Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Модели и методы обеспечения функциональной и технологической воспроизводимости интегральных микросхем

..pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
8.2 Mб
Скачать

обеспечит как преемственность информации, так и преемствен­ ность опыта разработчиков систем.

С учетом сказанного разработана программная система ОТВ микроэлектронных изделий для ЕС ЭВМ, которая представляет собой комплекс программных модулей, предназначенных для ре­ шения целого ряда сравнительно больших по объему взаимосвя­ занных задач моделирования, анализа и принятия оптимальных конструктивно-технологических решений.

В основу организации разработанной системы положен мо­ дульный принцип. Подобная структура позволяет легко наращи­ вать функциональные возможности системы, расширяя набор про­ граммных модулей и, кроме того, модифицируя программные модули. Программная система включает в себя ряд программных модулей: «Анализ схемы», «Технология», «Тепло», «Допуск», «Принятие решения». Совокупность указанных программных мо­ дулей ориентирована на решение практически необходимых задач: назначения электрических, температурных и производственных допусков на параметры элементов ИМ.С; теплового моделирова­ ния конструкции и электронной схемы; технологического модели­ рования конструкции и электронной схемы биполярных инте­ гральных микросхем.

Таким образом, в настоящей книге разработана методология обеспечения технологической воспроизводимости ИМС на осно­ вании системного подхода к моделированию и оптимизации при­ нятия конструктивно-технологических решений в процессе автома­ тизации ТПП опытных образцов.

С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

1. Авдеев Е. В., Чеботаев Е. В., Дьяконов В. М. Синтез диффузионной структуры интегрального транзистора. — Микроэлектроника, 1976, вып. 9,.

с.56-59 .

2.Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники. — М .: Энергия.

J974. — 256 с.

3. Александров В. М., Сысоев В. И., Шемелева В. В. Стохастическая опти­ мизация систем. — Техи. кибернетика, 1968, Ns 5, с. 14— 19.

4.Булевский П. И., Зауэр В. Технология элементов электронной аппарату­ ры. — Л. .-Машиностроение, 1983. — 221 с.

5.Баранов Г. Г. О выборе допусков, обеспечивающих заданную точностьмеханизма и наименьшую стоимость его изготовления. — В кн.: Тр. ин-та ма­

шиноведения, 1956, № 11, М., с. 3— 17.

6. Баранов В. В., Мошкин В. И., Орликовский А. А. Методы машинного

расчета биполярных транзисторов. — Зарубежн. электронная техника,

1973,.

№ 16, с. 3 -4 7 .

 

 

7.

Баранов В. В С к ви р а А. В. Методы расчета

быстродействующих

эле­

ментов

ИС. — Зарубежи. электронная техника, 1980, № 7, с. 12—46.

 

8.

Баталов Б. В., Безбородников В. А., Чеботаев Е. В. Метод расчета опти­

мальных параметров диффузионных процессов. —

Микроэлектроника,

1976,

вып. 9,

с. 69—78.

 

 

9.Баталов Б. В., Петров В. М., Чеботаев Е. В. О возможности оптималь­ ного управления температурным режимом диффузионных процессов. — Микро­ электроника, 1976, вып. 9, с. 78—91.

10.Батищев Д. И. Поисковые методы оптимального проектирования. — М .: Сов. радио, 1975. — 216 с.

11. Бененсон 3. М., Елистратов М. Р., Ильин JI. К. и др. Моделирование и оптимизация на ЭВМ радиоэлектронных устройств. — М .: Радио и связь,. 1981. — 272 с.

12. Боскис И. А. О выборе тепловой модели для расчета температурногополя гибридной интегральной микросборки. — Вопросы радиоэлектроники.. Сер. ТРТО, 1974, вып. 1, с. 74—79.

13. Вальков В. М. Автоматизация управления производства изделий элек­ троники ^(организационно-технологические процессы). — М .: Радио и связь,

14. Волков В. В., Лернер М. Д., Сторожук М. Б. Вопросы анализа и регу­ лирования технологических процессов фотолитографии. — Электронная техника.. Сер. упр. качеством, стандартизации, метрология, испытания, 1982, вып. 1 (93)— 2(94), с. 95 -9 8 .

15. Высоцкий Б. Ф., Алексеев Г. В., Борисов В. Ф. Конструирование и рас­ чет БГИС, микросборок и аппаратуры на их основе. — М .: Радио и связь,. 1981. — 216 с.

