Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Синтез принципиальных схем цифровых элементов на МДП-транзисторах

..pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.41 Mб
Скачать

ГЛАВА 4

Синтез выходных элементов с тремя состояниями

4.1. Вводные замечания

Элементы с тремя состояниями используются в качестве мощных выходных каскадов при работе на внутреннюю и внешнюю емкостную и резистивную нагрузки [61—72]. Как правило, мощные выходные каскады представляют собой не­ линейные усилители, работающие под воздействием вход­ ных сигналов, соответствующих передаваемой информации, и управляющих сигналов, обеспечивающих заданный режим или программу работы. Мощные выходные каскады обес­ печивают заряд и разряд выходных и нагрузочных емкостей за заданное время, внося задержку в передаваемый логи­ ческий сигнал; минимизируют потери выходной мощности за счет уменьшения сквозного тока, протекающего между шинами питания и нулевого потенциала, во время переклю­ чения; формируют максимальный уровень логической 1 и минимальный уровень логического 0 на выходе. При этом они должны занимать минимальную площадь на кристал­ ле.

При двоичной системе кодирования информации третье состояние элемента соответствует неопределенному выход­ ному напряжению. В третьем состоянии устройство, выходным^каскадом которого является элемент с тремя состоя­ ниями, отключается от нагрузки. Следовательно, несколь­ ко различных цифровых устройств можно гальванически соединять по ИЛИ на одной шине, которая служит общей нагрузкой.

[•■с* Находят применение также выходные элементы с тремя состояниями, имеющие некоторые дополнительные осо­ бенности. Такими элементами являются: схемы с восстанов­ лением уровней логических 0 и 1, в которых после фиксации неопределенного состояния постепенно происходит восста­ новление одного из логических уровней; схемы с активны­ ми низким или высоким уровнями напряжения.

Цель данной главы — рассмотреть особенности синтеза и синтезировать схемотехнические решения мощных выход­ ных элементов с тремя состояниями на МДП-транзисторах.

Рис. 4.1. Непосредственная реализа­ ция выходного элемента с тремя со­ стояниями:

а — двунаправленный ключ на одном транзисторе; б — простейший выход­ ной элемент

Ü-Bx U6uxk

— 111“

л

Конечной целью является схемотехнический синтез ва­ риантов элементов с тремя состояниями. Однако конкрет­ ные схемотехнические реализации зависят от соглашений, принимаемых на основе дополнительных соображений, опы­ та разработчика, эвристических находок. Это важный ас­ пект процедуры синтеза, так как только формальный под­ ход не всегда приводит к удовлетворительным результатам. В частности, в данном случае на основе (4.1г) формально можно получить две СФ и соответствующие им схемотехни­ ческие решения:

Сх^ (лвыи)

 

пх]^4п,

(4.2а)

С х 2(мвых4)

=

[ l î « 2H n + ^ Мвх

(4.26)

В первом случае информационный сигнал [мвх] передается на выход схемы непосредственно через л-канальный тран­ зистор, управляемый сигналом А (рис. 4.1, а), во втором случае выход элемента соединяется с шиной питания и об­ щей шиной через последовательно соединенные пары тран­ зисторов, на которые подаются противоположные по фазе входные сигналы (рис. 4.1, б). Недостатки таких формаль­ но синтезированных элементов с тремя состояниями:

искаженная передача уровня логической 1 на выход эле­ мента через л-канальные транзисторы (рис. 4.1, а, б);.

ограниченная выходная мощность, а следовательно,, и быстродействие элементов при работе на емкостную наг­ рузку из-за последовательно соединенных транзисторов (рис. 4.1,6).

Одним из способов устранения этих недостатков— ис­ пользование в качестве оконечйого каскада пары комплементарных'л- и р-канальных транзисторов (рис. 4.2).,Уменьшение числа последовательно соединенных транзисторов позволяет при минимальной площади передавать в нагруз­ ку максимальную мощность, а л- итр-канальные транзис­ торы без искажений формируют на выходе уровни логичес­ ких 0 и 1. Поэтому в дальнейшем анализируются и синте­

зируются элементы с тремя состояниями на КМДП-тран- зисторах с двухтактным мощным оконечным каскадом (рис. 4.2.). В этом случае для реализации трех состояний на выходе следует определить функции управления выходны­ ми п- и р-канальными транзисторами иап, изр. Очевидно, третье состояние на выходе устанавливается тогда, когда

оба транзистора

V T 1

и V T2 закрыты. Сигнал

ивых4 = 1»

если «ар = 0 и

иш =

0, ивых4 = 0, если изр =

1 и и3„ =

= 1. На основе этих условий функционирования нетруд­ но построить таблицу истинности (табл. 4.2) для управляю­ щих сигналов, подаваемых на затворы транзисторов VT1

и VT2.

