Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Модели и методы обеспечения функциональной и технологической воспроизводимости интегральных микросхем

..pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
8.2 Mб
Скачать

мизация качественных показателей элементов схемы У» = {(/*,..., у*} при соблюдении определенных технических и технологических

условий.

В результате решения задачи параметрической оптимизации находят оптимальные значения выходных параметров процесса X*

ипараметров топологии AL*, обеспечивающие наилучшие соотно­

шения функциональных характеристик активных и пассивных эле­ ментов. Однако конечная цель этого уровня принятия решений — формирование области согласования функциональной точности па­ раметров элементов и дисперсии воспроизводимости технологиче­ ского процесса (5.5), сформировать которую только результатом решения задачи параметрической оптимизации не представляется возможным. Поэтому необходимо дополнительно сформулировать

ирешить задачу назначения допусков на оптимизируемые пара­ метры Я ’ и А'*.

Сучетом того что модели элементов и модели технологического процесса описаны аналитическими зависимостями, задачу поиска области согласования (5.5) целесообразно формализовать как за­ дачу совместной оптимизации параметров процесса, топологии и их допусков. Для этого следует сформировать область поиска зна­ чения допусков параметров, которую молено описать выражением

Rix : (Бг У“р — Ъхт[Л*1> 0},

(5.98)

где бУ“р — допуск на /г-й выходной параметр элемента.

Таким образом, допустимая областыюиска оптимальных реше­ ний для х* и 6х* формируется выражениями (5.96) — (5.98), т. е.

0(У) = {У0-

8У„р ^

Упр< У0 +

8Г„Р],

 

G (X ) = \Х~

Х 9Ч;

X - ^

Х к^

AQ,

(5.99)

где С7(-) = {gTi(-), £ г( -) . . . . ,

gm( -)}

множество

функций-огра­

ничений на независимые параметры.

Для формализации и решения задачи совместной оптимизации используем многокритериальную функцию оптимальности вида

h

(5.100)

ОХ

где Уа — требуемое значение функционального параметра; <от= = (coi,. . . , оо<} — вектор весовых коэффициентов.

Следует обратить внимание на то, что знаменатель критерия (5.100) представляет собой в общем случае дисперсию воспроизво­ димости функциональных параметров элементов операциями тех­ нологического процесса.

181

Анализ критерия (5.100) показывает, что его минимальное зна­ чение обеспечивает требуемые функциональные характеристики элементов путем определения оптимальных значений выходных параметров процесса, топологии и их допусков. В результате сов­ местная задача параметрической оптимизации и назначения до­ пусков формулируется как задача математического программи­

рования:

,—

min

- .

(5.101)

 

Q, (х, ох) -►

— > JC*, Ьх.

х , Ьх е У?у(

Так как математические модели элементов и процесса, а также функции ограничения описаны нелинейными зависимостями, то задача (5.101) есть классическая задача нелинейной (многокри­ териальной) векторной оптимизации. Для более эффективного ис­ пользования критерия оптимальности (5.101) при поиске опти­ мального решения предлагается в качестве весовых коэффициен­ тов сог использовать функции чувствительности выходных харак­ теристик схемы к электрическим параметрам элементов, т. с.

Юг= (у) = (у) Idiji] •[yi/Fh(у) ].

Таким образом, результатом решения задачи (5.101) являются оптимальные значения параметров X*, их допусков 6Х* и область согласования функциональной точности и дисперсии воспроизво­ димости процесса:

( Х Т0- 8 Х Т^ Х Т^ Х Т0 +

8ХТ,

I Хко -

ЬХК

Х к Х к0 +

(5.102)

8ХК,

где Хт= { х Т1, . . . . х„} —

вектор

выходных

параметров процесса,

представляющих собой функции от входных параметров техноло­ гического процесса [x = f ( z )].

Если область Rx (5.102) получилась слишком жесткой и, сле­ довательно, параметры обеспечивают низкий уровень воспроизво­ димости выхода годных, то необходимо расширить поля допусков на выходные технологические параметры путем решения задачи

повторной оптимизации, используя критерий вида

 

Qi(jc, 6х) = w r (x) -с(8х),

(5.103)

где сот(х) — {coi (х), , со((х)}

— вектор весовых функций

(соДх) =

= [d y {x )/d x i][x ily (x )]); с(Ьх)

— функция относительных затрат

на реализацию структуры схемы.