16.Гезалов А. А., Довтян А. Г., Лапидус Л. Е. и др. Комплексное модели­ рование процессов двухстадийной диффузии. — Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1976, пып. 5(107), с. 84—96.

17.Глориозов Е. Л., Ссорин В. Г., Сыпчук П. П. Введение в автоматиза­

цию схемотехнического проектирования. — Сов. радио, 1976. — 224 с.

18.Гроп Д. Методы идентификации систем. — М .: Мир, 1979. — 302 с.

19.Демидович Б. П., Марон И. А. Основы вычислительной математики.—

М.: Наука, 1970. - 664 с.

20.Деньдобренко Б. И., Коваль В. А., Малика А. С. Оценка выхода год­

ных

больших

интегральных схем. — Электронная техника.

Сер. 8. . 1974„

вып.

10(28), с.

24.

V

192

21. Деньдобренко В. Н., Коваль В. А., Михайлов В. Б. Об одном алгоритме решения задачи статистической оптимизации допусков на параметры ГПИС. — В кн.: Машинные методы проектирования электронных схем. М.р 1975,

с.204—208.

22.Деньдобренко Б. Н., Коваль В. А. Назначение оптимальных электри­ ческих допусков на параметры элементов гибридно-пленочных интегральных схем

(ГП И С , — В кн.: Вторая конференция по электронным цепям. Прага, 1976,

23.Деньдобренко Б. Н., Малика А. С. Автоматизация конструирования РЭА. — М .: Высш. шк., 1980. — 384 с.

24.Дульнев Г. //., Ермолина Э. И. Приближенный анализ стационарного

температурного поля параллелепипеда с локальным источником энергии. —

ИФ Ж . т. 28, № 4, 1975, с. 685-693.

25.Дульнев Г. Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. — М .: Высш. шк., 1984. — 247 с.

26.Емельянов С. В., Борисов В. И., Малевич А. Д . и др. Модели и методы векторной оптимизации. — В кн.: Техническая кибернетика. Итоги науки и тех­ ники. М., 1972. Т. 5, с. 386—448.

27.Ерм олаев Б. И. Конструирование функциональных узлов ЭВМ на ин­ тегральных схемах. — М .: Сов. радио, 1978. — 200 с.

28. Жилейкин Я М., Боскис И. А. Инженерный метод расчета стационар­ ных тепловых режимов гибридных интегральных схем. — Вопр. радиоэлектро­ ники. Сер. ТРТО, 1969, вып. 2, с. 12—25.

29.Закс Д. И., Наумов Н. М. Анализ температурного поля полупроводни­ ковой микросхемы. — Изв. вузов. Радиоэлектроника, 1975, т. 18, № 1, с. 60—63.

30.Зарудный Д . И., Сыпчук П. П., Талалай А. М. Статистические задачи при анализе производства интегральных схем. — Микроэлектроника, 1973, № 6,

с.33—42.

31.Иншаков А. Н., Голубенко С. В. и др. Оптимизация допусков на пара­ метры исходных материалов для управляемых технологических процессов. — Электронная техника. Сер. упр. качеством, стандартизация, метрология, испы­

тания, 1982, вып. 1(93)—2(94), с. 87—90.

32.Ильин В. Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирова­ ния.— М .: Энергия, 1979. — 392 с.

33.Ильченко О. Г. Расчет теплового состояния конструкции. — X .: Вшца шк. Изд-во при Харьк. ун-те, 1979. — 168 с.

34.Казенное Г. Г., Баталов Б. В., Беляков Ю. И. Статистическая оптими­ зация электрических параметров цифровых интегральных схем. — Микроэлек­ троника, 1973, № 6, с. 26—32.

35.Казенное Г. Г., Баталов Б. В., Руденко А. А. и др. Проектирование физической структуры транзисторов логических интегральных микросхем с по­

мощью

ЭВМ. — Микроэлектроника, 1974, вып. 7, с. 100— 114.

 

 

36.

Калниболоцкий Ю. М.. К оролев

Ю. В., Богдан

Г. И. и др.

Расчет

и

конструирование микросхем. — К .: Вища

шк. Головное

изд-во, 1983.

— 279

с.

