Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Упругопластическое деформирование и разрушение материалов при импульсном нагружении

..pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
29.35 Mб
Скачать

на постоянном уровне — с ростом нагрузки и соответствующим возра­ станием скорости ползучести возрастает скорость разупрочнения. Экстраполяция на нулевое время ползучести участков установившейся ползучести определяет некоторую кривую деформирования а* (е„), которая соответствует минимальному влиянию эффектов разупрочне­ ния. Такая кривая, как следует из (1.13), определяется протеканием только одного процесса — процесса деформационного упрочнения (при условии, что вязким сопротивлением также можно пренебречь)

(1.14)

Модуль упрочнения в (1.14) характеризует изменение состояния мате­ риала в процессе пластического деформирования.

При достаточно высоких скоростях деформации вследствие сок­ ращения времени действия нагрузки можно пренебречь эффектами раз­ упрочнения (при сильном влиянии на процесс разупрочнения сокраще­ ния времени нагружения). Сопротивление деформации в этом случае с достаточной точностью может быть представлено выражением

(1.15)

Из сравнения выражений (1.14) и (1.15) видно, что экстраполяция динамических кривых сг '(e) на нулевую скорость приводит к той же кривой деформирования, что и экстраполяция на нулевое время кри­ вых ползучести. В ряде работ [55, 56] такая кривая принята за «пре­ дельную кривую деформирования». Как следует из приведенного ана­ лиза, эта кривая отражает процесс деформационного упрочнения материала, а снижение сопротивления с понижением скорости деформа­ ции при неударном нагружении обусловлено процессами релаксации напряжений в материале под нагрузкой, а не снижением вязкой со­ ставляющей сопротивления (которая может быть принята пренебре­ жимо малой).

Изменение в процессе нагружения модулей упрочнения, разупроч­ нения и коэффициента вязкости, их зависимость от силовых и темпе­ ратурных условий нагружения позволяет качественно объяснить эффекты, связанные с деформированием материалов при различных ско­ ростях и температурах — зависимость сопротивления материала де­ формации от режима нагружения, изменение коэффициентов вязкости близких по составу и механическим характеристикам материалов. Однако пренебрежение отдельными видами процессов в материале, например пренебрежение процессами разупрочнения при высоких ско­ ростях деформации или вязкой составляющей сопротивления при низ­ ких-уровнях нагрузки, недопустимо без достаточной эксперименталь­ ной проверки в соответствующих диапазонах нагрузки.

Из приведенного анализа следует, что сопротивление материала деформации определяется совместным протеканием процессов упрочне­ ния — разупрочнения и включает вязкую составляющую.

3. Уравнение состояния металлов на основе дислокационной модели пластического течения

Пластическая деформация кристаллических материалов — резуль­ тат перемещения под нагрузкой линейных и точечных дефектов кри­ сталлической структуры, и, следовательно, физически обоснованное уравнение состояния металлов может быть построено с учетом этих процессов. В зависимости от температурно-силового режима нагруже­ ния движение и взаимодействие линейных и точечных дефектов, кинетика их роста вносят вклад в процесс пластической деформации, и его анализ требует рассмотрения взаимодействия диффузионного

идислокационного механизмов деформации. В дальнейшем ограничим­ ся рассмотрением дислокационной модели, которая 118, 47] контроли­ рует процесс высокоскоростной деформации в металлах и широко используется для расчета кинетики деформирования материала в вол­ нах нагрузки 196]. Анализ результатов квазистатического испытания

изакономерностей распространения волн в свою очередь используют для оценки значений параметров дислокационной структуры.

Скорость пластического сдвига по дислокационной модели опреде­ ляется направленным движением дислокаций в соответствии с выраже­ нием

ё„ = f

ФbvdL =

^ <WvL)i,

(1.16)

(L)

*

(/)

 

где v n v — мгновенная и средняя скорости движения дислокационной линии; L — объемная плотность (длина) дислокаций; Ф — коэффици­ ент ориентации; индекс i определяет группу однородных дислокаций.