 

Для решения задачи повторной оптимизации используют уже сформированную область поиска решения (5.99). Тогда задача повторной оптимизации формулируется следующим образом:

Q,(x“ 3x)-*

min

(5.104)

 

x.lx*Rylx

 

Процесс принятия решения на этом уровне можно для нагляд­

ности представить в виде поэтапной схемы решения задач (рис. 5.5).

182

Следует особо отметить, что для формирования корреляцион­ ных матриц и других статистических параметров при решении та­ кого кл.асса задач производится статистический анализ схемы, элементов и технологического процесса производства, т. е. ста­ тистический анализ осуществляется на всех уровнях модели (см. рис. 5.1).

Для создания микроэлектронной структуры с заданными ха­ рактеристиками, например активного элемента в составе ИМС, требуется определенная последовательность диффузионных про-

Модель

элементов

У=Р(Хт,Хк)

У0-5 У* У£

< У 0 + Ь У

ч е тм а тр и -

чуостби-

те л ь н о с ти щ \\

Расчет н е р е ­ ляционной матрицы Urijll

Рис. 5.5. Схема процесса принятия решения на уровне модели элементов.

цессов. В результате совокупного действия всех термических опе­ рации должны быть реализованы диффузионные области с резуль­ тирующим распределением примеси, обеспечивающие получение требуемых значений электрических параметров активных и пас­ сивных элементов.

Дисперсия воспроизводимости технологического процесса оп­ ределяется дисперсиями точности и стабильности технологического процесса, т. е. а2Й0Спр = о2Т0ч+о?таб.

Допуская, что анализируемые параметры распределены по нор­ мальному закону, в проводимых расчетах значения дисперсии за­ меняют значениями относительных допусков. Поэтому на уровне физико-топологического моделирования путем решения оптимиза­ ционных задач получены значения выходных параметров процесса и их допуски (дисперсии), которые обеспечивают воспроизводи­ мость функциональных параметров.

На уровне технологического моделирования необходимо обес­ печить уже воспроизводимость выходных характеристик процесса (диффузионный профиль, поверхностное сопротивление и т. д.), значения которых, как уже было сказано, обеспечивают воспроиз­ водимость функциональных параметров.

Задачу принятия оптимального решения пятого уровня можно сформулировать следующим образом. Пусть математическая мо­ дель основных технологических операций формирования микро­ электронной структуры описывается системой I — выходных па­ раметров X, которые представлены как функции от входных па­

раметров технологического процесса za-, £=1, . . . ,

t, т. е.

X = F (Z K) Z„),

(5.105)

где ZK= {zKi, . . . , 2Кр} — вектор контролируемых и управляемых параметров (температура, время и т. д.);

ZH= {Zup+it . . . , 2 U«} — вектор остальных входных параметров (неуправляемых и неконтролируемых); F = { fi, . . . , / / } .

Задана (определенная на предыдущем уровне) область допус­ тимых значений выходных параметров технологического процесса, которая определяется через их реальные значения и дисперсии воспроизводимости (5.102):

х ок -

ъхх<

/ , (Z K, Z lt) <

X0l +

8Х ,

 

Rx- x 02-

SX, <

/ э (Z K, Z„) ^

Xoa +

5 X ,

(5.106)

X0i ~ < f i (ZK>Zu) SS X ol - f oX,

где бЛ'(-) — допуски (дисперсии) воспроизводимости выходных параметров процесса. С учетом условий протекания реальных тех­ нологических операций на параметры процесса накладывается ряд двухсторонних ограничений:

Rxz : {Z~ ^ ZK^ Z + ; Z - ^ Zlf ^ Z+},

(5.107)

где Z± { ‘) — допустимые значения температурных, временных и других характеристик процесса. Необходимо определить такие значения параметров процесса Z* = {z\,. . . , г] } и их допустимые

вариации 6Z *= {6z,\ . . . , 6z*}, которые бы обеспечили воспроиз­

водимый выход годных посредством согласования дисперсий вос­ производимости на четвертом и пятом уровне принятия решений, т. е. о7x = f{ o l) , а также согласованием функциональных и техно­

логических параметров.

В общем случае решение поставленной задачи сводится к фор­ мализации ряда задач принятия оптимального решения, в частно­ сти к поиску оптимальных значений параметров технологического процесса и оптимальному назначению допусков на эти параметры.

Для решения задачи поиска оптимальных параметров процес­ са функцию цели представим в виде

Q (z) = V № Lg ).- * faH ,

(5.108)

22

 

где xi3 — требуемое значение i-ro выходного параметра процесса; 5?xi — дисперсия воспроизводимости i-ro параметра моделируе­ мым процессом (значение получено из предыдущего этапа).

