книги / Структурно-аналитическая теория прочности
..pdf11 + ^3333 |
|
Узз ~ Уи J T ( s ) Q ( t - s ) d s . |
(4.3) |
Среднестатистическое значение нормальных напряжений выгля дит следующим образом:
Tv 3 3 « _ _ _ _ _ _ _ _ 2 ( < £л ц > |
-£ 112 2 ) |
|
2 ( < £ ? 1 1 1 > - £122? ) + £3311 +£§322 |
|
|
х [(<А> “ Л) (£§311 + £3322) + (<узз> - |
х |
|
* j T ( s ) Q ( t - |
s)ds. |
(4.4) |
о |
|
|
Интегралы в (4.3) и (4.4) зависят, естественно, от режима изменения температуры. Предполагается, что температура из меняется от Ti до Гг плавно, скачками либо циклически, без выдержки после достижения температуры Гг или с некоторой выдержкой при Гг, затем в той же интерпретации от Гг до Г| и т. д. В этих случаях интеграл вычисляется и выглядит следующим образом:
|
N |
+ 1 (Г2 - Г,) . (4.5) |
J ' f ( s ) Q ( t - s ) d s = |
^ е~ ап(( ~ *п) ( _ |
|
О |
/1 = 1 |
|
Здесь суммирование производится по номеру температурного скачка п так, что все нечетные п относятся к скачкообразному нагреву, а четные — к скачкообразному охлаждению; tn — мо мент, времени л-го скачка температуры;
___________ 2 «о Гпл___________
Clfl ~
2 г „ л — T i — г 2 + ( г 2T- i) ( - 1 ) ” *
Из (4.5) видно, что началу процесса всегда соответствует на
грев от Ti до Гг. В тех случаях, когда Гг < Ti, |
т. е. |
когда |
процесс начинается с охлаждения, вместо (4.5) |
необходимо |
|
использовать то же выражение, но с противоположным |
зна |
|
ком. |
|
|
4.2.2.Расчет деформаций
4.2.2.1.Термоактивированная деформация
Сдвиговые микродеформации, порождаемые напряжением Г31 от внешних нагрузок и случайными сдвиговыми температурными напряжениями о д (они изменяются, согласно (4.3), в пределах
(тУзОш'ш —* 13 —(тУзОтах )> можно рассчитать с помощью соот ношений (1.68)—(1.71). Приняв для определенности (1.68) и положив pik = 0 , имеем
0 31 = A t е U l / k T |
[(r 3l + * 31) s8n O 31 + * 3l)] ” s8 n (г 31 + |
х з 0 -<4 -6> |
|
Теперь требуется |
усреднить микродеформации |
по |
всей со |
вокупности переменной х$у. Выбрав равномерную функцию рас пределения, имеем
(у'зОтах |
^ |
|
(4.7) |
|
Дз1 = ^ (TV3I)max - (TV3j)max |
0 3 \ (*3l) |
d * 3 \ • |
||
|
Положив далее n ш 3, что соответствует реальным свойствам большого количества материалов, получим
Д31 — |
е Ul |
[*31 |
(т v3i) шах 1*31 • |
(4.8) |
Скорость макроскопической деформации теперь легко вычис |
||||
ляется с помощью |
(1.8). |
Считая |
тело изотропным, |
т. е. |
/(Q ) = const, и ограничиваясь лишь одноосным нагружени
ем, |
когда отлична от |
нуля |
лишь |
компонента |
напряжений |
|
0 3 3, |
имеем, подставляя |
(4.8) |
в ( 1 .8 ), |
|
|
|
|
- t _ 2 . а - и \ / к Т |
|
|
О33 |
(4.9) |
|
|
e 3 3 ~ J s A t t |
|
^ ° \ з |
+ (tv3l)max |
4.2.2.2. Атермическая деформация
Микродеформацию активного сдвига рассчитаем при тех же предположениях, что и выше, используя (1.72) и (1.73). При этом (1.73) конкретизируем следующим образом:
г * = g fc J s g n $ , — к T —гл (т5 — r°)m H (TS —r° ) , |
(4.10) |
r& = - к T - ra (rs - T°)mH (i* - т°) , |
(4.11) |
192
где g, к — те |
же константы, что и в (1.73); |
ra = r8e Wa/kT; |
wa — постоянные материала; т° — начальное |
значение напря |
|
жений течения; |
т — постоянная. |
|
Чтобы произвести аналитический расчет, рассмотрим раз личные этапы силового и температурного воздействия на ма териал.
