Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Цифровые приборы с частотными датчиками

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
25.99 Mб
Скачать

Добротность варикапа определяется из эквивалентной схемы, по­ казанной на рис. 3-9 (без учета индуктивности и емкости выводов).

Здесь последовательное сопротивление Rn складывается из сопротив­ ления материала полупроводника и сопротивления контактов, а па­

раллельное сопротивление RU1 — это обратное сопротивление р—n-пе­ рехода. Полное сопротивление диода (для малых переменных сигна­

лов) может быть записано в виде

Z = Rn + i + - W „

CRI

1 - f a'C'Ri

Отношение реактивной составляющей сопротивления к активной

определяет добротность Q варикапа.

 

 

 

В области нижних частот, где со2C2R2m<

 

<^

 

С 1, добротность

Q =

a>CRw; в области

I

с

I /?„

верхних частот, где

Rn >

-----— ---- ,

^ ^

II

1 *

 

 

1 - 1- ь>2С 21?-ш

 

 

 

О =

р

Рис. 3-9, Эквивалентная

.

схема варикапа

 

coCi?n

 

 

 

Между этими областями лежит диапазон частот, в котором доброт­ ность варикапа максимальна и в котором наиболее целесообразно его

использовать. В измерительной технике применяются, как правило, кремниевые варикапы, обратное сопротивление и добротность которых

значительно выше, чем у германиевых. Так, для кремниевого вари­

капа с Rn = 2 ом, Rm =

107 ом, С =

50 пф получается QMaKC =

1100

и fom = 700 кгц [60]. Добротность

катушек

индуктивности в

этом

же диапазоне составляет

100 ч-

150 (см.

рис. 3-2).

 

Произведение SQ может служить показателем качества варикапа на заданной частоте. При шунтировании варикапа емкостями, если

потери в шунтирующих конденсаторах отсутствуют, результирующая добротность возрастает на столько же, на сколько уменьшается отно­ сительная чувствительность.

Изучение и экспериментальный сравнительный анализ схем гене­ раторов показали, что преобразователь напряжения в частоту целе­ сообразнее выполнять на базе LC-генераторов, причем хорошими ха­ рактеристиками — стабильностью во времени, малыми температурной зависимостью и зависимостью от напряжения питания — обладают

генераторы, собранные по схеме Клаппа [61 ]. ЯС-генераторы с ва­

рикапами [98] менее стабильны. В качестве управляемых емкостей лучше использовать кремниевые стабилитроны типов Д808 — Д813 или Д814, обладающие большей емкостью (С0 — 300-*- 400 пф), чем специально выпускаемые промышленностью варикапы типов Д901А— Д901Е, а также и большей чувствительностью.

Выбор амплитуды переменного напряжения на варикапе и посто­ янного смещения. Варикап является нелинейным элементом и при включении его в контур находится под действием постоянного управ­

ляющего напряжения и переменного со стороны контура {UJ).

Поэтому изменение амплитуды переменного напряжения на варикапе вызывает изменение выходной частоты, причем причинами этого из­ менения являются как нелинейность емкости, так и нелинейность об­ ратного сопротивления р—п-перехода.

В работе [90] дан расчет поправки к частоте, вызванной нелиней­

ностью емкости, путем решения нелинейного дифференциального урав­

нения, описывающего свободные колебания в контуре без потерь.

Результаты расчета для случая включения в контур одного (рис. 3-10, а) и двух варикапов (рис. 3-10, б) с относительным разбросом емкостей у приведены в табл. 3-2. При встречном включении двух варикапов со

строго идентичными ха-

 

 

 

Т а б л и ц а 3 -2

рактеристиками

общая

 

 

 

 

емкость оказывается ли­

 

Поправка к частоте

при вклю­

нейной и частота теоре­

V ~ m

 

чении

 

тически не должна зави­

 

 

 

сеть от амплитуды.

