Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Структурно-аналитическая теория прочности

..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
31.75 Mб
Скачать

11 + ^3333

 

Узз ~ Уи J T ( s ) Q ( t - s ) d s .

(4.3)

Среднестатистическое значение нормальных напряжений выгля­ дит следующим образом:

Tv 3 3 « _ _ _ _ _ _ _ _ 2 ( < £л ц >

-£ 112 2 )

 

2 ( < £ ? 1 1 1 > - £122? ) + £3311 +£§322

 

х [(<А> “ Л) (£§311 + £3322) + (<узз> -

х

* j T ( s ) Q ( t -

s)ds.

(4.4)

о

 

 

Интегралы в (4.3) и (4.4) зависят, естественно, от режима изменения температуры. Предполагается, что температура из­ меняется от Ti до Гг плавно, скачками либо циклически, без выдержки после достижения температуры Гг или с некоторой выдержкой при Гг, затем в той же интерпретации от Гг до Г| и т. д. В этих случаях интеграл вычисляется и выглядит следующим образом:

 

N

+ 1 (Г2 - Г,) . (4.5)

J ' f ( s ) Q ( t - s ) d s =

^ е~ ап(( ~ *п) ( _

О

/1 = 1

 

Здесь суммирование производится по номеру температурного скачка п так, что все нечетные п относятся к скачкообразному нагреву, а четные — к скачкообразному охлаждению; tn — мо­ мент, времени л-го скачка температуры;

___________ 2 «о Гпл___________

Clfl ~

2 г „ л — T i — г 2 + ( г 2T- i) ( - 1 ) ” *

Из (4.5) видно, что началу процесса всегда соответствует на­

грев от Ti до Гг. В тех случаях, когда Гг < Ti,

т. е.

когда

процесс начинается с охлаждения, вместо (4.5)

необходимо

использовать то же выражение, но с противоположным

зна­

ком.

 

 

4.2.2.Расчет деформаций

4.2.2.1.Термоактивированная деформация

Сдвиговые микродеформации, порождаемые напряжением Г31 от внешних нагрузок и случайными сдвиговыми температурными напряжениями о д (они изменяются, согласно (4.3), в пределах

(тУзОш'ш —* 13 —(тУзОтах )> можно рассчитать с помощью соот­ ношений (1.68)—(1.71). Приняв для определенности (1.68) и положив pik = 0 , имеем

0 31 = A t е U l / k T

[(r 3l + * 31) s8n O 31 + * 3l)] ” s8 n (г 31 +

х з 0 -<4 -6>

Теперь требуется

усреднить микродеформации

по

всей со­

вокупности переменной х$у. Выбрав равномерную функцию рас­ пределения, имеем

(у'зОтах

^

 

(4.7)

Дз1 = ^ (TV3I)max - (TV3j)max

0 3 \ (*3l)

d * 3 \

 

Положив далее n ш 3, что соответствует реальным свойствам большого количества материалов, получим

Д31

е Ul

[*31

(т v3i) шах 1*31 •

(4.8)

Скорость макроскопической деформации теперь легко вычис­

ляется с помощью

(1.8).

Считая

тело изотропным,

т. е.

/(Q ) = const, и ограничиваясь лишь одноосным нагружени­

ем,

когда отлична от

нуля

лишь

компонента

напряжений

0 3 3,

имеем, подставляя

(4.8)

в ( 1 .8 ),

 

 

 

- t _ 2 . а - и \ / к Т

 

 

О33

(4.9)

 

e 3 3 ~ J s A t t

 

^ ° \ з

+ (tv3l)max

4.2.2.2. Атермическая деформация

Микродеформацию активного сдвига рассчитаем при тех же предположениях, что и выше, используя (1.72) и (1.73). При этом (1.73) конкретизируем следующим образом:

г * = g fc J s g n $ , — к T —гл (т5 r°)m H (TS —r° ) ,

(4.10)

r& = - к T - ra (rs - T°)mH (i* - т°) ,

(4.11)

192

где g, к — те

же константы, что и в (1.73);

ra = r8e Wa/kT;

wa — постоянные материала; т° — начальное

значение напря­

жений течения;

т — постоянная.

 

Чтобы произвести аналитический расчет, рассмотрим раз­ личные этапы силового и температурного воздействия на ма­ териал.

Этап приложения нагрузки. Оценим поведение материала при мгновенном приложении нагрузки и постоянной темпе­

ратуре

Т - Т\

-• const. Ясно, что, пока выполняется условие

lr3il

<

ÎQ (TI),

активная

пластичность в данной системе сколь­

жения

не имеет

места.