Этап приложения нагрузки. Оценим поведение материала при мгновенном приложении нагрузки и постоянной темпе
ратуре |
Т - Т\ |
-• const. Ясно, что, пока выполняется условие |
|||
lr3il |
< |
ÎQ (TI), |
активная |
пластичность в данной системе сколь |
|
жения |
не имеет |
места. |
Как только начинает выполняться тре |
||
бование |
lr3il |
> ZQ (Ti), |
возникает сдвиговая деформация /?3j и |
изменяется кристаллографическое напряжение течения г5. Из формул (1.72), (4.10) и (4.11) вытекают следующие соотноше ния:
|
0ъ\ = л а [r3i - ^o(r i)sgnr3i # ( r31sgn*31 ~ rJ(Ti))l, |
(4.12) |
|||||
|
|
|
*s = *31 sgn r3i, |
|
|
(4.13) |
|
|
|
|
gAa « |
1. |
|
|
(4.14) |
Разумеется, (4.12)—(4.14) совпадают с |
(3.6) и |
(3.7). |
|
||||
Этап выдержки материала под постоянным напряжением. |
|||||||
Будем теперь поддерживать постоянными температуру Ti и |
напря |
||||||
жение |
г3ь В таком |
режиме г31 = 0 |
и, кроме того, |
rs = lr3J I, т. е. |
|||
0. |
Однако |
* |
0. Тогда из |
(1.72), |
(4.10) |
и (4.11) |
легко |
находим, что материал испытывает контролируемый возвратом атермический сдвиг, скорость которого определяется выражением
031 = “Г [ . I sgn r31 - r° (T,)j Я (r31 sgnr31 - Ts0) sgn r31. (4.15)
Интересно подчеркнуть, что степенной закон ползучести имеет место в рамках чисто атермической модели неупругой деформации. Эта разновидность ползучести контролируется, как легко видеть, процессами возврата, в то время как пол зучесть в (4.9) определяется механизмами термофлуктуационного преодоления барьеров движущимися носителями неупру гой деформации. Тепловое движение играет существенную роль и в (4.15), но его действие сводится к понижению барьеров перед движущимися дефектами — носителями дефор мации. Само же преодоление барьеров происходит атермически.
Разумеется, (4.15) совпадает с (3.16).
13 Заказ № 3258 |
193 |
Этап повышения температуры. Пусть материал находится под действием постоянного сдвигового напряжения г31 и при началь ной температуре Т\. При повышении температуры будут возникать неориентированные микронапряжения лезь которые в сумме с напря жениями тз1 создают эффективное напряжение. Если I г31 + х31 Кг5, то в данном месте ориентационного пространства будут иметь место только упругая и обычная тепловая деформации. Напряжения, удов
летворяющие условию 1т31 + х 3i I |
= Xs , вызовут пластические сдви |
|||
ги атермического характера. |
|
|
|
|
Рассмотрим |
вначале |
случай, |
когда |
(Tv3j ) т а х - |
< г31 sgnr31 + г5. Ясно, что в тех участках кристалла, где хъ\ и хъ\ складываются с одинаковым знаком, кристаллографический пре дел текучести будет достигнут при минимальном повышении тем
пературы (которую обозначим через 7н). Это утверждение выте кает из факта прямо пропорциональной зависимости лс31 от ин
тервала изменения температуры. Используя (1.72), (4.3) |
и (4.11) |
|||||
|
£0 |
£0 |
|
|
|
|
и вводя обозначение а = л11п—3 »33 |
(у33 ~Уп)> находим |
|||||
|
|
+ ^зззз |
|
|
|
|
|
TS (Т ) —г |