Область поиска требуемого решения определяется посредством пересечения множеств (5.106) и (5.107). Тогда

R .

. (G (x ) = [Z o - 8 Z ^ F ( 0 ) ^ ^ o + SX],

(5.109)

"

\ G { z ) - [ ( z - z - ) ( z + - z ) > 0 \ ,

 

где G(*) — множество функций ограничений.

184

В этом случае задачу поиска оптимальных значений парамет­ ров технологического процесса можно сформулировать как задачу нелинейной оптимизации

Q (z) ->

mln^ — >

Z*.

(5.110)

 

~ггяхг

 

 

Решение задачи (5.110)

позволяет

определить

оптимальные

параметры Z*, значения которых находятся в области согласова­ ния (5.102).

Конечной целью этого уровня принятия решения является фор­ мирование области варьирования параметрами (5.6) управления технологического процесса. Эту область можно получить путем оптимального распределения допуска (дисперсии) воспроизводи­ мости выходного параметра процесса 6Z ={6x i.........б*/} на значе­ ния контролируемых, управляемых и других параметров процесса Z * = {z \ ,. . . ,z't}, т. е. в этом случае ставится задача назначения

оптимальных допусков на входные параметры процесса.

Для этого формируется дополнительная область поиска тре­

буемого решения:

 

№ х „ - V ^ , 8 Z(> o

(5.111)

где ЬХь — допуск (дисперсия) воспроизводимости k-то выходного параметра процесса; бг< — значение допуска i-го входного пара­ метра процесса. Ограничение (5.111) получено из условия, что входные параметры процесса между собой некоррелированы.

Тогда обобщенная область поиска оптимальных значений па­ раметров и их допусков описывается совокупностью ограничений

вида _ —

G (х) = [Х9 - 3X ^ F ( z ) ^ X 0+ IX],

0 (2) - К * - * - ) ( « + - г) > 0 ] ,

(5.112)

 

 

 

G ( t e ) - 8 * X - £

tfb *z t > 0 .

 

 

(-1

 

Критерий оптимальности

для

этого случая

целесообразно

сформировать аналогично критерию (5.103):

 

Q (z,8z) =

о)г (з) •c(oz).

(5.113)

В выражении (5.113) в качестве весовой функции использу­ ется функция чувствительности /-го выходного параметра про­ цесса к /-му входному. Кроме того, в выражении (5.111) значение коэффициента чувствительности Sik представлено не постоянной величиной, а функцией чувствительности.

13-3025

185

 

Следовательно, задача формирования области (5.6), т. е. по­ иска значений параметров и их допусков, ставится следующим

образом:

Q (- f e ) _* _ _ mln - > Z \bZ *.

(5.114)

В качестве начальных значений параметров процесса при решении задачи (5.114) берут результаты решения задачи (5.110). Исполь­ зуя полученные результаты, можно окончательно сформировать

Рис. 5.6. Принципиальная электрическая схема ОУ К140УД20 (140УД7)

допустимую область изменения контролируемых, управляемых и других входных параметров процесса:

/?г : {Z0- 8 Z ^ Z * ^ Z 0 + 8Z}.

(5.115)

Процесс принятия решений на пятом уровне можно осуще­ ствлять также по предложенной схеме (см. рис. 5.4). Особая роль при формализации и решении задач на всех уровнях моделиро­ вания и принятия решений отводится коэффициентам чувствитель-

Т а б л и ц а 5.2. Постоянные параметры технологического

процесса

Время первой стадии базовой диффузии, С

3000

Время второй стадии базовой диффузии, С

 

Время первой стадии эмиттерной диффузии, С

600

Время второй стадии эмиттерной диффузии, С

720

Температура первой стадии базовой диффузии, К

1223

Температура второй стадии базовой диффузии, К

1423

Температура первой стадии эмиттерной диффузии, К

1273

Температура второй стадии эмиттерной диффузии, К

1473

Параметр поверхностной рекомбинации

- 2 8

Время жизни электронов в базовой области, мкС

2

Время жизни дырок в эпитаксиальной области, мкС

2

пости. Это вполне объяснимо, особенно на этапах физико-тополо­ гического и технологического моделирований, где анализируется чувствительность выходных параметров элементов к изменению параметров технологического процесса. Поскольку конечная струк­ тура зависит от линейной последовательности технологических операций, то любые незначительные флуктуации на одной из опе­ раций усиливаются последующим процессом. Например, малейшее изменение температуры процесса за пределами области (5.115)

Т а б л и ц а 5.3. Статистические параметры технологического процесса

Параметры

Логарифм коэффициента диффузии бора Логарифм коэффициента диффузии фосфора Коэффициент сегрегации Поверхностная концентрация бора Поверхностная концентрация фосфора Ошибка фотолитографии Удельное сопротивление эпитаксиальной пленки Толщииа эпитаксиальной пленки

Толщина окнсиого слоя

Разы.