Движение участка дислокационной линии является последова­ тельностью переходов из одного устойчивого состояния, характери­ зующегося минимумом потенциальной энергии, в соседнее в моменты, когда под действием внешней нагрузки усилие на дислокацию, дейст­ вующее в плоскости ее движения, достигнет уровня, достаточного для преодоления местного сопротивления ее движению [18, 88].

Сопротивление движению дислокации обусловлено периодическим строением кристаллической решетки и полями напряжений, вызван­ ными искажениями решетки различными дефектами. При напряжени­ ях выше уровня барьеров на пути движения дислокации (т >• т0) скорость ее движения ограничивается только вязким демпфировани­ ем, в соответствии с гипотезой Гранато — Люкке, так что сопротивле­ ние сдвигу при этом обычно определяется линейной зависимостью

т = т * -f-y -u ,

(1.17)

где В — константа вязкого демпфирования; т* — характеристика сопротивления движению дислокации.

При напряжениях ниже уровня барьеров (т < т0), связанных с точечными дефектами кристаллической решетки и вызванными ими ко­ роткодействующими полями напряжений, дислокации закрепляются у этих точек. Преодоление потенциального барьера в точке закрепле-

ния V (т) может осуществляться при напряжениях ниже уровня барье­ ров за счет энергии термической флуктуации [77], следовательно, вероятность отрыва дислокации пропорциональна вероятности появле­ ния термической флуктуации энергии выше U (т). Частота такой флук­ туации

v = v0 exp —

Ц(т)

( 1. 18)

 

kT

 

пропорциональна характерной частоте v0 колебаний закрепленного участка дислокационной линии.

Термоактивируемые процессы являются основным механизмом деформации и разрушения твердых тел в кинетических теориях проч­ ности [10, 60]. При высокоскоростной деформации они действуют наряду с другими процессами и являются контролирующими при по­ нижении уровня нагрузки.

Из (1.18), учитывая вероятность обратного перехода, среднее гремя задержки дислокации у препятствия в процессе термически ак­ тивируемого его преодоления определяется энергией активации прямо­

го и обратного переходов — U (т) и U (т) соответственно — и состав­ ляет

t =

и

(х)

Vo

kT

exp

UW \ —I

(1.19)

 

kT )

 

Снижение внешней нагрузки до уровня т = т5, соответствующего уровню сопротивления движению дислокации между точками закреп­ ления (на этом участке влияние дальнодействующих полей напряжений является контролирующим), ведет к резкому снижению скорости дви­ жения дислокации вследствие малой вероятности термореактивируе­ мых процессов преодоления барьеров на ее пути, а основным механиз­ мом пластической деформации становится диффузионный.

Слабое влияние термической активации на движение дислокации при напряжениях, соответствующих дальнодействующим полям на­ пряжений Ts> позволяет рассматривать такой процесс как атермический, а напряжение, соответствующее ему, обычно классифицируют как атермическую составляющую сопротивления. Экспериментально величина т5 может быть определена как предел, к которому стремится сопротивление при понижении скорости деформирования. Однако за­ висимость сопротивления деформации от скорости даже при очень низких ее значениях свидетельствует об условности такого определе­ ния атермического сопротивления т5. Возможность существования барьеров с различным уровнем активации, контролирующих процесс в соответствующих диапазонах скоростей деформирования, еще более усложняет определение атермической составляющей.

Эффективное сопротивление движению дислокации определяется суммарным влиянием барьеров различного типа на пути ее движения, обусловленных как кристаллическим строением, так и его нарушения­ ми различными дефектами, приводящими к возникновению полей напряжений различной протяженности. Разделение этих полей на ко­ роткодействующие (вблизи точечных дефектов) и дальнодействующие

является условным, принятым с целью упрощения анализа динамики: дислокаций. Связанные с полями барьеры различного уровня преодо­ леваются дислокацией в термически активируемом процессе или атермически в зависимости от высоты барьера. Причем, каждому уровню нагрузки соответствует определенный набор барьеров, контролирую­ щих движение дислокаций, а следовательно, и процесс пластического течения.