Как только начинает выполняться тре­

бование

lr3il

> ZQ (Ti),

возникает сдвиговая деформация /?3j и

изменяется кристаллографическое напряжение течения г5. Из формул (1.72), (4.10) и (4.11) вытекают следующие соотноше­ ния:

 

0ъ\ = л а [r3i - ^o(r i)sgnr3i # ( r31sgn*31 ~ rJ(Ti))l,

(4.12)

 

 

 

*s = *31 sgn r3i,

 

 

(4.13)

 

 

 

gAa «

1.

 

 

(4.14)

Разумеется, (4.12)—(4.14) совпадают с

(3.6) и

(3.7).

 

Этап выдержки материала под постоянным напряжением.

Будем теперь поддерживать постоянными температуру Ti и

напря­

жение

г3ь В таком

режиме г31 = 0

и, кроме того,

rs = lr3J I, т. е.

0.

Однако

*

0. Тогда из

(1.72),

(4.10)

и (4.11)

легко

находим, что материал испытывает контролируемый возвратом атермический сдвиг, скорость которого определяется выражением

031 = “Г [ . I sgn r31 - (T,)j Я (r31 sgnr31 - Ts0) sgn r31. (4.15)

Интересно подчеркнуть, что степенной закон ползучести имеет место в рамках чисто атермической модели неупругой деформации. Эта разновидность ползучести контролируется, как легко видеть, процессами возврата, в то время как пол­ зучесть в (4.9) определяется механизмами термофлуктуационного преодоления барьеров движущимися носителями неупру­ гой деформации. Тепловое движение играет существенную роль и в (4.15), но его действие сводится к понижению барьеров перед движущимися дефектами — носителями дефор­ мации. Само же преодоление барьеров происходит атермически.

Разумеется, (4.15) совпадает с (3.16).

13 Заказ № 3258

193

Этап повышения температуры. Пусть материал находится под действием постоянного сдвигового напряжения г31 и при началь­ ной температуре Т\. При повышении температуры будут возникать неориентированные микронапряжения лезь которые в сумме с напря­ жениями тз1 создают эффективное напряжение. Если I г31 + х31 Кг5, то в данном месте ориентационного пространства будут иметь место только упругая и обычная тепловая деформации. Напряжения, удов­

летворяющие условию 1т31 + х 3i I

= Xs , вызовут пластические сдви­

ги атермического характера.

 

 

 

Рассмотрим

вначале

случай,

когда

(Tv3j ) т а х -

< г31 sgnr31 + г5. Ясно, что в тех участках кристалла, где хъ\ и хъ\ складываются с одинаковым знаком, кристаллографический пре­ дел текучести будет достигнут при минимальном повышении тем­

пературы (которую обозначим через 7н). Это утверждение выте­ кает из факта прямо пропорциональной зависимости лс31 от ин­

тервала изменения температуры. Используя (1.72), (4.3)

и (4.11)

 

£0

£0

 

 

 

 

и вводя обозначение а = л11п—3 »33

(у33 ~Уп)> находим

 

 

+ ^зззз

 

 

 

 

 

TS (Т ) —г

sgnr

.

 

 

 

7^ = Ti +

 

^

 

(4.16)

 

н

а + к

 

 

 

Поскольку I T3J I

при любом

виде нагружения

кристалла

изменя­

ется в пределах

0 < lr31l< lr 3ilmax, то в одних местах

ориента­

ционного пространства пластические

сдвиги начнутся

раньше, а

в других позже. В соответствии со сказанным

можно

ввести две

характеристические температуры: (7н)ш1п — отвечающую началу пластических сдвигов в наиболее напряженных местах кристалла;

(7 н )max — отвечающую началу пластического течения в наименее нагруженных участках кристалла:

(7н)тт = 7\ + * 0 ^

__ - Т31 'шах

(гь

_

т + т0 (TJ

u н/mm

J 1 т

а + К

н/max “

* \

+ ^ Г Л Г

 

 

 

 

 

 

 

а + к

_

Скорость пластической деформации - /?31 найдем с помощью

(1.72), используя для to выражение (4.11) и принимая во вни­

мание, что силовой критерий в аргументе функции

Хевисайда

И [(т31 + х31) sgn(r31 + х31) - т5]

эквивалентен температурному

критерию

в аргументе другой

функции Хевисайда

H (Т - 7^).

Это дает

при m * 1

 

 

X Н ( Т - Т*н).