Математичес­

Срсднеквадра*

кое ожидание

тическос

 

 

отклонение

см2/с

.170E-J1-01

- .710£—01

см2/с

.235£- -01

.173£+00

 

.508£- -01

.500£—01

см-3

• 470£- -21

Л00£+19

см~э

.840£- |-20

.100£+19

см

• 139£--04

.300£—05

Ом-см

.386£+01

. 100£-|-00

см

. 152£--02

.500£—05

см

. 150£--04

.000£+00

может привести к резкому скачку толщины окисла и глубины перехода. Поэтому количественные характеристики коэффициентов чувствительности указывают на значения относительного вклада каждого параметра процесса и элемента на формирование функ­ циональной полноты элементов и схемы.

Таким образом, наличие формализованной методики обеспече­ ния функциональной и технологической совместимости параметров

Т а б л и ц а 5.4. Параметры, определяющие конкретную

 

электрическую схему

 

Количество

чипов

300

Возможное к-во моделируемых типов элементов

4

Количество

пассивных элементов

11

Количество

активных элементов

24

Количество

моделируемых выходных характеристик

10

Размерность массива конструктивных параметров

98

Количество общих моделируемых характеристик схемы

6

Размерность массива выходных переменных

14100

ИМС позволяет по величине допустимых областей согласования получить объективную оценку технологичности вариантов реали­ зации конкретных типов элементов.

Рассмотрим пример программной реализации этапа моделиро­ вания основных операций технологического процесса производства биполярных ИМС (см. рис. 5.4) и расчета по его выходным харак-

13*

187

 

Т а б л и ц а

5.5. Результаты моделирования ИМС

 

N—В

Тнп

Выв.

Среднее

Стандартное

Мииимол.

Макгимал.

сх.

элемент

пар

значение

отклонение

значение

значение

1 Я -Б А З О В .

3Я -Б А З О В .

4Я -Б А З О В .

7Я -Б А З О В .

10Я -Б А З О В .

11Я -Б А З О В .

2

R-PIN

6

R—PIN

5

R—PJN

вR—PIN

9

R—PIN

1

T—NFN—n

3T-NPN- П

4T—NPN—П

6

T—NPN—П

8

T—NPN—П

10

T—NPN—П

12T—NPN—П

13T -N P N - П

14T—NPN—П

16T -N P N - П

1 7

T—NPN—П

2 0

T—NPN—П

2 1

T—NPN—П

2 3

T—NPN—П

2

T—PNP—П

5

T—PNP—П

7

T—PNP—П

9

T—PNP—П

11

T—PNP—П

15

T -P N P - П

1 8

T—PNP—П

1 9

T—PNP—П

2 2

T—PNP—П

2 4

T—PNP—П

0

Я . - Э П И Т

0

Я .— Ь2

0

Я „— е

О

Х - Ы

0

XЬ2

0

W—b

я

. 108£+04

.210£-!-02

.93С£+03

.112£+04

я

. IU3£+04

.220£+02

.920£+03

. 1 Ю £+04

R

.510Е+04

.101 £ + 04

.450£+03

,530£'ч-04

R

108.000

2.030

96.000

U0.000

Я

430.600

0.310

28.0U0

З -^.OLO

R

26.100

0.250

21.00J

3U.OU0

Я

.506£+05

.860£+03

.481 £ + 05

.561 £ + 0 5

 

.5Ю £+05

.83и£+03

,47«£+05

• 550£+05

 

.386£+05

. 7 7 3 £ + оЗ

.363£+05

.421 £ + 05

 

.49J£+05

.8 1 ч£ '+ 0 3

.4 7 1 £ + 0 о

.531 £ + 05

 

. 4 9 6 £ + о5

.825^+03 .477£+05

,5о0£+05

 

159.000

2.1и0

138.000

173.000

 

157.000

2.U00

135 000

175.000

 

165.000

2.3Л)

138.000

180.000

 