Чаще всего используемый выбор зависимости скорости движения дислокаций от напряжений сдвига v (т) и плотности дислокаций от пластической деформации L (еп) обеспечивает удовлетворительное феноменологическое описание экспериментальных результатов в ограниченном диапазоне деформацйй и скоростей деформации. Посколь­ ку сложный характер дислокационной структуры и ее изменения в про­ цессе деформирования не учитываются, такая зависимость между напряжением, деформацией и скоростью деформации является не чем иным, как удобной аппроксимацией эмпирических данных.

Действительно, движение участка дислокационной линии можно рассматривать как его перемещение с некоторой максимальной для данного уровня нагрузки скоростью у0 (т) в области совершенной кристаллической решетки между точками закрепления (приложенное напряжение достаточно для того, чтобы дислокация преодолевала ба­ рьеры на ее пути в этой области без существенных задержек) и останов­ ку на некоторое время у точек закрепления (приложенное напряжение недостаточно для атермического преодоления потенциального барьера у этой точки, и недостающая энергия обеспечивается за счет энергии термических флуктуаций, ожидание которых и определяет время за- /ержки) [41]. Тогда средняя скорость движения дислокаций

о = 1 / _1_ + 2 (°t)i

( 1.20>

(п)

 

Первое слагаемое в знаменателе определяет время прохождения дислокацией единичного пути при отсутствии точек закрепления, вто­ рое — общее время ожидания термической флуктуации энергии U (т) у точечных препятствий (сг — концентрация точек закрепления) на единичном пути движения дислокации.

Безусловно, такая модель не отражает всей сложности поведения дислокаций в зависимости от концентрации и распределения различ­ ного типа дефектов и может быть принята только для облегчения ка­ чественного анализа связи процессов пластического деформирования с динамикой дислокаций.

Выражение для скорости пластического сдвига (1.16) с учетом зна­ чения средней скорости (1.20) приобретает вид

 

1

Ф ы

( 1.21)

(п)

+ 2(c*h

 

щ

 

 

 

Структурное состояние материала, определяемое при данном рас­ смотрении концентрацией дефектов, изменяется с течением времени

вследствие размножения линейных и точечных дефектов и их анни­ гиляции. Приращение плотности дефектов за единицу времени

dL.

d Lt

t dL. .

~ d i~

= ~ dt

^ ~ d ^ T en>

а их полное изменение от начального до заданного момента времени определяется историей нагружения

=

+ £ ; . ] < * .

(1.22)

Отсутствие данных об изменении дислокационной структуры в про­ цессе деформации в зависимости от мгновенной структуры материала и условий нагружения не позволяет в настоящее время дать количест­ венную оценку инженерных прочностных характеристик материала на основе дислокационной модели, позволяющей объяснить многие особенности поведения материала, связанные с режимом нагружения.

Проанализируем поведение материала в зависимости от уровня нагрузки, пренебрегая для облегчения такого анализа изменением дислокационной структуры. При высоких уровнях нагрузки (т >• т0), когда можно пренебречь временем задержки дислокаций у препятствий, скорость их движения близка скорости движения по бездефектному кристаллу, и сопротивление сдвигу связано со скоростью пластической

деформации еп = ФbLv0 линейной* зависимостью, следующей из (1.17),

т = т* + ~ШГ е'1’

С1-23)

которая соответствует экспериментальным данным при высоких ско­ ростях деформации [51, 77].

Линейная зависимость скорости дислокаций от напряжения, уста­ новленная экспериментально, не удовлетворяет предельным условиям (асимптотическое повышение скорости до предельного значения v«. при повышении нагрузки), поэтому часто используется экспоненци­ альная зависимость. Принимая ее в виде

v0 = и»» ехр — т _^т^ ,

(2.24)

легко удовлетворить предельным условиям (v0

0 при снижении на­

грузки до т5 и v0 -*• а,*, при возрастании нагрузки). Следовательно, такая зависимость более приемлема для представления зависимости скорости дислокации от нагрузки во всем диапазоне ее изменения. Величина т5 может интерпретироваться как уровень внутренних на­ пряжений, препятствующих движению дислокации (сопротивление трения). Следует подчеркнуть, что в данном случае т4 определяет не общий максимальный уровень барьеров на пути движения дислока­ ции, а только уровень, соответствующий дальнодействующим полям напряжений.