ü ic + и см

 

двух варикапов

одного

Рассмотрение

попра­

 

 

 

 

 

 

варикапа

7 0.5

I Т 0,2

вок к частоте убедитель­

1 ,0

 

 

 

но показывает

преиму­

1 ,8

0 ,1 4

0 ,0 2 5

щество включения двух

0 , 5

0 ,5 2

0 ,0 3 8

0 , 0 0 6

варикапов и позволяет

0 , 3

0 ,2 1

0 ,0 1 4

0 ,0 0 3

оценить погрешность от

0 ,1

0 ,0 2 5

0 ,0 0 2

изменения U_ при вы­ бранном Ucu.

Нелинейность обратного сопротивления перехода вызывает ча­ стичное выпрямление напряжения [98] и появление на емкостях

варикапов дополнительного смещения. Это смещение тем больше, чем больше U_, чем ближе к нулю £/см и чем больше постоянное сопро­

тивление, шунтирующее варикап (включая сопротивление источника

сигнала). Практически дополнительное смещение при разомкнутом входе преобразователя и U_ = 20 50 мв меняется от десятых долей

милливольта до нескольких милливольт.

Несмотря на то, что обе рассмотренные погрешности уменьшаются

с ростом £/см, работать при больших смещениях нецелесообразно, так как это на порядок уменьшает чувствительность. Более выгодно ра­

ботать при малых смещениях или даже без смещения, а малость по­

грешностей от изменения U_ и сопротивления источника сигнала

обеспечить выбором малой амплитуды переменного напряжения на варикапе. Это достигается путем уменьшения напряжения питания

генераторов до 3—4 в, включения варикапов в контур через понижаю­ щий трансформатор, а также с помощью устройств автоматической

регулировки усиления, поддерживающих заданную малую амплитуду переменного напряжения на выходе или входе усилительного каскада генератора.

Температурная зависимость емкости барьерного слоя запертого /;—«-перехода характеризуется температурным коэффициентом

ТК Е = —

1

(3-6)

2

1+ÜSL

 

U

где I — температурный коэффициент диэлектрической проницаемости

обедненного слоя, равный для кремния | = + 2 -10-4 1/град; X — температурный коэффициент контактной разности потенциалов, рав­

ный X = — (3 -s- 6) 10_3 1/град.

Если выразить температурную нестабильность частоты в виде величины абсолютного дрейфа по напряжению, приведенному к уп­

равляющему входу, то получим следующее соотношение:

IU = 4£/к|^1(Г4(l + + (1,5-^3) 1(T3J в/град.

Из этого выражения видно, что основную долю нестабильности

вносит температурная нестабильность контактной разности потенциа­ лов. Для уменьшения температурной зависимости можно подбирать температурные коэффициенты элементов контура. Кроме того, ТКЕ

зависит от напряжения смещения С/см. Если напряжение смещения в свою очередь сделать зависящим от температуры, то, подбирая его температурный коэффициент, можно скорректировать основную со­

ставляющую погрешности от температуры. Можно показать, что в

этом случае необходимо обеспечить равенство

т к и ^ т к и ^ .

ик

При условии линейной зависимости £/см (Т) и [Усм = UK необхо­

димо обеспечить положительный температурный коэффициент напря­

жения смещения, равный (3 6) 10~3 Иград.

Нелинейность характеристики преобразования напряжения в ча­

стоту может быть рассчитана по формулам § 2-2 путем подстановки

/2 = 4, так как в данном случае

 

 

 

4

Г

и*м

 

 

 

 

/ = / * ■ ! /

 

' ик t

где /„ =

1

 

 

 

 

 

2г,у'1с0

Например, при аппроксимации секущей минимальная приведен­ ная погрешность (см. табл. 2-1) составляет

Если задаться ул <

0,1%,

то Д///н < 0,38%. По

найденной та­

ким образом максимальной относительной девиации

е/накс = Д///„

и чувствительности преобразователя определяется

предел измере­

ния по напряжению:

 

 

 

 

of

III

 

 

fd U

 

 

При Д///„ = 0,38%

и Uca =

0 напряжение UBX составляет 12 мв.