165.000

2.200

137.000

179-000

В

156.000

■1.800

134.000

172.000

В

156.000

1.800

133.0 0

172.О00

в

160.000

1.700

134.000

175.000

в

161.000

1.900

133.0» 0

178.000

в

166.000

1.700

135.000

1 8 1 .0 0 0

в

142.000

2.200

119.000

159.000

в

145.000

1.800

120.000

157.000

в

143.0G0

1.700

1 2 1 .0 0 0

157.000

в

147.000

1.900

125.000

158.000

в

148.0U0

1.8U0

1 2 1 .0 0 0

р 0 . ( 0 0

в

28.000

0.200

23.000

31.000

в

26.000

0.180

21.000

3 0 . 0 0 0

в

18.000

0.150

15.000

25.000

в

19.000

0.140

15.0U0

23.000

в

18.СОО

. 0.150

13.000

23.000

в

20.000

0.160

15.000

26.000

в

17.000

0.140

12.000

23.000

в

18.000

0.150

13.000

25.000

в

14.000

0.130

1 0 .0 0 0

18.000

в

13.000

0 . 1 1 0

1 0 . ( 0 0

17.000

 

4.040

0.2-18

3.510

4.560

 

115.000

2.790

1.070

1.230

 

8 . 2 1 0

0.810

6.490

11.860

 

.210£—03

.397£—05

•205£-03

-218£—03

 

,315£—03

. 180£—05 .341£—03

.3 19£—03

 

.130£—03

.130£—05

.121 £ —03

• 138£—03

теристикам параметров пассивных и активных элементов серийно выпускаемого операционного усилителя (рис. 5.6). Входная ин­ формация содержится в табл. 5.2—5.4.

Сформированный входной массив является достаточным для расчета выходных параметров технологического процесса и опре­ деления основных электрических характеристик элементов ИМС. Результаты решения сформулированной задачи моделирования приведены в табл. 5.5 (х ~ Ы , х—Ь2 — глубина залегания эмиттерного и коллекторного переходов; W—Ь — ширина базы).

188

Время расчета приведенных результатов на ЭВМ ЕС-1060 со­ ставляет 5 мин при использовании аналитической модели техно­ логического процесса. Полученные результаты являются исходной информацией для решения задачи анализа микроэлектронной схемы.

Таким образом, разработана и практически реализована ме­ тодология обеспечения технологической и функциональной вос­ производимости ИМС на основании системного подхода к моде­ лированию и оптимизации принятия конструктивно-технологиче­ ских решений в процессе автоматизации ТПП опытных образцов.

ЗАК ЛЮ Ч Е Н И Е

В заключение отметим, что программа повышения эф­ фективности промышленного производства предусматривает по­ следовательное развитие и совершенствование работ по органи­ зации производства, в том числе в области технологической под­ готовки производства микроэлектронных изделий, базирующейся на широком внедрении средств вычислительной техники.

В настоящее время использование вычислительной техники в промышленности связано с переходом от отдельных подсистем автоматизации к целевым комплексным системам, ориентирован­ ным на конкретный вид продукции. Такой подход, основанный на глубоком системном анализе, положен в основу планомерной авто­ матизации всего производственного процесса и заключает в себе предпосылки создания полностью автоматизированных произ­ водств. В этих условиях процесс обеспечения технологической воспроизводимости микроэлектронных узлов как один из этапов технологической подготовки производства опытных образцов ста­ новится тем рабочим механизмом, который объединяет основные этапы создания конкретного изделия. Это означает, что методоло­ гию построения системы обеспечения технологической воспроиз­ водимости следует строить на базе технических особенностей

исвойств составляющих ее подсистем.

Вданном случае цель автоматизации процесса обеспечения технологической воспроизводимости ИМС состоит в том, чтобы создать систему, подчиняющуюся некоторой установленной после­ довательности действий. Достижение этой цели связано с уста­ новлением роли процесса обеспечения технологической воспроиз­ водимости (ОТВ) изделия в различных производственных ситуа­ циях и структурах; определением отношения поисковых и «кон­ структорских» задач; установлением автоматизации процессов ОТВ.

Известно, что наибольший эффект автоматизация дает при комплексном решении взаимосвязанных проблем. В этом смысле автоматизация процесса ОТВ является одним из перспективных направлений. Являясь связующим звеном между САПР схемо­ технического и конструкторского назначения с одной стороны и АСТПП, и АСУТП, с другой, система ОТВ обеспечивает непре­ рывную цепочку автоматизированной разработки и внедрения в производство микроэлектронных изделий. При этом апробиро­ ванные и подтвердившие свою работоспособность на практике принципы организации и средства САПР должны служить мето­ дологической основой построения программной системы ОТВ, что

190

Соседние файлы в папке книги