Из зависимостей (1.24) и (1.16) следует выражение для сопротивле­ ния сдвигу

D

T~ Tj In (VO *

которое при высоких скоростях де­ формации, однако таких, что скорость дислокаций ц, ц», приводится к ви­ ду (рис. 2)

т = тг + -4^- (ёп — еп1), деп

Рис. 2 . Экспоненциальная зависи­

мость сопротивления пластическому сдвигу от скорости движения дис­ локаций

dx дх № ) . den

Отсюда для ограниченного диапазо­ на изменения нагрузки вблизи точ­

ки 1 (т— %1 ,

= Oi)

=

""lDvVs^— •

Из сравнения с линейной за­

висимостью

(1.17) находим

 

 

 

 

т*

тг

(Ti —Ts)*

B lb ~

(Т|— Тд)а

 

 

 

 

 

Dvi

При достаточно низкой нагрузке можно пренебречь первым сла­ гаемым в знаменателе выражения для скорости пластической дефор­ мации (1.21). В этом случае процесс контролируется термически ак­ тивируемым освобождением дислокаций от закрепления. Тогда приб­ лиженно

ФЫ П

(п) 2 (tf)i

I Jn

Если превалирует влияние одного типа закрепления, зависимость от скорости деформации упрощается и, с учетом выражения для времени задержки дислокации у препятствия, преобразуется к виду

ФЫ г

=[exp —

U(x)kT — exp — 1/<т>kT ]■

U (T ) = U0 / (T ); U (T ) = U0+ / (T );

(1.25)

V 0 = U0.

В относительных координатах {е^ = bLv*,)

*'

(1.26)

Пренебрегая вероятностью обратного перехода, при напряжениях сдвига, превышающих уровень атермической составляющей сопротив­ ления деформации (при т > t s), получаем

С (т) = — kT In

Для зависимости энергии активации от сопротивления сдвигу чаще всего принимается линейная зависимость

U (т) = U0 — у (т — т8); V (т) = £70 + у (т — Ts),

(1.27)

где U9 — высота потенциального барьера у точки закрепления при нуле­ вом уровне внешней нагрузки; у — активируемый объем, зависящий в общем случае от скорости дислокаций, температуры и других пара-

метров нагружения и состояния материала, у at/

При U (т) = 0 движение дислокаций идет без помощи термической флуктуации и, следовательно, нагрузка соответствует общему уровню барьеров тг0, что позволяет принять для него зависимость т0 = U jy + + т5. Следовательно, скорость пластической деформации и уровень сдвиговых напряжений связаны зависимостью (при т5 ■< т <с т0)

T - T e + J L , n ( ^ ) .

(1.28)

В зависимости от плотности дислокаций и концентрации точечных дефектов скорость деформации и температура оказывают различное влияние на сопротивление сдвигу. Отсутствие зависимостей атермического сопротивления т5, активационного объема у и высоты потен­ циального барьера UQот напряжения и температуры, как и от состоя­ ния материала, позволит получить только качественные закономер­ ности.

При уровнях нагрузки, близких к атермической составляющей сопротивления т5, скорость деформации в соответствии с выраже­ нием (1.25) существенно зависит от протекания процессов обрат­

ного перехода. Разлагая ехр в степенной ряд и удерживая пер­

вые члены ряда, получаем выражение для скорости деформации (при f W = I М И £/, = */„)

in = 2V

(t — t s) exp - ^ r ,

 

откуда

 

 

T = T> + - w

( - T - ) exP i r -

<1-29)

По выражению (1.29) при малых скоростях деформации, контроли­ руемых термически активируемыми процессами, сопротивление растет со скоростью по линейному закону. Возрастание с понижением ско­ рости деформации и повышением температуры эффектов, связанных с диффузионными процессами, ограничивает применимость приведен­ ного анализа к диапазону очень малых скоростей деформирования.