sgnr |
. |
|
|
|
|
7^ = Ti + |
|
^ |
|
(4.16) |
|
|
н |
а + к |
|
|
|
|
Поскольку I T3J I |
при любом |
виде нагружения |
кристалла |
изменя |
||
ется в пределах |
0 < lr31l< lr 3ilmax, то в одних местах |
ориента |
||||
ционного пространства пластические |
сдвиги начнутся |
раньше, а |
||||
в других позже. В соответствии со сказанным |
можно |
ввести две |
характеристические температуры: (7н)ш1п — отвечающую началу пластических сдвигов в наиболее напряженных местах кристалла;
(7 н )max — отвечающую началу пластического течения в наименее нагруженных участках кристалла:
(7н)тт = 7\ + * 0 ^ |
__ - Т31 'шах |
’ |
(гь |
_ |
т + т0 (TJ |
||
u н/mm |
J 1 т |
а + К |
н/max “ |
* \ |
+ ^ Г Л Г |
||
|
|
|
|
|
|
|
а + к |
• _
Скорость пластической деформации - /?31 найдем с помощью
(1.72), используя для to выражение (4.11) и принимая во вни
мание, что силовой критерий в аргументе функции |
Хевисайда |
||
И [(т31 + х31) sgn(r31 + х31) - т5] |
эквивалентен температурному |
||
критерию |
в аргументе другой |
функции Хевисайда |
H (Т - 7^). |
Это дает |
при m * 1 |
|
|
X Н ( Т - Т*н).
После интегрирования в промежутке температур от Т\ до Т находим приращение сдвиговой деформации Дб§1 для случайного значения x3j в виде
A03l(*3l) |
= Ал ^31 Sgn ДС31 sgnr31 + |
|
+ к ( Т - Т 1) sgn (г31 + *31 ) Я (Г - 1*н)‘] . |
(4.17) |
|
Усредненное значение |
Л/$Ji по совокупности переменных, х3( |
для которых реализуется сдвиговый процесс, можно найти с помощью интеграла
- - |
- (x3l)min |
|
|
|
А/? 31 = |
/ |
V' (-*31) A^3i (x3i) |
r3i) ^*31 + |
|
|
_ (Tv3l)max |
|
|
|
|
(т^зз)тах |
|
|
|
+ |
/ |
V' (*31) ^^31 (*3l) H (г31) </х3J . |
(4.18) |
|
|
С*31)тт |
|
|
|
Здесь (х31)ш|п = 4 (T ) sgn (т31 + х31 ) - г3, , причем sgn (г31 + х31) = |
||||
= sgnr31, так |
как |
x31 sgnx31 < г31 sgnr31 ; |
ip{x3X) ~ |
функция |
распределения по переменной x3j. Для равномерного распреде ления она имеет вид
(4.19)
= У.-Г31 )max Н [(lV3l)™« “ *3‘ . •
Интегрирование (4.18) с учетом (4.19) дает
<Г>“ 2 ^ зТ л L » | î N |
™ |
2- |
- ^ (Г) - |
||||
- |
Г31 sgn Г31 ) |
2 |
S |
r3i sgn Г31 ) |
|||
|
sgn (го (Г ) - |
||||||
+ |
[4 (г о |
- 4 |
|
ОТ 1 [(M ien)»» - |
(4 m - |
||
|
- |
Г31 sgn 131 )] н ( Т |
- Ti) . |
(4.20) |
|||
|
|
|
|
J |
|
|
|
Заметим, что в (4.20) использовано тождество |
|||||||
|
к(Т - |
Ti) = TQ(TI ) —TSQ(T) |
(4.21) |
195
Микропластический сдвиг A /^i(*3i> в (4.17), в соответствии с (4.10), вызовет увеличение напряжений течения rs. Если нагрев
от Г1 до |
Г |
происходит скачком, (4.10) легко интегрируется и |
|||
приводит |
с |
учетом |
(4.21) к |
выражению вида |
|
|
|
х5 « |
то(Г) +£ |
дДз1<П sgn Ь р \ \ ( Т ) . |
(4.22) |
Этап изотермической выдержки материала после его на грева до температуры Гг. Рассмотрим теперь, как будет осу ществляться деформация, если после достижения температуры Гг дать изотермическую выдержку. Сразу после прекращения
нагрева, если Д0 з1*О, выполняется естественное условие
*s (Тг) = |