37.К офанов Ю. Н. Точность и параметрическая чувствительность радио­ электронной аппаратуры. — В кн.: Точность радиоэлектронной аппаратуры. М., 1971, с. 5 - 1 7 .

38.Коваль В. А. Анализ тепловых полей двухслойных интегральных струк­ тур. — Вопр. радиоэлектроники. Сер. ТПО, 1982, вып. 1, с. 22—26.

39.

Коваль В. А., Л обур М. В. Об

одном подходе оптимального проектиро­

вания

микроэлектронной аппаратуры.

— Вести. Львов, политехи, ин-та, 1980.

142, с. 54—57.

40.К оваль В. А., Л обур М. В. Розрахунок параметр1в штегральних схе.\г методами стохастичноТ i детермшовано! оптим1заци. — BicH. Льв1в. пол1техн.

iH-ту, 1978, № 124, с. 58—63.

41.Коваль В. А. Назначение допусков на параметры элементов линейных интегральных схем. — Электронное моделирование, 1983, № 2, с. 50—55.

42.Коваль В. А. Назначение допусков при проектировании интегральных

микросхем. —

Автоматизация проектирования РЭА. 1982, М» 1,

с. 118— 122.

43. К оваль

В. А., Федасюк Д. В. Моделирование и анализ

стационарных

термоэлектрических полей полупроводниковых микросхем. — В кн.: Автомати­ зация конструирования РЭА и ЭВА. Пенза, 1982, с. 2—5.

44. Колм огоров

Г. Д„ Мусабеков Т. Ю. Оптимизация технологических

ре­

жимов

на основе

статистического

моделирования. — Электронная техника.

Сер. 2, 1974, вып. 5, с.

99 -110 .

 

 

45.

Коваль В. А.,

Янгурский КИ., Карнаков В. В. Метод расчета пара­

метров

технологического процесса

производства интегральных микросхем.

В кп.: Техн. диагностика электронных систем. К -: Наук, думка, 1982, с. 154— 158.

46.Кремниевые планарные транзисторы. — М .: Сов. радио, 1973. — 336 с.

47.Ланкастер П. Теория матриц. — М .: Наука, 1982. — 272 с.

48.Марчук Г. И., Агошнов В. И. Введение н проекционно-сеточные мето­

ды. — М .: Наука, 1981. — 416 с.

49.Месарович М., Такахара К. Общая теория систем: математические осно­ вы. — М. : Мир, 1978. — 311 с.

50.Месарович М., Мако Д-, Такахара И. Теория иерархических многоуров­

невых систем. — М. :Мнр, 1973. — 344 с.

51. Мойнов П. П. Оценка технологичности конструкций интегральных схем.— Электронная техника. Сер. упр. качеством, стандартизация, метрология, испы­ тания, 1982, вып. 1(93)—2(94), с. 85—87.

52. Норенков И. П. Введение в автоматизированное проектирование тех­ нических устройств и систем. — М .: Высш. шк., 1980. — 311 с.

53. Норенков И. П., Маничев В. Б. Системы автоматизированного проекти­

рования электронной и вычислительной

аппаратуры. — М .: Высш. шк., 1983. —

272 с.

 

 

 

 

 

54. Норенков И. П., Мулярчик С. Г.,

И ванов С. Р.

Экстремальные

задачи

при

схемотехническом

проектировании

в

электронике. —

Минск: Изд-во

Бело-

руск.

гос. ун-та, 1976.

— 240 с.

 

 

 

 

55.Н осов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. — М. : Сов. радио, 1976. — 304 с.

56.Орловский Г. В., Слисаренко А. О. Искусственный ннтелскт: промыш­ ленная точка зрения. — В кн.: ЭВМ в проектировании, и производстве. Л . :

Машиностроение, 1983, с. 5— 17.

57.Основы управления технологическими процессами. — М .: Наука, 1978. —

440 с.

58.Петренко А. И. Основы автоматизации проектирования. — К .: Техшка. 1982. — 295 с.

59.Петросянц К. О., Рябов И. Н. Анализ на ЭВМ тепловых режимов

гибридных интегральных схем. — Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектро­ ника, 1980, вып. 5(89), с. 60—65.

60. Плескунин В. И., Воронина Е. Д . Оценка точности и стабильности процессов групповой технологии в АСУТП. — Электронная техника. Сер. 9. АСУ, 1974, № 1. с. 121— 128.

