыи) |
|
пх]^4п, |
(4.2а) |
С х 2(мвых4) |
= |
[ l î « 2H n + ^ Мвх |
(4.26) |
В первом случае информационный сигнал [мвх] передается на выход схемы непосредственно через л-канальный тран зистор, управляемый сигналом А (рис. 4.1, а), во втором случае выход элемента соединяется с шиной питания и об щей шиной через последовательно соединенные пары тран зисторов, на которые подаются противоположные по фазе входные сигналы (рис. 4.1, б). Недостатки таких формаль но синтезированных элементов с тремя состояниями:
искаженная передача уровня логической 1 на выход эле мента через л-канальные транзисторы (рис. 4.1, а, б);.
ограниченная выходная мощность, а следовательно,, и быстродействие элементов при работе на емкостную наг рузку из-за последовательно соединенных транзисторов (рис. 4.1,6).
Одним из способов устранения этих недостатков— ис пользование в качестве оконечйого каскада пары комплементарных'л- и р-канальных транзисторов (рис. 4.2).,Уменьшение числа последовательно соединенных транзисторов позволяет при минимальной площади передавать в нагруз ку максимальную мощность, а л- итр-канальные транзис торы без искажений формируют на выходе уровни логичес ких 0 и 1. Поэтому в дальнейшем анализируются и синте
зируются элементы с тремя состояниями на КМДП-тран- зисторах с двухтактным мощным оконечным каскадом (рис. 4.2.). В этом случае для реализации трех состояний на выходе следует определить функции управления выходны ми п- и р-канальными транзисторами иап, изр. Очевидно, третье состояние на выходе устанавливается тогда, когда
оба транзистора |
V T 1 |
и V T2 закрыты. Сигнал |
ивых4 = 1» |
если «ар = 0 и |
иш = |
0, ивых4 = 0, если изр = |
1 и и3„ = |
= 1. На основе этих условий функционирования нетруд но построить таблицу истинности (табл. 4.2) для управляю щих сигналов, подаваемых на затворы транзисторов VT1
и VT2.
Логические функции управления работой V T1 и V T2 можно получить и из (4.1г). Так как принято соглашение, что каждый выходной уровень Г и 0 устанавливается толь ко через один транзистор, то, следовательно, управляющий сигнал должен объединять функции, входящие в конъюнк ции с информационными сигналами [1] и [0]. Например, ес ли (4.1г) реализуется на дополняющих транзисторах, то справедливы следующие СФ, соответствующие функции ^вых4 и РЛФ 2 ,4 — Z (ивых4);
Сх(квых4) = [и ]Л + [1](«В1Л)р +
+ [0] («вхЛ)" = [х] А + [1] и?,-НО] и«д,
где «Рр и и*п— управляющие сигналы, которые эквивалент ны функциям
Идп = |
нвх Af |
(4.3а) |
иар = |
(ttji Л) = (ви -Ь Л ). |
(4.36) |
Диаграммы Вейча для определения функций ияп, иар показаны на рис. 4.3. Таким образом, определены выход ная функция элемента с тремя состояниями и функции сиг-
% |
иип |
Таблица 4.2 |
|
|
|
||
утг |
|
|
|
|
|
||
|
|
А |
|
|
|
||
|
ивыхь |
ивх |
"вых 4 |
И8П |
Ы8/? |
||
3 |
m |
|
|
|
1 |
и |
|
изп I F |
0 |
0 |
I |
||||
|
|
0 |
0 |
||||
Рис. 4.2. Реализация бы |
0 |
1 |
и |
0 |
1 ' |
||
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
|||
стродействующего око |
1 |
1 |
и |
0 |
1 |
||
нечного каскада |
|||||||
|
|
|
|
|
налов, |
управляющих |
проводи- |
|
/ о |
_ |
изп |
iu |
_ “jp |
|||
мостью |
п- |
и р-канальных тран- |
|
|
' """ |
' |
|
‘ |
|||
зисторов |
оконечного |
мощного |
Л |
0 |
0 |
л |
1 |
1 |
|||
каскада. Поэтому теперь задача |
л |
1 |
0 |
я |
1 |
0 |
|||||
схемотехнического синтеза сво |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||
дится к синтезу цепей |
управле- |
рис. 4.3. Диаграммы Вейча |
|||||||||
пня, |
вырабатывающих |
сигналы |
для определения |
изп, изр |
|||||||
Пзп |
И Изр. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Еще раз отметим особенности подхода к синтезу выход ных элементов БИС. Было установлено, что непосредствен ный синтез выходных каскадов приводит к посредственным техническим решениям (рис. 4.1), которые имеют ограни ченное применение. Наибольшую мощность в нагрузку передают от источников питания ветви, содержащие мини мально возможное число переключающихся компонентов. Очевидно, что оптимальными с этой точки зрения должны быть ветви, содержащие по одному переключающему тран зистору между шиной питания, общей шиной и выходом схемы. Это хотя и очевидный, но эвристический прием. Та ким образом, часть схемы — собственно выходной каскад и его структура — определены эвристическим путем. Задача синтеза несколько изменяется. Синтез направлен не на реа лизацию элемента с тремя состояниями с одним выходом, а на формирование двух новых управляющих функций, под действием которых эвристически построенный выходной каскад будет работать как элемент с тремя состояниями.