После интегрирования в промежутке температур от Т\ до Т находим приращение сдвиговой деформации Дб§1 для случайного значения x3j в виде

A03l(*3l)

= Ал ^31 Sgn ДС31 sgnr31 +

 

+ к ( Т - Т 1) sgn (г31 + *31 ) Я (Г - 1*н)‘] .

(4.17)

Усредненное значение

Л/$Ji по совокупности переменных, х3(

для которых реализуется сдвиговый процесс, можно найти с помощью интеграла

- -

- (x3l)min

 

 

А/? 31 =

/

V' (-*31) A^3i (x3i)

r3i) ^*31 +

 

_ (Tv3l)max

 

 

 

(т^зз)тах

 

 

+

/

V' (*31) ^^31 (*3l) H (г31) </х3J .

(4.18)

 

С*31)тт

 

 

Здесь (х31)ш|п = 4 (T ) sgn (т31 + х31 ) - г3, , причем sgn (г31 + х31) =

= sgnr31, так

как

x31 sgnx31 < г31 sgnr31 ;

ip{x3X) ~

функция

распределения по переменной x3j. Для равномерного распреде­ ления она имеет вид

(4.19)

= У.-Г31 )max Н [(lV3l)™« “ *3‘ . •

Интегрирование (4.18) с учетом (4.19) дает

<Г>“ 2 ^ зТ л L » | î N

2-

- ^ (Г) -

-

Г31 sgn Г31 )

2

S

r3i sgn Г31 )

 

sgn (го (Г ) -

+

[4 (г о

- 4

 

ОТ 1 [(M ien)»» -

(4 m -

 

-

Г31 sgn 131 )] н ( Т

- Ti) .

(4.20)

 

 

 

 

J

 

 

 

Заметим, что в (4.20) использовано тождество

 

к(Т -

Ti) = TQ(TI ) —TSQ(T)

(4.21)

195

Микропластический сдвиг A /^i(*3i> в (4.17), в соответствии с (4.10), вызовет увеличение напряжений течения rs. Если нагрев

от Г1 до

Г

происходит скачком, (4.10) легко интегрируется и

приводит

с

учетом

(4.21) к

выражению вида

 

 

 

х5 «

то(Г) +£

дДз1<П sgn Ь р \ \ ( Т ) .

(4.22)

Этап изотермической выдержки материала после его на­ грева до температуры Гг. Рассмотрим теперь, как будет осу­ ществляться деформация, если после достижения температуры Гг дать изотермическую выдержку. Сразу после прекращения

нагрева, если Д0 з1*О, выполняется естественное условие

*s (Тг) =

1*31 + *31 (Тг) 1 s£n {

l*3i + *3i (^ 2) 1 }•

(4.23)

В последующие

моменты времени

величины xs(Т2)

и ДС31 (Тг)

начинают уменьшаться вследствие процессов отдыха и релак­

сации

напряжений.

Если И (Гг) уменьшается

во времени

значи­

тельно

быстрее, чем

релаксируют напряжения

*3 1 (Гг), то

всегда

будет сохраняться условие (4.23) и, следовательно, возникнет де­ формация «активной» ползучести, скорость которой по аналогии с (4.15) окажется равной

$ i (*3i ) = “ {[*3i + *31 (гг) 1 sen l(T3i + *31 (Тг)) 1 -

*° (г г )}”*х

х sgn [Г31 + хз1 (Гг) ].

(4.24)

Кроме того, будет происходить и термофлуктуационная пол­ зучесть, в соответствии с (4.6). Поскольку процесс релаксации микронапряжений JC31 в таком режиме зависит не только от ки­ нетики, описываемой в (4.3), но и от суммы неупругих микро­

деформаций /?|| +/?3i, точный расчет (î\x и /?31 становится труд­ ноосуществимым. В любом случае, однако, как только напряже­

ния хзх упадут до уровня 1х31 (Г2 ) I < Xs (Г2) - lr3i I , «активная» ползучесть прекратится. Дальнейшие события зависят от уровня

напряжения г31. Если 1г31 I ° ( Г 2) , то «активная» ползучесть

никогда уже не начнется. Если же 1г31 I > х°( Г2) , она вновь всту­

пит

в

силу,

как только

удовлетворится условие

Xs ( Т’г) =

1*31

* •

Кинетика такой

ползучести в дальнейшем дол­

жна

отвечать

(4.24) при *3i ( r 2 ) = 0. Разумеется, будет иметь

место и термоактивированная ползучесть, как в (4.6). Вычислительные трудности существенно снижаются, когда ско­

рость релаксации микронапряжений х3\ настолько велика, что за время полной релаксации успевают накопиться лишь незначитель-

ные деформации ползучести и /831. В этой ситуации можно

полностью пренебречь влиянием /З31 и j8|i на скорость релаксации микронапряжений *31. Если теперь принять естественное предполо­ жение, что скорость релаксации Vs много меньше скорости релак­ сации Х3 1, то легко прийти к мысли, что немедленно после на­ чала изотермической выдержки условие (4.23) нарушится и ак­ тивная пластичность прекратится. Она возникает лишь тогда, когда Xs со временем снизится до уровня т31, что, разумеется, может

иметь силу лишь при условии 1т31 I > т°. Скорость «активной» пол­

зучести будет отвечать (4.24)

при

= 0.