61. Полак Э. Численные методы оптимизации. — М. :Мир, 1974. — 374 с.

62.Применение ЭВМ в технологической подготовке серийного производ­ ства. — М. : Машиностроение, 1981. — 282 с.

63.Пролейко В. М., Абрам ов В. А., Брюнин В. Н. Системы управления качеством изделий микроэлектроники (теория и применение). — М .: Сов. ра­

дио, 1976. — 224 с.

64.Растрыгин Л . А., М адж аров Я. Е. Введение в идентификацию объектов управления. — М .: Энергия, 1977. — 216 с.

65.Растрыгин Л . А. Современные принципы управления сложными объекта­ ми. — М .: Сов. радио, 1980. — 232 с.

66.Роткоп Л . Л ., Спокойный IO. Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании РЭА. — М .: Сов. радио, 1976. — 232 с.

67.Сигорский В. П. Математический аппарат инженера. — К. : Техшка, 1975. - 768 с.

68.Сегерлинд Л . Применение метода конечных элементов. — М -: Мир, 1979. - 392 с.

69.Сироткин В. С., Пресс Ф. П. Управление технологическими процессами производства полупроводниковых приборов. — М .: Энергия, 1979. — 208 с.

70.Соболь И. М. Численные методы Монте-Карло. — М .: Наука, 1973. —

194

71. Смолко

Г. Г., Баталов Б.

В К а з е н н о е Г. Г. и др. Методы

статистиче­

ского расчета

интегральных схем.

— Микроэлектроника, 1973, № 6,

с. 11—26.

72.Стояк Ю. Г., Путятин В. П. Размещение источников физических по- -ксй. — К .: Наук, думка, 1981. — 184 с.

73.Скурихин В. И., Шифрин В. Б,, Дубровский В. В. Математическое мо­ делирование. — К. : Техшка, 1983. — 270 с.

74.Тарабрин Б. В., Н азаров А. С., Кейджан К А. и др. Метод определения оптимальной номенклатуры выходных электрических параметров ИС. — Микро­ электроника и полупроводниковые приборы, 1976, с. 159— 178.

75.Фиакко А.. Мак-Кормик Г. Нелинейное программирование. Методы после­ довательной безусловной минимизации. — М .: Мир, 1972. — 240 с.

76. Физические основы надежности / Под. ред. Ю. Г. Миллера. — М.: Сов. радио. 1976. — 320 с.

77.Фомин А. В., Борисов В. Ф., Чермошенский В. В. Допуски в РЭА. — М.: Сов. радио, 1973. — 122 с.

78.Фомин А. В., Бочонков 10. И., Сорокопуд В. А. Технология, надежность

иавтоматизация производства БГИС и микросборок. — М .: Радио и связь, 1981. — 352 с.

79.Фесечко В. А., Вакуленко А. С., Вакуленко С. С. Алгоритм расчета ГПИС но постоянному току с учетом реальных температур компонентов. — Автоматизация проектирования в электронике, 1975, № 77, с. 33—36.

80.Хартман К-, Лецкий Э., Ш ефер В. Планирование эксперимента в ис­

следовании технологических процессов. — М .: Мир, 1977. — 552 с.

81.Химмсльблау Д . Анализ процессов статистическими методами. — М .: Мир, 1983. — 957 с.

82.Химмсльблау Д . Прикладное нелинейное программирование. — М .: Мир, 1975. — 534 с.

83.Цветков В. Д. Системно-структурное моделирование и автоматизация проектирования технологических процессов. — Минск: Наука и техника, 1979. —

84.Черных А. В., Пресс Ф. П., Сироткин В. С. Метрологическая модель фотолитографии. — Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1977, вып. 7, с. 85—93.

 

85. Черняев В. Н. Технология производства

интегральных

микросхем. —

М .: Энергия, 1977. — с. 376.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

86.

Antoniadis

D. A , Rodoni At., Dutton R.

W. Impurity

redistribution

in

SiOa — Si during

oxidation: a

numerical

solution

including interfacise fluxes. —

J. ol the electrochemical soc., 1979, v. 126, № 11, p.

1939— 1945.

 

 

 

 

 

87.

A ntoniadis

D. A., Gonzales A. G., Dutton

R. W. Boron in near-intrinsic

100

and

III

silical

under inert and oxiditing ambients-diffusion and segregation.—

J . Electrochem. Soc., 1978, v. 125, № 3, p. 813-818.