1*31 + *31 (Тг) 1 s£n { |
l*3i + *3i (^ 2) 1 }• |
(4.23) |
В последующие |
моменты времени |
величины xs(Т2) |
и ДС31 (Тг) |
начинают уменьшаться вследствие процессов отдыха и релак
сации |
напряжений. |
Если И (Гг) уменьшается |
во времени |
значи |
тельно |
быстрее, чем |
релаксируют напряжения |
*3 1 (Гг), то |
всегда |
будет сохраняться условие (4.23) и, следовательно, возникнет де формация «активной» ползучести, скорость которой по аналогии с (4.15) окажется равной
$ i (*3i ) = “ {[*3i + *31 (гг) 1 sen l(T3i + *31 (Тг)) 1 - |
*° (г г )}”*х |
х sgn [Г31 + хз1 (Гг) ]. |
(4.24) |
Кроме того, будет происходить и термофлуктуационная пол зучесть, в соответствии с (4.6). Поскольку процесс релаксации микронапряжений JC31 в таком режиме зависит не только от ки нетики, описываемой в (4.3), но и от суммы неупругих микро
деформаций /?|| +/?3i, точный расчет (î\x и /?31 становится труд ноосуществимым. В любом случае, однако, как только напряже
ния хзх упадут до уровня 1х31 (Г2 ) I < Xs (Г2) - lr3i I , «активная» ползучесть прекратится. Дальнейшие события зависят от уровня
напряжения г31. Если 1г31 I <х° ( Г 2) , то «активная» ползучесть
никогда уже не начнется. Если же 1г31 I > х°( Г2) , она вновь всту
пит |
в |
силу, |
как только |
удовлетворится условие |
|
Xs ( Т’г) = |
1*31 |
* • |
Кинетика такой |
ползучести в дальнейшем дол |
|
жна |
отвечать |
(4.24) при *3i ( r 2 ) = 0. Разумеется, будет иметь |
место и термоактивированная ползучесть, как в (4.6). Вычислительные трудности существенно снижаются, когда ско
рость релаксации микронапряжений х3\ настолько велика, что за время полной релаксации успевают накопиться лишь незначитель-
ные деформации ползучести и /831. В этой ситуации можно
полностью пренебречь влиянием /З31 и j8|i на скорость релаксации микронапряжений *31. Если теперь принять естественное предполо жение, что скорость релаксации Vs много меньше скорости релак сации Х3 1, то легко прийти к мысли, что немедленно после на чала изотермической выдержки условие (4.23) нарушится и ак тивная пластичность прекратится. Она возникает лишь тогда, когда Xs со временем снизится до уровня т31, что, разумеется, может
иметь силу лишь при условии 1т31 I > т°. Скорость «активной» пол
зучести будет отвечать (4.24) |
при |
= 0. |
|
||
Оценим скорость релаксации т , используя (4.10) и положив |
|||||
для |
упрощения выкладок |
т = 1 . Уравнение (4 .1 0) |
имеет об |
||
щее |
решение при |
ш |
|
|
|
|
|
^ = 4 т а + « о е ' ,(,' ,1). |
|
||
ще |
— момент |
времени |
начала |
изотермической |
выдержки; |
Со - |
постоянная интегрирования. Для ее нахождения используем |
||||
начальное условие |
для Vs |
в форме |
(4.22): |
|
|
|
4 (Г2) = 4 (Т2) + g Д/?з1 (Г2) sgn Д ? з1 (Г2) . |
(4.25) |
|||
Отсюда получаем |
|
|
|
|
**(Гг) = 4 (Гг) + гЛ Д|, (тг) sgn Л $ , (ту е" * " . (4.26)
Выражение (4.26) позволяет рассчитать время начала /н процесса «активной» ползучести из требования г*( Т2 ) = lr3j I :