Как нетрудно видеть, задача расширилась — вместо одной выходной функции теперь необходимо находить реа лизацию двух управляющих функций. Кроме того, синтез одновременно нескольких функций дополняет перечень кри териев качества. Например, целесообразно, чтобы по своей структуре цепи управления были симметричными и сигналы управления находились в определенных фазовых соотно шениях для исключения протекания сквозного тока через транзисторы выходного каскада при переключении. Таким образом, однажды выполненный синтез схем с определен ными функциями не дает полного множества всех возмож ных вариантов схем. Число вариантов будет расти при учете специфических требований к схемам и введении различных эвристических приемов. В частности, в данном случае ис пользован прием разделения функций объекта на части, эвристического определения структуры одной из них (соб ственно мощного выходного каскада) и направленного ме тодически обоснованного синтеза другой (схем управления оконечным каскадом).
4.3. Синтез схем управления транзисторами оконечного каскада
Д л я |
|
оконечного |
каскада |
(рис. |
|
4.2), необходимо синтезиро |
|||||||||||||
вать цепи, реализую щ ие |
управляю щ ие ф ункции (рис. 4.3). Процесс |
||||||||||||||||||
синтеза |
схем упра влени я зависит |
о т |
до п о лн и тельн ы х |
соглаш ений |
|||||||||||||||
и требований, |
а та к ж е |
от |
критериев |
качества, которым - д о лж н а |
|||||||||||||||
удовлетворять схема. Наприм ер, |
дополнительны м и |
требованиями |
|||||||||||||||||
м ожет быть условие симметрии |
схем |
управления п - и р-канальными |
|||||||||||||||||
транзисторами оконечного каскада, ограничение на число транзис |
|||||||||||||||||||
торов . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рассмотрим |
синтез |
схем управлени я |
д л я |
оконечного |
каскада |
|||||||||||||
(рис. 4.2). Д о п о лн и тельн о потребуем, чтобы |
каж дая схема, реализую |
||||||||||||||||||
щая ф ункции и зп и изр, содержала не более |
четырех транзисторов. |
||||||||||||||||||
|
Различны е варианты схем упра влени я возникаю т при разны х |
||||||||||||||||||
формах |
представления ло ги ч е ски х |
ф ун кци й , |
разны х |
йнформацион- |
|||||||||||||||
ных |
и |
|
управляю щ их |
си гн а ла х, ч его -м о ж н о |
доби ться, |
и спользуя |
|||||||||||||
эквивалентные |
алгебраические |
преобразования |
д л я |
канонического |
|||||||||||||||
набора Р Л Ф |
и получая |
на их.основе |
различные С Ф . В инженерной |
||||||||||||||||
практике |
аналогичны е, |
но |
более |
наглядны е |
результаты |
можно |
|||||||||||||
п о лучи ть, |
считывая Р Л Ф непосредственно |
с диаграмм |
Вейча. К а к |
||||||||||||||||
показывает |
пр кти ка , овладеть |
методикой |
считывания |
различны х |
|||||||||||||||
Р Л Ф |
с диаграмм Вейча или ка р т Карно неслож но. Та к о й подход при |
||||||||||||||||||
инженерном проектировании дает возможность быстро синтезиро |
|||||||||||||||||||
вать |
|
много |
достаточно |
хорош их |
вариантов |
схем отехнических, |
|||||||||||||
решений. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Н а |
рис. |
4.4 |
приведены диаграммы |
Вейча |
д л я и зп и и з р с раз |
||||||||||||||
личными способами считывания информации, которые удо в летв о |
|||||||||||||||||||
ряю т дополнительны м требованиям, сформулированным ранее. К о н |