 

 

 

 

 

 

 

88. Antoniadis D. A., Dutton R. W. Models for computer simulation of complete

JC

fabrication

process. — IEEE. J.

of

solid

state

circuits,

1979,

v. SC 14,

№ 2,

p. 412—422.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

89.

A talla

M.

M.,

Tannenbautn

E.

Impurity redistribution and

junction

for­

mation

in

silican

by

thermal

oxidation.

Bell, sust.,

tech.

J.,

1960,

v.

39,

p.939—946.

90.Bandler J. W. and Charalambous C. Theory of generalized least ptl1 approximation. — IEEE. Trans. Cir. Th. 1972, CT— 19. p. 287—289.

91.B andler J. W. et. al. Worst case network tolerances optimization. — IEEE

Trans. Microwave theory and techniques, 1975, v. MTT-23, № 8, p. 630—641.

92. Bandler J. W. Optimization of design tolerances using nonlinear program­

ming. — J. Optimization theory and operarations, 1974, v.

14, № 1,

p. 99— 113.

93. B eeson R. M and M eisel W. S. Optimization of

complex

systems with

respect to multiple criteria. — in: Proc. of the 1971 systems, man. and cybernetics

conference: Joint national conference on

major systems. 1971, p. 144— 149.

94. Canghey D. M., Thomas R. E.

 

Carier mobilities in silicon empirically

related

to doping and field. — Proceed,

of the IEEE, Dec. 1967, p. 2192—2193.

95.

D eal

В.

E., Grove A. S. General

relationship for the thermal oxidation

of silicon. —

J.

of applied physics, 1965,

v.

36, № 12, p. 3770—3778.

195

96. De Man M., Hortens R., Van Overstrom R. Transport equations in hevvy doping silicon. — IEEE Trans. Electron Devices, 1971, v. 14, p. 407—416.

97. Director S. W. el al. Computer-aided tolerance assignment lor linear circuits with correlated elements. — IEEE Trans. Circuit theory, 1973, v. et-20,

5, c. 518—524.

98.Director S. W., Bristol W. A. and Brodersen A. I. Fabrication-based opti­

mization of linear integrated circuits.

 

to design cente­

99. Director

S.

W. The simplicial approximation approach

ring. —

IEEE Trans. Circuits systems, 1977, v. CAS-24, w 7, p. 363—372.

100.

Dution P.

W., Divercar P. A., Gonzalez A. G., Hansen S. and Antonia-

dis D. A. Correlation of iabricalion process and electrical

device

parameter

variations. — IEEE

J. of solid state

circuits, 1977, v. SC— 12,

a 4, p. 349—355.

101. Dutton R. W„ Hansen S. E. Process modelling of integrated circuit de­

vice-technology. Proceed, of the IEEE, 1981, v. 69, № 40, p.

1305— 1320.

102.

Fair R.

B.

Boron diffusion

in silicon—concentration

and

orientation

dependence, background effects and profile estimation. — J. electrochemical soc.,

1975, v. 122, № 6, p. 800—805.

redistribution

103. Gave K. /. 5. The base diffusion profile arising from Boron

in the oxide — a useful opproximation. — Solid State Electronics.

1965, v.

12, p. 991-993.

104.Gribbons /. F., Mybroig S. Estimation of impurity profiles in ion imple­

mented amorphous targets using joined haff —

Gaussion distributions. Ap. plivs.

letters, 1976, v. 22, № Ц, p. 568—569.

 

 

 

 

105.

Huang I. S. T., Weltiver L. C. On the redistribution of

Boron in

the

diffused

layer during thermal oxidation. — J.

electrochemical soc.

1970,

v.

117,

to 12, p. 1577-1580.

 

and

collector

106.

Incecik A. F. Computer aided determination of emitter

resistences of integrated bipolar transistors. —

IEEE. J. of Solid— State

Circuits.

1976, v. SC— 14, № 6, p. 1108— 1111.

 

 

 

 

107.Karafin B. J. The optimum assignment of component tolerances for elect­ rical networks. — The bell system technical journal, 1971.

108.Kirsch L. W. and Sanathan С. K. Simulation and optimization techniques

using vector performance index. — In: IMACS Symposium on Simulation, 1977,

p.436—439.