Логические функции управления работой V T1 и V T2 можно получить и из (4.1г). Так как принято соглашение, что каждый выходной уровень Г и 0 устанавливается толь­ ко через один транзистор, то, следовательно, управляющий сигнал должен объединять функции, входящие в конъюнк­ ции с информационными сигналами [1] и [0]. Например, ес­ ли (4.1г) реализуется на дополняющих транзисторах, то справедливы следующие СФ, соответствующие функции ^вых4 и РЛФ 2 ,4 — Z (ивых4);

Сх(квых4) = [и ]Л + [1](«В1Л)р +

+ [0] («вхЛ)" = [х] А + [1] и?,-НО] и«д,

где «Рр и и*п— управляющие сигналы, которые эквивалент­ ны функциям

Идп =

нвх Af

(4.3а)

иар =

(ttji Л) = (ви -Ь Л ).

(4.36)

Диаграммы Вейча для определения функций ияп, иар показаны на рис. 4.3. Таким образом, определены выход­ ная функция элемента с тремя состояниями и функции сиг-

%

иип

Таблица 4.2

 

 

 

утг

 

 

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

ивыхь

ивх

"вых 4

И8П

Ы8/?

3

m

 

 

 

1

и

изп I F

0

0

I

 

 

0

0

Рис. 4.2. Реализация бы­

0

1

и

0

1 '

1

0

0

1

1

стродействующего око­

1

1

и

0

1

нечного каскада

 

 

 

 

 

налов,

управляющих

проводи-

 

/ о

_

изп

iu

_ “jp

мостью

п-

и р-канальных тран-

 

 

' """

'

 

зисторов

оконечного

мощного

Л

0

0

л

1

1

каскада. Поэтому теперь задача

л

1

0

я

1

0

схемотехнического синтеза сво­

 

 

 

 

 

 

дится к синтезу цепей

управле-

рис. 4.3. Диаграммы Вейча

пня,

вырабатывающих

сигналы

для определения

изп, изр

Пзп

И Изр.

 

 

 

 

 

 

 

 

Еще раз отметим особенности подхода к синтезу выход­ ных элементов БИС. Было установлено, что непосредствен­ ный синтез выходных каскадов приводит к посредственным техническим решениям (рис. 4.1), которые имеют ограни­ ченное применение. Наибольшую мощность в нагрузку передают от источников питания ветви, содержащие мини­ мально возможное число переключающихся компонентов. Очевидно, что оптимальными с этой точки зрения должны быть ветви, содержащие по одному переключающему тран­ зистору между шиной питания, общей шиной и выходом схемы. Это хотя и очевидный, но эвристический прием. Та­ ким образом, часть схемы — собственно выходной каскад и его структура — определены эвристическим путем. Задача синтеза несколько изменяется. Синтез направлен не на реа­ лизацию элемента с тремя состояниями с одним выходом, а на формирование двух новых управляющих функций, под действием которых эвристически построенный выходной каскад будет работать как элемент с тремя состояниями.

Как нетрудно видеть, задача расширилась — вместо одной выходной функции теперь необходимо находить реа­ лизацию двух управляющих функций. Кроме того, синтез одновременно нескольких функций дополняет перечень кри­ териев качества. Например, целесообразно, чтобы по своей структуре цепи управления были симметричными и сигналы управления находились в определенных фазовых соотно­ шениях для исключения протекания сквозного тока через транзисторы выходного каскада при переключении. Таким образом, однажды выполненный синтез схем с определен­ ными функциями не дает полного множества всех возмож­ ных вариантов схем. Число вариантов будет расти при учете специфических требований к схемам и введении различных эвристических приемов. В частности, в данном случае ис­ пользован прием разделения функций объекта на части, эвристического определения структуры одной из них (соб­ ственно мощного выходного каскада) и направленного ме­ тодически обоснованного синтеза другой (схем управления оконечным каскадом).

4.3. Синтез схем управления транзисторами оконечного каскада

Д л я

 

оконечного

каскада

(рис.

 

4.2), необходимо синтезиро­

вать цепи, реализую щ ие

управляю щ ие ф ункции (рис. 4.3). Процесс

синтеза

схем упра влени я зависит

о т

до п о лн и тельн ы х

соглаш ений

и требований,

а та к ж е

от

критериев

качества, которым - д о лж н а

удовлетворять схема. Наприм ер,

дополнительны м и

требованиями

м ожет быть условие симметрии

схем

управления п - и р-канальными

транзисторами оконечного каскада, ограничение на число транзис­

торов .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим

синтез

схем управлени я

д л я

оконечного

каскада

(рис. 4.2). Д о п о лн и тельн о потребуем, чтобы

каж дая схема, реализую ­

щая ф ункции и зп и изр, содержала не более

четырех транзисторов.