На возможность измерения/таких малых напряжений при использо­ вании варикапов указывалось в работе [100]. При дифференциальном включении преобразователей одинаковой чувствительности допустимое

относительное изменение частоты для ул = 0,1% увеличивается со­

гласно табл. 2-3 как

(3-7)

до 3,4%, и предел измерения дифференциального преобразователя

таким образом может быть расширен до 100 мв.

Дальнейшее расширение пределов измерения при использовании

преобразователя напряжения в частоту с варикапом требует допол­ нительных цепей коррекции нелинейности. Другой путь для достиже­

ния того же результата с одновременным улучшением метрологиче­

ских свойств — переход от метода прямого преобразования к уравно­ вешивающему преобразованию. Для повышения чувствительности на малых пределах измерения на выходе преобразователя может быть

использован умножитель частоты. Входное сопротивление, состав­ ляющее величину порядка сотен мегом в случае прямого преобразо­

вания, может достигать Ю5 Мом в случае уравновешивающего преоб­ разования, что позволяет осуществлять работу с высокоомными ис­

точниками.

Схемы преобразователей напряжения в частоту с использованием варикапов. В настоящее время имеется несколько работ, посвященных измерительным приборам с управляемыми генераторами на варика­ пах. В работе [100] описан полупроводниковый усилитель к само­ пишущему вольтметру, предназначенный для измерения тока порядка

10-7 а при малом падении напряжения на входных зажимах (менее 50 мв). Структурная схема усилителя показана на рис. 3-11. На

рис. 3-12 представлена схема генератора этого прибора. Генератор

выполнен по схеме Франклина. Для уменьшения амплитуды перемен­

ного напряжения на диоде напряжение питания генератора понижено

до 4 в и использовано частичное включение диода в контур. Диод с ем­

костью 70 пф работает при напряжении смещения 1,35 в, получаемом

от окиснортутного элемента.

Другая схема с варикапом в контуре генератора (рис. 3-13) при­ ведена в работе [801. Этот генератор предназначен для использования

Рис. 3-11. Структурная схема усилителя малых токов с ва­ рикапом на входе

1 — LC-генератор; 2 — усилитель; 3 — частотный демодулятор; 4 ~ усилитель постоянного тока

в pH-метре и рассчитан на работу с источниками измеряемого напря­ жения 50—500 мв при значениях их внутреннего сопротивления,

10—30 Мом. Генератор построен по схеме Клаппа, он питается

от

 

пониженного напряжения 4

в,

Г ~ ------

1 **~46 чем обеспечивается малая ампли­

 

туда переменного напряжения на

 

варикапе Д г. Стабилитрон Д 2,

Рис. 3-12. Принципиальная схема

Рис. 3-13. Схема генератора с ва-

генератора, использованного в

рикапом для использования в

усилителе малых токов

рН-метре

включенный в прямом направлении в цепь эмиттера, задает начальное смещение на варикапе. Напряжение смещения складывается из падения напряжения на стабилитроне, дросселе и переходе база—эмиттер тран­ зистора, его температурная зависимость обеспечивает частичную ком­ пенсацию ухода емкости варикапа от температуры (см. выше). Посто­

янный ток, протекающий по варикапу, составляет 3- Ю-10 я. Генера­

тор работает на частоте 500 кги и обеспечивает чувствительность

70гц/мв.

ВЛПИ имени М. И. Калинина разработаны преобразователи на­ пряжения в частоту на основе IC -генератора с управляемым р—л-пере-

ходом в контуре (рис. 3-14). Генератор по схеме Клаппа построен на

триоде Тг. Для уменьшения влияния нелинейной зависимости емкости

варикапа от напряжения использована цепь автоматической регули­ ровки величины переменного напряжения на варикапе (АРУ), со­ стоящая из усилителя переменного напряжения на триодах Т 2 — Г5,

однополупериодного выпрямителя, фильтра (RC-цепь) и усилителя

постоянного тока (УПТ) на триоде Т7. Цепь работает таким образом, что при увеличении амплитуды переменного напряжения на эмиттере