109.Kjellstrom G. et al. Optimization methods for statistical network design.— IEEE Proc., 1975, ISCAS, p. 321—324.

110.Kow al V. A., M otyka I. I. Metodologiczne aspekty tworzenia automatyeznego systemu projeklowania bazy elementowei REA. — Wspomaganie projektowania technicznego. Wroclaw, 1977, s. 118—124.

111.Li S. T. et. al. Optimum tolerance assignment for linear systems with

correlated component values. — IEEE Proc., 1975, ISCAS, p. 190— 193.

112. Mertens R. P., Dcmen H. Jon Overstracten R. J. Calculation of the emitter efficiency of bipolar transistors. — IEEE Trans, on electron devices, 1973, v. 20, Лг9 9, Sep., p. 772—778.

113. Nakazima Y., Ohltawa S., Fukukawa /. Simplified expression for the distribution of diffused impurity. — Japan J. Appl. Phys., 1971, № 10, p. 163— 164.

114.Pinel J. F. Tolerance assignment and network of linear network in the frequency domain. — IEEE Course, 1973, № 73 - SC—06, p. 17—25.

115.Pinel J. F. and Roberts K. A. Tolerance assignment in network design. — IEEE proc, 1975, ISCAS, p. 324-327.

116. Pinel J. F. and Singhal K.

Efficient

Monte— Carlo computation of circuit

yield using importance sampling. —

IEEE

Proc., 1977, ISCAS, p. 285—288.

117.Pinel I. F. and Singhal K. Statictical design centering and tolerancing using parametric samplig. — IEEE Proc., 1980, ISCAS, p. 882—885.

118.Rey G., Bailbe I. P. Sonic aspects of carrient gain variations in bipolar transistors. — Solid -State Electronics, 1974, v. 17, p. 1045— 1057.

119. Spance R. and Tahim K. S. A radial exploration approach to manufactu­ ring yield estimation and design centering. — IEEE Trans. Cir. and Sys., 1979, v. CAS—26, № 9, p. 285-288.

196

120. Slotboon J. W., Graaf H. C. Measurements

of bandgap narrowing in si

bipolar transistors. — Solid-state Electronics, 1976,

v. 19, p. 857—862.

121. Thorbjornsen A. R. et al. Computer-aided

tolerance

correlation design

of integrated circuits and systems. IEEE Trans. Cir.

and Sys.,

1979, v. CAS—26,

9, p. 763 -767 .

122.Fossurn I. G. Expandable modelling of bipolar devices. — Techn. Pap. 1972, v. 17. p. 1 - 6 .

123.Wu C. Y. Current gain of the bipolar transistors. — J. Appl. Phys., 1980, № 51, Sept., p. 5030-5037.

124. Maly w., Strojw as

A. Simulation of bipolar IC elements for statistical

circuit design. — In: Proc.

ISCAS‘79. Tokyo, 1979, p. 788—791.

125. Brayton

R.,

H achlel

G„ Sangivanni-Vincentelly A. A. survey of optimiza­

tion techniques

for

integrated-circuit design. Proc. of the IEEE, 1981, vol. 69,

10, p. 1334— 1362.

126.Light пег M. R. and Director S. \V. Multiple criterion optimization of

electronic

circuits.

In National Science Foundation, ENG 77—20895, 1979, p. 53.

127.

Yu. P. L.

and Leitmann G. Compromise solutions, domination structures,

and salukvadze’s solution. IOTA. 1974, 13, 3, p. 362—378.

 

О ГЛ А В Л Е Н И Е

 

 

 

 

 

 

 

П р ед и сло ви е.................................................................................................

 

 

 

 

 

3

Г л а в а

1. Обоснование

системного

подхода

принятия

конструктивно­

 

 

технологических решений на этапе автоматизации технологи­

 

 

ческой подготовки производства опытных образцов ИМС

5

 

1.1. Особенности

автоматизации

технологической

подготовки

 

 

производства

интегральных

м и к р о сх е м ..............................................

 

 

5

 

1.2. Анализ методов моделирования технологических процессов

 

 

производства

И М С ........................................................................................................

 

 

 

 

 

13

 

1.3. Задача обеспечения технологической воспроизводимости ИМС

21

 

1.4. Особенности методов анализа конструктивных решении ИМС

2&

 

1.5. Методы принятия оптимальных конструктивно-технологиче­

 

 

ских р е ш е н и й

..............................................................................................................