<„-------------- Ч ------- + |
^т3 1 ^ ~ то(Тг) |
|
|
н t *г31 *“ то(^2 )1 Г |
|
||
X sgnA^3j {Tj) H (I т31 I - |
TJ(T2)]. |
(4.27) |
|
Этап охлаждения. Рассмотрим |
далее |
поведение |
материала |
при охлаждении от Тг до Гь Обозначим момент времени температурного скачка через (2 > считая, что к этому времени полностью произошла релаксация микронапряжений *31 ( Г2 ) и
полный возврат т5 до уровня ZQ. Ясно, что переход от нагрева к охлаждению Сопровождается изменением знака приращения
напряжения *3 1 |
. Теперь |
в тех областях материала, где ранее |
|||||||
возникали |
напряжения, |
совпадающие по знаку |
с |
г31, появят |
|||||
ся |
напряжения |
противоположного направления, |
а |
там, где |
|||||
дс3| |
вычитались |
из |
г31, |
будут напряжения |
с |
совпадающими |
|||
знаками. |
Используя |
те |
же предположения, |
что |
|
и |
для этапа |
нагрева, легко прийти к выводу о необходимости расчета де формаций только в тех участках кристалла, где Jt3j и r3f совпадают по знаку. В других местах активная пластичность реализоваться не может.
Температура 7Q, до которой необходимо охладить материал, чтобы в нем начались пластические сдвиги, по аналогии с (4.16) находится сразу:
7 2 - Г0 |
___*31 S g n r 31 |
(4.28) |
|
а - к |
|
Она в зависимости от величины тз1 изменяется для различных
участков кристалла |
от |
(7^) шах до (7^) min: |
|
О», |
- г |
m a x ^ S ^ n ^ * 3 1 ^ m a x |
|
UQ/max - |
' 2 |
а - к |
|
|
|
|
Теперь можно рассчитать скорость деформации |
Она равна |
031 = \ К*31 + * 3 i ) + № + г ( / - т°) ] sgn (т31 + х Ъ1 |
) }Н (TQ - T ) . |
После интегрирования в промежутке температур от Тг до Т и учитывая (4.21), получаем выражение
А 031 ( * 3 1 ) |
~ |
= Аа [*31 sgn x31 sgn r31 + [rj (Т2) - |
TJ (Т ) ] sgn (г31 + хд1 )] х |
х Я ( Т о - Г ) .
Используя далее усреднение по х31 в форме (4.18), получим, приняв (4.19):
A a а . . г гг \ ^ а S g n 7Г3 1
Д Д З , ( Г ) " Т № 7 В
X
Х 12 ^ (т1*31 ^ ) ) ^ пах ” (тЬ(Т) - T3I Sg!ÎT3l )2 sgn (То (Т ) —
- *31 sén Г31 ) ] + [ 4 (Тг ) - 4 (Т ) ] [ (Tv31 (Т ))тах - ( 4 (7- ) -
- т31 Sgnr3, )]|я(То - Т ) . |
(4.29) |
Естественно, что появление деформации Д р§\{Т) вызовет из менение кристаллографического предела текучести г5, в полном
198
соответствии с |
(4.22), если |
в (4.22) в качестве А р $ х(Т) |
ис |
|
пользовать |
(4.29). |
|
|
|
После того как в результате охлаждения будет достигнута |
||||
температура |
Т \ |
и начнется |
изотермическая выдержка при |
ней, |
напряжения течения достигнут значения xs2(T\), аналогичного приведенному в (4.29):
|
4< г 1> = 4 (Г1} +£ А Й ( Г 1) sgn А Й (Ti). |
|
||
Со временем Xs будет релаксировать по |
кинетике |
|
||
|
xs (Л ) = *о (^ 1 ) + * ДЙ 1 ^ i) sÊn д й |
<^1) е _ r(' " t2\ |
|
|
Когда |
Xs ( Т\ ) снизится до уровня г31, |
начнется |
процесс |
пол |
зучести посредством реализации деформации fi|j. |
Время начала |
|||
такой |
ползучести может быть рассчитано с помощью (4.27) |
пу |
тем замены Т2 на Т\ и t\ на il.