Тг растет постоянное напряжение на выходе УПТ и при заданном

постоянном напряжении на базе Т х уменьшается постоянная состав­

ляющая тока триода 7\, а следовательно, его крутизна и амплитуда

П403 Л16 /11В П16

П16 П16

П15

Рис. 3-14. Схема генератора с варикапом для преобразователя напряже­ ния в частоту

генерируемых колебаний. Варикапы включены встречно, постоянное

смещение выбрано близким к нулю и равным величине выпрямленного на варикапе напряжения. При обеспечении этого условия включение на вход преобразователя сопротивления не вызывает изменения ча­

стоты на выходе.

Генератор работает на частоте 800 кгц и обеспечивает чувствитель­ ность в узком диапазоне входных напряжений порядка 200 гц/мв-

Температурный коэффициент частоты генератора — 4,4* 10-4 1/град.

Нестабильность частоты преобразователя составила 0,03% в час и около 0,2% за четыре дня. При повышении частоты до 2,5 Мгц и диф­ ференциальном включении двух генераторов можно достичь чувст­ вительности 1 кгц/мв.

3-3. Расчет LC -генераторов с однокаскадными усилителями

Использование однокаскадных усилителей, работающих в классе С, хотя и сопровождается резким искажением формы кривой тока, воз­ буждающего контур, однако позволяет выполнять очень простые и до­ статочно стабильные LC-генераторы. На рис. 3-15 приведены схемы

генераторов Клаппа с заземленным эмиттером, коллектором и базой.

Данные экспериментальных исследований показывают, что эти три

варианта включения транзистора не оказывают существенного влия­

ния на нестабильность частоты, которая составляет примерно 10 4 и

10-5 при изменении питания соответственно базовой и коллекторной

цепей на 20%. В работе [61] рекомендуется включение транзистора по схеме с заземленным эмиттером (рис. 3-15, а), для частотных дат­ чиков удобнее схемы рис. 3-15, б, в, которые позволяют заземлить емкостный (С3) или индуктивный (L) преобразователь, а также вклю­

чить последовательно в контур конденсатор большой емкости для

получения синусоидального выходного напряжения (см. § 2-3 и рис. 3-7).

о)

б)

-в в)

Рис. 3-15. Схемы генераторов Клаппа с транзистором, включен­ ным по схеме с заземленным эмиттером (а), заземленным коллек­ тором (б) и с заземленной базой (в)

Выбор транзисторов для усилителей автогенераторов прежде всего определяется требованием обеспечения минимальных фазовых сдви­

гов, вызываемых триодами усилителя в рабочей области частот. Фа­

зовый сдвиг между током базы /б и током

 

Таблица 3-3

коллектора /к, определяется комплексным

 

 

 

значением коэффициента усиления b тран­

 

Д£_ „

зистора в схеме с общим эмиттером, равным

 

h

Q

Ьн

 

 

 

 

 

 

 

где

Ь„ — значение

Ь на

низкой частоте,

a fb — граничная

частота

усиления

по b

(при

которой |6 |

=

0,7 Ьн), равная

fjb a.

0,1

6

1

0,2

12

5

0,5

26,5

20

1,0

45

50

Вследствие этого

запаздывание фазы выходного

тока

транзистора

с повышением частоты / находится из равенства tg <р =

fjfb. Это при­

водит к

зависимости между потерей,

фазовой

добротности AQJQ

(см. § 2-3)

и отношением генерируемой частоты f к граничной частоте

fb транзистора по Ь,

приведенной в табл.

3-3.

 

 

Потеря 20% или более от добротности используемого контура из-за

неправильного выбора типа транзистора, естественно, нежелательна.

Поэтому, например, на транзисторе П403 с /а = 120 Мгц и b = 100,

т. e. c fb ='1,2 Мгц, с потерей добротности контура не более 5% мо­

гут строиться лишь генераторы с диапазоном рабочих частот не выше

/ = 0,2 fb = 240 кгц.