 

Различны е варианты схем упра влени я возникаю т при разны х

формах

представления ло ги ч е ски х

ф ун кци й ,

разны х

йнформацион-

ных

и

 

управляю щ их

си гн а ла х, ч его -м о ж н о

доби ться,

и спользуя

эквивалентные

алгебраические

преобразования

д л я

канонического

набора Р Л Ф

и получая

на их.основе

различные С Ф . В инженерной

практике

аналогичны е,

но

более

наглядны е

результаты

можно

п о лучи ть,

считывая Р Л Ф непосредственно

с диаграмм

Вейча. К а к

показывает

пр кти ка , овладеть

методикой

считывания

различны х

Р Л Ф

с диаграмм Вейча или ка р т Карно неслож но. Та к о й подход при

инженерном проектировании дает возможность быстро синтезиро­

вать

 

много

достаточно

хорош их

вариантов

схем отехнических,

решений.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н а

рис.

4.4

приведены диаграммы

Вейча

д л я и зп и и з р с раз­

личными способами считывания информации, которые удо в летв о ­

ряю т дополнительны м требованиям, сформулированным ранее. К о н ­

тур ы , охватывающие кле тки

диаграммы Вейча, определяю т способ

считывания информации. Считывание

Р Л Ф д л я и з п и и з р

с диаграмм

Вейча

выполнено та к , чтобы

обеспечить симметрию

схем упр а вле ­

ния по отношению к информационным сигналам [1], [0]

и [ Л ] , [ Л ] ,

[ивх],

U B X ]*

П р и этом достигается

симметрия

и принципиальной

схемы

при

реализации.

Каж ды й

ко нтур

на

диаграммах

Вейча,'

охватывающий

одну

к л е тк у ,

реализуется

на

д в у х тр анзисто ра х;

кажды й

ко н тур , охватывающий

две

к ле тк и , значения

ф ункций в

которы х

 

одинаковы,

релизуется

на

одном

транзисторе;

к о н тур ,

 

h t

h t

h i

h x

UÔX h t

4 t

h i

h t

h t

%

Six

% “ах

иs* ügx

А

 

 

в)

©

0

В)

 

 

В)

{в 'о'\

(0

о'\

А

 

 

Т)

и й

<7

В)

 

 

и

k l

© й

\1

В)

 

№!

 

HSJ

m s

W6

 

- N!»J3P

 

 

 

% h t

 

 

 

 

 

 

 

 

aiX й-ЙХ

 

h i

h t

Ч х

h t

h t

h x

h t

h t

%

“ ôx

%

% *

А

п

гл

0

О | 7

h

(' 1 )

 

 

iT О

1/ о

Г1

 

 

О

 

и й (/ 0 )

 

 

\1 в)

и ©

<7 0 1

А и Ü

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S)

 

 

 

 

 

 

 

Р и с . 4 .4 . С и м м е т р и ч н ы е о т н о с и т е л ь н о и н ф о р м а ц и о н н ы х с и г н а л о в с п о с о б ы п о к р ы т и я д и а г р а м м В е й ч а у п р а в л я ю щ и х ф у ни8пк ц иий иар

охватывающий две к ле тк и , значения ф ункции в которы х различны,

реализуется без

искажения уровней вы ходны х напряжений

на

двунаправленном

клю че, а с искажением одного из уровней —

на

одном транзисторе, причем в качестве источника информационного

сигнала используется или входной сигнал- и в х (и в х ) , и ли сигнал

управления режимом работы А ( А ) .

Отметим, что на данном этапе синтеза та к ж е можно вводить эври­ стические приемы, которые б у д у т приводить к новым схем отехни­ ческим решениям. Т а к , например, если реализовать схемы упр а вле ­ ния на транзисторах с искажением одного или обоих ло ги ч ески х уровней, то д л я восстановления уровней можно использовать инвер­

торы

или «защ елки»

(см. § 2 .5 ),

 

 

 

 

Запишем Р Л Ф д л я каж дого варианта покры тия диаграмм Вейча.

Д л я и ъп

 

 

 

 

 

 

Z n j .=

Z

(U an i) =

[®] Ицх 4~ [Л ] и в х »

 

 

(4 .4а)

*•712=

Z (wan .,, = 1^] Л 4 " [и в х \ Л*

 

 

(4.46)

2 пз=

2 (и ап 9) =

[0] (Л 4 -Н в х)"1 ~ [Л ] ивг>

 

 

(4.4в)

2 п 4 =

2 (и з п 4) =

[0] А - \- [А ] нВх4 " [Ивх] Л>

 

 

(4 .4г)

2 пб =

Z ( и8 пб) =

, [0 ] и в х 4“ 1-^1 ^в х“Ь 1ивх] Л >

 

 

(4 .4д)