 

 

 

 

 

31

 

1.6. Общая постановка задачи принятия оптимальных конструк­

 

 

тивно-технологических решений

на

объектах

иерархической

 

 

с т р у к т у р ы

 

 

 

 

 

 

30

Г л а в а

2. Разработка объединенной физико-технологической модели эле­

 

 

ментов И М С ........................................................................................................

 

 

 

 

 

44

 

2.1. Общее обоснование необходимости построения объединенной

 

 

физико-технологической модели элементов И М С ........................................

 

 

44

 

2.2. Разработка

структуры

ОФТМ

 

элементов ИМС . . . .

47

 

2.3. Задача идентификации параметров структурныхсоставляющих

 

 

ОФТМ элементов И М С .......................................................................................

 

 

 

 

 

53

 

2.4. ОФТМ как объект для принятия конструктивно-технологиче­

 

 

ских р е ш е н и й

..............................................................................................................

 

 

 

 

 

64

Г л а в а

3. Обеспечение

технологической

воспроизводимости

ИМС пу­

 

 

тем назначения допусков на параметры элементов

 

71

 

3.1. Назначение допусков — задача принятия оптимального ре­

 

 

шения .....................................................................................................................

 

 

 

 

 

 

7!

3.2.Определение функций цели и системы ограничений в зада­ чах назначения допусков .............................................................................

3.3.Формализация задачи назначения д о п у с к о в ...............................

3.4.Формализация методов принятия оптимальных решений .

Г л а в а

4.

Обеспечение

функциональной

воспроизводимости

ИМС

по

11$

 

критерию тсплоэлектрической совместимости параметров

 

 

4.1. Построение

тепловой физико-математической макромодели

 

 

конструкции И М

С ...........................................................................................

 

 

 

 

113

 

4.2. Анализ стационарной тепловой физико-математической моде­

122

 

ли

конструкции

ИМС

аналитическим м е т о д о м ...............................

 

 

 

4.3. Анализ стационарной тепловой физико-математической моде­

128

 

ли

конструкции

ИМС

методом

конечных элементов

 

 

 

4.4.

Обеспечение

теплозлектрической совместимости

параметров

 

 

элементов И М

С ...............................................................................................

 

 

 

 

140

 

4.5. Формализация задач принятия решения для обеспечения

144

 

функциональной

воспроизводимости И М С ........................................

 

 

Г л а в а

5.

Обеспечение

функциональной

и технологической совместимос­

 

 

ти параметров

И М С ..............................................................................

 

 

150

 

 

5.1.

Построение информационной и структурной модели обеспече­

 

 

ния функциональной и технологической совместимости парамет­

 

 

ров

И М С .............................................................................................................

 

 

 

 

 

150

 

5.2. Моделирование основных технологических операций процесса

производства И М С ......................................................................................

 

157

5.3. Расчет параметров элементов ИМС на базе физнко-топологи-

ческого моделирования...........................................................................................

 

168

5.4. Формализация задачи обеспечения функциональной и тех­

нологической совместимостипараметров И М С

........................................ 179

Заключение . . .

. . . .

190

Список литературы . . .

 

192

Владимир Александрович Коваль

МОДЕЛИ И МЕТОДЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ВОСПРОИЗВОДИМОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Редактор

В. В.

В о й т о в и ч

 

Переплет

О. Э.

Ю д и н о й

 

Художественный

редактор С.

В. К о п о т ю к

Технический

редактор А. А. С т е п а н ю к

Корректоры

О. А. Т р о с т я к ч и н,

М. Ю. Г о р б а л ь

 

Ииформ. бланк

Кг 9065

 

Сдано о набор 19. 11.84. Подп. в

печать 26. 02.35.

БГ 02373. Формат 6JX90/,,. Бумага тнпогр. Кг 1. Лит. гари. Выс. печать. Уел. печ. л. 12,5. Уел. кр.-отт. 12.5. Уч.-нзд. л. 12,75. Тираж 1260 экз. Изд. Кг 1246. Зак. 3925. Цена 2 р. 20 к.

Издательство при Львовском государственном университете издательского объединения «Вища школа», 290000, Львов, ул. Университетская, 1.

Областная книжная типография, 290000, Львов, ул. Стсфаника, 11.

Соседние файлы в папке книги