|||||||||||||||||||
тур ы , охватывающие кле тки |
диаграммы Вейча, определяю т способ |
||||||||||||||||||
считывания информации. Считывание |
Р Л Ф д л я и з п и и з р |
с диаграмм |
|||||||||||||||||
Вейча |
выполнено та к , чтобы |
обеспечить симметрию |
схем упр а вле |
||||||||||||||||
ния по отношению к информационным сигналам [1], [0] |
и [ Л ] , [ Л ] , |
||||||||||||||||||
[ивх], |
U B X ]* |
П р и этом достигается |
симметрия |
и принципиальной |
|||||||||||||||
схемы |
при |
реализации. |
Каж ды й |
ко нтур |
на |
диаграммах |
Вейча,' |
||||||||||||
охватывающий |
одну |
к л е тк у , |
реализуется |
на |
д в у х тр анзисто ра х; |
||||||||||||||
кажды й |
ко н тур , охватывающий |
две |
к ле тк и , значения |
ф ункций в |
|||||||||||||||
которы х |
|
одинаковы, |
релизуется |
на |
одном |
транзисторе; |
к о н тур , |
|
h t |
h t |
h i |
h x |
UÔX h t |
4 t |
h i |
h t |
h t |
% |
Six |
% “ах |
иs* ügx |
||
А |
|
|
(в |
в) |
(о |
© |
0 |
В) |
|
|
(В |
В) |
{в 'о'\ |
(0 |
о'\ |
А |
|
|
(Г Т) |
и й |
<7 |
В) |
|
|
и |
k l |
© й |
\1 |
В) |
||
|
№! |
№ |
|
HSJ |
№ |
m s |
W6 |
|
- N!»J3P |
||||||
|
|
|
% h t |
|
|
|
|
|
|
|
|
aiX й-ЙХ |
|||
|
h i |
h t |
Ч х |
h t |
h t |
h x |
h t |
h t |
% |
“ ôx |
% |
% * |
|||
А |
п |
гл |
0 |
О | 7 |
h |
(' 1 ) |
|
|
iT О |
1/ о |
-У Г1 |
||||
|
|
О |
|
и й (/ 0 ) |
|
|
\1 в) |
и © |
<7 0 1 |
||||||
А и Ü |
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
S) |
|
|
|
|
|
|
|
Р и с . 4 .4 . С и м м е т р и ч н ы е о т н о с и т е л ь н о и н ф о р м а ц и о н н ы х с и г н а л о в с п о с о б ы п о к р ы т и я д и а г р а м м В е й ч а у п р а в л я ю щ и х ф у ни8пк ц иий иар
охватывающий две к ле тк и , значения ф ункции в которы х различны,
реализуется без |
искажения уровней вы ходны х напряжений |
на |
двунаправленном |
клю че, а с искажением одного из уровней — |
на |
одном транзисторе, причем в качестве источника информационного
сигнала используется или входной сигнал- и в х (и в х ) , и ли сигнал
управления режимом работы А ( А ) .
Отметим, что на данном этапе синтеза та к ж е можно вводить эври стические приемы, которые б у д у т приводить к новым схем отехни ческим решениям. Т а к , например, если реализовать схемы упр а вле ния на транзисторах с искажением одного или обоих ло ги ч ески х уровней, то д л я восстановления уровней можно использовать инвер
торы |
или «защ елки» |
(см. § 2 .5 ), |
|
|
|
|
||
Запишем Р Л Ф д л я каж дого варианта покры тия диаграмм Вейча. |
||||||||
Д л я и ъп |
|
|
|
|
|
|
||
Z n j .= |
Z |
(U an i) = |
[®] Ицх 4~ [Л ] и в х » |
|
|
(4 .4а) |
||
*•712= |
Z (wan .,, = 1^] Л 4 " [и в х \ Л* |
|
|
(4.46) |
||||
2 пз= |
2 (и ап 9) = |
[0] (Л 4 -Н в х)"1 ~ [Л ] ивг> |
|
|
(4.4в) |
|||
2 п 4 = |
2 (и з п 4) = |
[0] А - \- [А ] нВх4 " [Ивх] Л> |
|
|
(4 .4г) |
|||
2 пб = |
Z ( и8 пб) = |
, [0 ] и в х 4“ 1-^1 ^в х“Ь 1ивх] Л > |
|
|
(4 .4д) |
|||
2пв = |
2 (иа71в)ы= [0 ] (^ Н -^ в х ) + [Ивх1 Ау |
|
|
(4.4е) |
||||
Z n7 = 'Z («з д 7) = |
[1] Л а Вх ”1“ [01 (Л 4 -# в х)> |
|
|
(4 .4 ж ) |
||||
2 п 8 = |
2 (и Вп ъ )= |
[0] ( -Л + « в х ) ~[~1Л] ^вх Ч“ [Нвх1 А , |
(4 .4з) |
|||||
Д л я |
и а р |
|
|
|
|
|
|
|
Z P i = |
Z |
(n3pi) = |
[ l j И в х + И 1 иВх * |
|
|
(4.5а) |
||
Zp2=Z (Изр2) = |
[1] Л4“ [HJJXI Af |
|
|
(4.56) |
||||
Zp3 = Z (иарз) = [1] (Л4~нВх)4“Ш ивх> |
|
|
(4.5в) |
|||||