Особенности расчета однокаскадных усилителей L С-генераторов связаны с тем, что вход усилителя питается переменным напряжением

от участка контура с малым сопротивлением и оказывается в режиме

MC

заданного напряжения (а не

в

режиме

заданного

тока,

8

 

как

это

бывает

обычно

 

в

транзисторных

усилите­

 

лях).

Поэтому расчет

уси­

 

лителя удобнее вести по ха­

 

рактеристике

/к = / (£/б),

 

приведенной

для

транзи­

 

стора П403 на рис. 3-16.

/

Такой

характеристики в

справочниках по транзисто­

рам, [как

правило, не при­

водится. Однако при работе

в

диапазоне

частот

ниже

f

=

0,2 fb,

когда <р =

10 -ч-

L

:1 5 ° и сопротивление цепи

базы можно считать актив-

œf ным,

характеристика

/к =

=

/ (U6) может быть

полу-

1

к— II---------------------------

 

1 .

с3 L г

 

1

II

 

 

..____

'----0

=и$

----0

Рис. 3-16.

Кривые базового напряжения

Рис.

3-17.

Эквивалентная схема

и коллекторного тока транзистора в LC-ге­

контура генератора Клаппа

 

нераторе

 

 

 

чена из

справочной характеристики

/ б =

/ (U6)

путем увеличения

значений по оси токов в b раз.

 

 

 

Эта характеристика на участке токов коллектора более 2 ма может быть аппроксимирована прямой линией с постоянной крутиз­

ной. Для транзистора П403 эта крутизна может, например, быть S =

= 48 ма/в. Продолжение этой прямой, показанное прерывистой ли­ нией на рис. 3-16, отсекает на оси £/б_э некоторое напряжение Е'6.

В соответствии с допущениями, применяемыми при расчете (см. ниже),

реальная характеристика транзистора может быть заменена ломаной

линией, а точка Ев принята за точку отсечки переменного базового напряжения. Пои такой аппроксимации характеристики транзистора

реальная форма импульсов коллекторного тока в режиме генерации, показанная сплошной линией в координатах iKt соt на рис. 3-16, за­ меняется косинусоидой (прерывистая линия) с углом отсечки 6.

При пропускании косинусоидальных импульсов тока через конден­

сатор Сг контура генератора (см. рис. 3-15) контур работает в качестве

фильтра, выделяя на конденсаторе С2 напряжение первой гармоники, которое и прикладывается ко входу усилителя. Эквивалентная

схема контура генератора Клаппа в виде такого фильтра пред­

ставлена на рис. 3-17. Отсюда видно преимущество емкостной трехточки по сравнению с индуктивной трехточкой, заключающееся в луч­

шей фильтрации высших гармоник, так как образуемый контуром

фильтр имеет последовательную индуктив­

ность

и

параллельные емкости. Емкости

 

Таблица 3-4

транзистора, составляющие часть емкостей

 

 

 

Сг и С2, мало влияют на частоту, если Сх

т« («)

7. (0)

и С2 выбраны достаточно большими.

 

 

 

 

Величина коэффициента передачи такого

180

1,000

1,000

фильтра определяется прежде всего тем,

120

0,609

0,805

что [из

косинусоидального импульса

тока

100

0,441

0,611

с углом отсечки 9 фильтр выделяет лишь

90

0,319

0,500

составляющую первой гармоники. Постоян­

80

0,236

0,390

ная

составляющая коллекторного

тока

70

0,166

0,288

60

0,109

0,196

транзистора определяется постоянной со­ ставляющей косинусоидальных импульсов.

Поэтому для расчета генератора удобно пользоваться таблицей коэффи­

циентов разложения последовательности косинусоидальных импуль­ сов в тригонометрический ряд. В табл. 3-4 эти коэффициенты приве­

дены для различных углов отсечки 0, где у0 (б) и уг (0) — соответст­

венно отношения постоянной составляющей и первой гармоники кол­

лекторного тока к амплитуде SU6m = 1лт синусоидального тока, которая была бы в линейном усилителе с крутизной S при том же вход­

ном напряжении U6.