2пв =

2 (иа71в)ы= [0 ] (^ Н -^ в х ) + [Ивх1 Ау

 

 

(4.4е)

Z n7 = 'Z («з д 7) =

[1] Л а Вх ”1“ [01 (Л 4 -# в х)>

 

 

(4 .4 ж )

2 п 8 =

2 (и Вп ъ )=

[0] ( -Л + « в х ) ~[~1Л] ^вх Ч“ [Нвх1 А ,

(4 .4з)

Д л я

и а р

 

 

 

 

 

 

Z P i =

Z

(n3pi) =

[ l j И в х + И 1 иВх *

 

 

(4.5а)

Zp2=Z (Изр2) =

[1] Л4“ [HJJXI Af

 

 

(4.56)

Zp3 = Z (иарз) = [1] (Л4~нВх)4“Ш ивх>

 

 

(4.5в)

Zp4=Z(Uap4) = [l] А + [ А \ ÜBX+[HBXJ X

 

 

(4.5г)

Zp6="-Z (^врб)=

[1 ] иВх~Ь [Л] иВх4“ [ивх] Ау

 

 

(4.5д)

Zpe= Z (и8ро) =

[1] (Л-J-aBx)4“[ивх] А9

 

 

(4.5е)

Zp7==Z (wap?) ^

[1]

аВх) ”Ь 1® Аивх >

 

 

(4.5ж)

2p8=Z (иВр8) =

[1] (Л +иВх) + [Ивх1 Л4 -[Л] ивх*

(4.5з)

Приведенные Р Л Ф не исчерпывают всего

множества вариантов*

но, как

будет

видно

ниж е, позволяю т синтезировать

достаточно

больш ое число эффективных схем отехнических решений.

 

Н а

основе

Р Л Ф

ле гк о п о луч и ть С Ф

и

нарисовать

схемы

д л я

реализации ф ункций

упр а влени я . О днако

преж де отметим, что

от­

дельные к ле тк ц в некоторы х вариантах при считывании информа­

ции покры ваю тся контурам и более одного раза. Т а к ка к

каж ды й

ко нтур реализуется транзистором и ли двунаправленны м

клю чом ,

то многократный охва т к ле тк и контурам и свидетельствует о реа ли ­ зации данного значения ф ункции с помощью н еско льки х ветвей* П оэтом у, если одна ветвь искаж ает данны й уровень на вы ходе е х е м ы *

1 Б 7

Рис. 4.5. Синтезированная схе-

Рис. 4.6. Синтезированная схе­

ма (вариант 1)

ма (вариант 2)

А

 

т

 

иип

 

 

v

 

vn

 

 

 

 

 

 

 

 

ш .

 

 

 

 

 

 

 

h-*- vn

 

■bJ

иёх

 

 

 

VTS-

 

Вых

____ ,

| w - VT7

Щ

- 1

 

 

 

 

r n z

: I

ш

V T 6

 

vn

U

П Е*™

*

~

r -

 

Jp-wLlîr; VT3

 

J

t

VTJ

 

 

Рис. 4.9. Синтезированная схе­

Рис. 4.10. Синтезированная схе­

ма (вариант 5)

ма (вариант 6)

Рис. 4.11. Синтезированная схе-

Рис. 4.12. Синтезированная схе­

ма (вариант 7)

ма (вариант 8)

Число выходных каскадов можно увеличить, если использовать комбинированные способы формирования выходных уровней логи­ ческих 0 и 1. Например, для формирования уровня логического О использовать ветви, аналогичные представленным на рис. 4.1,6, для формирования выходного сигнала из входных переменных — двунаправленные ключи. Все это приведет к новым схемотехничес­ ким конфигурациям, ряд из которых может быть полезным.

4.4. Анализ схемотехнических решений

Все синтезированные варианты являются схемами без восстановления выходного уровня напряжения в третьем состоянии. Они отличаются друг от друга числом входных сигналов, необходимых для работы, источниками информа­ ционных сигналов (это или шина питания и общая шина, или источники сигналов и вх, А ), числом транзисторов, а сле­ довательно, и емкостями, подключенных к затворам тран­ зисторов оконечного каскада, емкостными нагрузками для источников сигналов ивх, А , временами установления от­ дельных уровней напряжения, сигналов изп и изр, временами установления противоположных уровней напряжения на затворах транзисторов оконечного каскада, что определяет длительность и амплитуду сигнала помехи на выходе схемы.

Чтобы сравнить полученные варианты элементов, необ­ ходимо сформулировать единые условия., при которых такое сравнение справедливо. Предположим, что все транзисторы имеют одинаковые размеры, если они включены между ис­ точником информационного сигнала [0] или [1] и затворами п- и р-канальных транзисторов оконечного каскада, и их размеры увеличиваются пропорционально числу последо­ вательно соединенных транзисторов; каждый транзистор