Zp4=Z(Uap4) = [l] А + [ А \ ÜBX+[HBXJ X |
|
|
(4.5г) |
|||||
Zp6="-Z (^врб)= |
[1 ] иВх~Ь [Л] иВх4“ [ивх] Ау |
|
|
(4.5д) |
||||
Zpe= Z (и8ро) = |
[1] (Л-J-aBx)4“[ивх] А9 |
|
|
(4.5е) |
||||
Zp7==Z (wap?) ^ |
[1] {А |
аВх) ”Ь 1® Аивх > |
|
|
(4.5ж) |
|||
2p8=Z (иВр8) = |
[1] (Л +иВх) + [Ивх1 Л4 -[Л] ивх* |
(4.5з) |
||||||
Приведенные Р Л Ф не исчерпывают всего |
множества вариантов* |
|||||||
но, как |
будет |
видно |
ниж е, позволяю т синтезировать |
достаточно |
||||
больш ое число эффективных схем отехнических решений. |
|
|||||||
Н а |
основе |
Р Л Ф |
ле гк о п о луч и ть С Ф |
и |
нарисовать |
схемы |
д л я |
|
реализации ф ункций |
упр а влени я . О днако |
преж де отметим, что |
от |
дельные к ле тк ц в некоторы х вариантах при считывании информа
ции покры ваю тся контурам и более одного раза. Т а к ка к |
каж ды й |
ко нтур реализуется транзистором и ли двунаправленны м |
клю чом , |
то многократный охва т к ле тк и контурам и свидетельствует о реа ли зации данного значения ф ункции с помощью н еско льки х ветвей* П оэтом у, если одна ветвь искаж ает данны й уровень на вы ходе е х е м ы *
1 Б 7
Рис. 4.5. Синтезированная схе- |
Рис. 4.6. Синтезированная схе |
ма (вариант 1) |
ма (вариант 2) |
А |
|
т |
|
иип |
|
|
|
v |
|
vn |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|||
ш . |
|
|
|
|
|
||
.» |
|
|
h-*- vn |
|
■bJ |
||
иёх |П |
|
|
|
||||
VTS- |
|
Вых |
____ , |
| w - VT7 |
|||
Щ |
- 1 |
|
|
|
|
r n z |
: I |
ш |
V T 6 |
|
vn |
U |
П Е*™ |
||
* |
~ |
r - |
|
Jp-wLlîr; VT3 |
|||
|
J |
t |
VTJ |
|
|
Рис. 4.9. Синтезированная схе |
Рис. 4.10. Синтезированная схе |
ма (вариант 5) |
ма (вариант 6) |
Рис. 4.11. Синтезированная схе- |
Рис. 4.12. Синтезированная схе |
ма (вариант 7) |
ма (вариант 8) |
Число выходных каскадов можно увеличить, если использовать комбинированные способы формирования выходных уровней логи ческих 0 и 1. Например, для формирования уровня логического О использовать ветви, аналогичные представленным на рис. 4.1,6, для формирования выходного сигнала из входных переменных — двунаправленные ключи. Все это приведет к новым схемотехничес ким конфигурациям, ряд из которых может быть полезным.
4.4. Анализ схемотехнических решений
Все синтезированные варианты являются схемами без восстановления выходного уровня напряжения в третьем состоянии. Они отличаются друг от друга числом входных сигналов, необходимых для работы, источниками информа ционных сигналов (это или шина питания и общая шина, или источники сигналов и вх, А ), числом транзисторов, а сле довательно, и емкостями, подключенных к затворам тран зисторов оконечного каскада, емкостными нагрузками для источников сигналов ивх, А , временами установления от дельных уровней напряжения, сигналов изп и изр, временами установления противоположных уровней напряжения на затворах транзисторов оконечного каскада, что определяет длительность и амплитуду сигнала помехи на выходе схемы.
Чтобы сравнить полученные варианты элементов, необ ходимо сформулировать единые условия., при которых такое сравнение справедливо. Предположим, что все транзисторы имеют одинаковые размеры, если они включены между ис точником информационного сигнала [0] или [1] и затворами п- и р-канальных транзисторов оконечного каскада, и их размеры увеличиваются пропорционально числу последо вательно соединенных транзисторов; каждый транзистор