Таким образом, при крутизне характеристики транзистора S и ам­ плитуде синусоидального напряжения U6m на базе транзистора вы­ ражения для постоянной составляющей /0 и амплитуды первой гар­

моники тока коллектора получают вид:

 

/ 0 = SU6myо (0);

(3-8)

 

Ilm = SU6mU(0).

(3-9)

В соответствии с § 2-3 отношение

 

 

/ли

_ S 6 W =

1

 

hm

Iltn

Ti (û)

 

называется фактором регенерации.

Считая входной величиной контура (рис. 3-17) первую гармонику

/ х тока коллектора транзистора, его выходное напряжение можно

представить как U6m = RnI 1т и, следовательно, G = SRni где Rn —

проходное сопротивление контура (см. § 3-1), равное на резонансной частоте

так как общая, или эквивалентная, емкость контура Сэкв, определяе­ мая последовательным включением Сх, С2, С3 при Сх > С3, С2 > С3, практически равна С3.

В состоянии покоя (т. е. при отсутствии колебаний) усилительный каскад (рис. 3-15) удерживается схемой Ши в некоторой точке харак­

теристики (например, в точке / 0 = 2 ма на рис. 3-16). Если эта точка лежит выше изгиба характеристики, т. е. находится на аппроксими­ рующей прямой, то условием самовозбуждения колебаний в этом слу­ чае является неравенство SR„ > 1. Однако фактор регенерации вы­

бирается обычно значительно большим единицы (см. § 2-3). В этих условиях возникшие колебания быстро нарастают и переменная со­

ставляющая базового напряжения за счет эффекта выпрямления в ба­

зовой и эмиттерной цепях транзистора смещается влево (см.

кривые

t/g_9

на рис. 3-16). Это смещение продолжается до тех пор,

пока

не

будет выполнено равенство Syx (0) R„ = 1, т. е. до тех пор,

пока

не

будет достигнут такой угол отсечки,

при котором Yx (9) =

1/G; при

этом

среднее значение импульсов

коллекторного тока останется

/ 0 =

2 ма.

 

 

 

Последовательность расчета генератора с усилителем класса С.

Вначале выбираются постоянная составляющая тока коллектора

10

и напряжение Ек питания транзистора автогенератора. Эти величины имеют оптимум, который определяется следующими соображениями.

С ростом /„ и Ек увеличивается мощность, рассеиваемая транзистором, ухудшается его тепловой режим и увеличивается нестабильность ге­ нерируемой частоты. Ухудшение стабильности происходит и с умень­ шением крутизны характеристики транзистора. Поэтому в работе [61J

в качестве оптимальных рекомендуются следующие величины: для

транзисторов П13—П15 Ек =

8 -s- 10 в и / к = 5 -*- 10 ма, для П401—

— П403 Ек = 3 +

5 в и /к =

2 -Î- 6 ма, а для П4Ю — П411 £ к =

= 6 - ъ 8 в и / к =

4-5-6 ма.

Для стабилизации режима, а следова­

тельно, и для уменьшения нестабильности частоты от изменения па­

раметров транзистора рекомендуется выбирать сопротивление в эмит­

терной цепи транзистора не менее 300 — 400 ом.

Затем рассматривается режим установившихся колебаний и прежде всего выбирается значение фактора регенерации, которое рекомен­

дуется брать в пределах G = 2 = 4. В соответствии с формулой (3-9)

оно однозначно определяет ух (0), а следовательно, и угол отсечки 0.

Так, при в г = 2 угол 0! =

90°, а при G2 = 4,2 угол 02 =

65° (см.

рис. 3-16). Из соотношения

(0) SR„ =

1 по известной крутизне ап­

проксимированной характеристики транзистора

находится необхо­

димое проходное сопротивление контура (например, если G =

SR„ =

= 4, то при S == 48 ма!в R„ = 83 ом),

а исходя

из выбранного тока