 

Оценим скорость релаксации т , используя (4.10) и положив

для

упрощения выкладок

т = 1 . Уравнение (4 .1 0)

имеет об­

щее

решение при

ш

 

 

 

 

 

^ = 4 т а + « о е ' ,(,' ,1).

 

ще

— момент

времени

начала

изотермической

выдержки;

Со -

постоянная интегрирования. Для ее нахождения используем

начальное условие

для Vs

в форме

(4.22):

 

 

4 (Г2) = 4 (Т2) + g Д/?з1 (Г2) sgn Д ? з1 (Г2) .

(4.25)

Отсюда получаем

 

 

 

 

**(Гг) = 4 (Гг) + гЛ Д|, (тг) sgn Л $ , (ту е" * " . (4.26)

Выражение (4.26) позволяет рассчитать время начала /н процесса «активной» ползучести из требования г*( Т2 ) = lr3j I :

<„-------------- Ч ------- +

^т3 1 ^ ~ то(Тг)

 

н t *г31 *“ то(^2 )1 Г

 

X sgnA^3j {Tj) H (I т31 I -

TJ(T2)].

(4.27)

Этап охлаждения. Рассмотрим

далее

поведение

материала

при охлаждении от Тг до Гь Обозначим момент времени температурного скачка через (2 > считая, что к этому времени полностью произошла релаксация микронапряжений *31 ( Г2 ) и

полный возврат т5 до уровня ZQ. Ясно, что переход от нагрева к охлаждению Сопровождается изменением знака приращения

напряжения *3 1

. Теперь

в тех областях материала, где ранее

возникали

напряжения,

совпадающие по знаку

с

г31, появят­

ся

напряжения

противоположного направления,

а

там, где

дс3|

вычитались

из

г31,

будут напряжения

с

совпадающими

знаками.

Используя

те

же предположения,

что

 

и

для этапа

нагрева, легко прийти к выводу о необходимости расчета де­ формаций только в тех участках кристалла, где Jt3j и r3f совпадают по знаку. В других местах активная пластичность реализоваться не может.

Температура 7Q, до которой необходимо охладить материал, чтобы в нем начались пластические сдвиги, по аналогии с (4.16) находится сразу:

7 2 - Г0

___*31 S g n r 31

(4.28)

 

а - к

 

Она в зависимости от величины тз1 изменяется для различных

участков кристалла

от

(7^) шах до (7^) min:

О»,

- г

m a x ^ S ^ n ^ * 3 1 ^ m a x

UQ/max -

' 2

а - к

 

 

 

Теперь можно рассчитать скорость деформации

Она равна

031 = \ К*31 + * 3 i ) + + г ( / - т°) ] sgn (т31 + х Ъ1

) }Н (TQ - T ) .

После интегрирования в промежутке температур от Тг до Т и учитывая (4.21), получаем выражение

А 031 ( * 3 1 )

~

= Аа [*31 sgn x31 sgn r31 + [rj (Т2) -

TJ ) ] sgn (г31 + хд1 )] х

х Я ( Т о - Г ) .

Используя далее усреднение по х31 в форме (4.18), получим, приняв (4.19):

A a а . . г гг \ ^ а S g n 7Г3 1

Д Д З , ( Г ) " Т № 7 В

X

Х 12 ^ (т1*31 ^ ) ) ^ пах ” (тЬ(Т) - T3I Sg!ÎT3l )2 sgn (То ) —

- *31 sén Г31 ) ] + [ 4 (Тг ) - 4 ) ] [ (Tv31 ))тах - ( 4 (7- ) -

- т31 Sgnr3, )]|я(То - Т ) .

(4.29)

Естественно, что появление деформации Д р§\{Т) вызовет из­ менение кристаллографического предела текучести г5, в полном

198

соответствии с

(4.22), если

в (4.22) в качестве А р $ х(Т)

ис­

пользовать

(4.29).