4.2.3. Макроскопическая деформация
Макроскопическую деформацию активного характера е?* рас считаем вначале только для одноосного нагружения, когда отлич на от нуля лишь компонента <733. В этом случае получаются три ненулевые компоненты деформации, причем связанные между со
бой: e f ! —£ 2 2 = - ^ - £ 3 3 . Поэтому достаточно определить только од
ну из них, например е33. В данной постановке при интегрирова нии по ориентационному пространству нужно учитывать, что в
области |
углов |
0 < а < 2тг, 0 <р<л/ 2 |
и 0 <ш<л касательное напря |
жение |
г31 |
имеет один знак, |
а при 0 < а < 2л, 0<@<л/ 2 и |
л< ш < 2л — другой. Сказанное заставляет интеграл по совокупно сти {£2} разбивать на две части, которые затем должны быть просуммированы.
Полагая теперь, что текстура отсутствует, и используя (1.8), после простейших вычислений найдем, что при скачкообразном
нагреве |
от Т\ |
до |
Гг и в предположении Ti> (7^)max объект |
||
получает приращение деформации ДЕ33, равное |
|||||
Д£ао — |
2 Ад sgna33 |
*(т*Э1 (7,2 .7Y»2m a * -(ro (7 2»2 + |
|||
л(уР3 1(Т2 , |
Ti)) m a x |
||||
33 3 |
|||||
|
, |
я |
s /гг, ч |
4 2 |
|
|
+ |
5 |
го (Т т) °зз sSn °зз ~ 35 °зз |
+ р о <n ) - 4 ( T l ) ] [(i*3l (Г2 , 7-, ))max - 4 ( 7 2 ) +
']) |
(4.30) |
+ T5 °33 sgn °3з11 H ' T2 - ( r t )max 1 • |
|
Не составляет труда рассчитать Д£33 и тоща, коща Т2 < (7^ï)rnax. Получающиеся при этом выражения довольно громоздки и содержат эл липтические интегралы первого, второго и третьего рода. В прак тических задачах такие формулы не представляют интереса, так как отвечают малым разностям Т2 —Т \ .
На этапе скачкообразного охлаждения от Тг до Т\ выражение для приращения активной деформации аналогично (4.30):
- |
(4 (П )) |
+ |
j 4 ( r l)a33 sgn °33 - Js °зз] - |
|
|
|
- |
[*ô № ) - |
4 (Тг) ] [ (TV3I (TI . Tz))max - |
|
|
- |
4 |
(T,) + Y5°33 sgn O33JJ H [ (T *Q)mi„ - T, I. |
(4.31) |
||
Оно пригодно |
для Ti |
s |
(T$)mjn. Если Ti > (T j)min |
вновь, как |
и при нагреве, формула усложняется и включает в себя эл липтические интегралы первого, второго и третьего рода.
Вычисление деформации макроскопической ползучести типа (4.15), которая наступает, когда время t> tH в формуле (4.27), сводится к нахождению интегралов по ориентационному про странству с переменными пределами. Такое вычисление в прин ципе возможно произвести, но результат здесь не выписывается из-за его громоздкости.
4.2.4.Расчет неизотермической деформации
для случая больших тепловых микронапряжений
В приведенных вычислениях предполагалось, что микронапря
жения *3! всегда удовлетворяют условию IX31 I < lr31 I + T Q . Од нако в практических задачах очень часто имеет место обратная ситуация, когда некоторые значения x3i удовлетворяют неравен
ству |
l*3i I > |
1г3, I + t0s |
(т. е. (Tv31)max > r 31 sgn г31 |
+ TQ). Для та |
ких |
участков |
кристалла |
приходится рассматривать |
две составляю |
щие дисторсии Д031: одну, порождаемую суммой напряжений 1г3 1 I + 1*31 I , а другую — разностью 1г31 I - l* 31 I < 0 . Сумма таких дисторсий определяет результирующую микродеформацию