 

 

После того как в результате охлаждения будет достигнута

температура

Т \

и начнется

изотермическая выдержка при

ней,

напряжения течения достигнут значения xs2(T\), аналогичного приведенному в (4.29):

 

4< г 1> = 4 (Г1} +£ А Й ( Г 1) sgn А Й (Ti).

 

Со временем Xs будет релаксировать по

кинетике

 

 

xs (Л ) = *о (^ 1 ) + * ДЙ 1 ^ i) sÊn д й

<^1) е _ r(' " t2\

 

Когда

Xs ( Т\ ) снизится до уровня г31,

начнется

процесс

пол­

зучести посредством реализации деформации fi|j.

Время начала

такой

ползучести может быть рассчитано с помощью (4.27)

пу­

тем замены Т2 на Т\ и t\ на il.

4.2.3. Макроскопическая деформация

Макроскопическую деформацию активного характера е?* рас­ считаем вначале только для одноосного нагружения, когда отлич­ на от нуля лишь компонента <733. В этом случае получаются три ненулевые компоненты деформации, причем связанные между со­

бой: e f ! —£ 2 2 = - ^ - £ 3 3 . Поэтому достаточно определить только од­

ну из них, например е33. В данной постановке при интегрирова­ нии по ориентационному пространству нужно учитывать, что в

области

углов

0 < а < 2тг, 0 <р<л/ 2

и 0 <ш<л касательное напря­

жение

г31

имеет один знак,

а при 0 < а < 2л, 0<@<л/ 2 и

л< ш < 2л — другой. Сказанное заставляет интеграл по совокупно­ сти {£2} разбивать на две части, которые затем должны быть просуммированы.

Полагая теперь, что текстура отсутствует, и используя (1.8), после простейших вычислений найдем, что при скачкообразном

нагреве

от Т\

до

Гг и в предположении Ti> (7^)max объект

получает приращение деформации ДЕ33, равное

Д£ао —

2 Ад sgna33

*(т*Э1 (7,2 .7Y»2m a * -(ro (7 2»2 +

л(уР3 1(Т2 ,

Ti)) m a x

33 3

 

,

я

s /гг, ч

4 2

 

+

5

го (Т т) °зз sSn °зз ~ 35 °зз

+ р о <n ) - 4 ( T l ) ] [(i*3l (Г2 , 7-, ))max - 4 ( 7 2 ) +

'])

(4.30)

+ T5 °33 sgn °3з11 H ' T2 - ( r t )max 1 •

 

Не составляет труда рассчитать Д£33 и тоща, коща Т2 < (7^ï)rnax. Получающиеся при этом выражения довольно громоздки и содержат эл­ липтические интегралы первого, второго и третьего рода. В прак­ тических задачах такие формулы не представляют интереса, так как отвечают малым разностям Т2 —Т \ .

На этапе скачкообразного охлаждения от Тг до Т\ выражение для приращения активной деформации аналогично (4.30):

-

(4 (П ))

+

j 4 ( r l)a33 sgn °33 - Js °зз] -

 

 

-

[*ô № ) -

4 (Тг) ] [ (TV3I (TI . Tz))max -

 

-

4

(T,) + Y5°33 sgn O33JJ H [ (T *Q)mi„ - T, I.

(4.31)

Оно пригодно

для Ti

s

(T$)mjn. Если Ti > (T j)min

вновь, как

и при нагреве, формула усложняется и включает в себя эл­ липтические интегралы первого, второго и третьего рода.

Вычисление деформации макроскопической ползучести типа (4.15), которая наступает, когда время t> tH в формуле (4.27), сводится к нахождению интегралов по ориентационному про­ странству с переменными пределами. Такое вычисление в прин­ ципе возможно произвести, но результат здесь не выписывается из-за его громоздкости.

4.2.4.Расчет неизотермической деформации

для случая больших тепловых микронапряжений

В приведенных вычислениях предполагалось, что микронапря­

жения *3! всегда удовлетворяют условию IX31 I < lr31 I + T Q . Од­ нако в практических задачах очень часто имеет место обратная ситуация, когда некоторые значения x3i удовлетворяют неравен­

ству

l*3i I >

1г3, I + t0s

(т. е. (Tv31)max > r 31 sgn г31

+ TQ). Для та­

ких

участков

кристалла

приходится рассматривать

две составляю­

щие дисторсии Д031: одну, порождаемую суммой напряжений 1г3 1 I + 1*31 I , а другую — разностью 1г31 I - l* 31 I < 0 . Сумма таких дисторсий определяет результирующую микродеформацию

Соседние файлы в папке книги