Изменение сопротивления сдвигу в зависимости от скорости плас­ тического сдвига по уравнению (1.26) схематически представлена на рис. 3. Три участка характеризуют области атермического (/), термоактивируемого (//) и надбарьернОго (///) движения дислокаций.

Предварительная пластическая деформация

стали,

как следует

из экспериментальных данных [77], повышает

уровень

статической

Рис. 3. Зависимость сопротивления пластическому сдвигу от скорости сдви­ га при Т = 300 К при использовании параметров:

D 400 МПа; Ts = т* = 100 МПа; т0 =■

*= 260

МПа;

с. / v0 *

4

10“ ^м

* с;

i'TC=

3

10»

м/с;

v =

246» =

0,38 X

X 10—27

м \

Ь= 2,5

10—10 ы,

Н =

... 400 МПа

 

 

 

 

динамичности (при постоянной

прочности, а следовательно, атермического сопротивления т5, одна­ ко слабо влияет на общий уровень барьеров на пути движения дисло­ кации (с повышением скорости не­ зависимо от предварительной дефор­ мации сопротивление стремится к одной величине в области надбарьерного движения дислокаций).

Пониженное влияние скорости на сопротивление пластическому сдвигу после предварительной де­ формации может быть объяснено изменением как активационного объема, так и плотности дислокаций и концентрации барьеров на пути их движения с увеличением сопро­ тивления деформации при одной и той же скорости деформирования. Действительно, в области термоак­ тивируемых процессов сопротивле­ ние сдвигу определяется выраже­ нием (1.27), откуда коэффициент личине у и т5)

дт

_ _kT_ П

, д I n {bL\Jg)

j

d I n en

T [

dI n en

J

Его изменение при возрастании предварительной деформации, изменя­ ющей концентрацию точечных дефектов ct и плотность дислокаций L, может быть объяснено изменением отношения CI/(L Vq).

Влияние температуры на сопротивление деформации не может быть установлено на основе приведенной модели вследствие сильной зави­ симости от температуры как сопротивления т5, так и активационного объема у.

Из приведенного анализа следует, что вследствие сложного процес­ са движения и размножения дефектов кристаллической структуры, большого числа меняющихся в процессе деформации параметров, характеризующих дислокационную структуру, в настоящее время не может быть построено уравнение состояния, пригодное для инженерных расчетов, только на основе дислокационной модели. Уравнения состоя­ ния, в которые входят усредненные параметры дислокационной струк­ туры материала, следует рассматривать как удобную аппроксимацию эмпирических данных.

4. Влияние истории нагружения в металлах на основе дислокационной модели пластического течения

Как показано в параграфе 2, если пренебречь периодом установления физических процессов деформации, сопротивление материала дефор­ мации при фиксированном структурном состоянии определяется ско-

ростыо пластического течения о — a (pl t ..., рт, е„), т. е. влияние ис-

sтории предшествующего нагружения обусловлено ее влиянием на из­ менение структуры материала (значения так называемых структурных параметров /?,-)."

Вметаллах структурное состояние определяется размерами зерен, блоков и других параметров микроструктуры и плотностью дефектов кристаллической решетки — линейных, точечных и т. д. Причем, при высокоскоростной деформации, контролируемой динамикой дислока­ ций, структурное состояние материала достаточно полно может быть охарактеризовано плотностью дислокаций и концентрацией дефек­ тов различной физической природы на пути их движения. Обычно принимается, что с ростом пластической деформации возрастает плот­ ность дислокаций, изменяясь от начальной плотности L0 до L в за­

висимости от пластической деформации, L = L0f(en), а функция раз­ множения f (еп) чаще всего аппроксимируется линейной или степенной зависимостью (для области малых степеней деформации) /(е„) = 1 4-

4авп, где %и а — постоянные, характеризующие материал. Изменение сопротивления сдвигу с ростом деформации т (еп) свя­

зано с изменением плотности и подвижности дислокаций, концентрации и высоты потенциальных барьеров на пути ик движения, активацион­ ного объема и других параметров, определяющих динамику дислока­ ций. Ввиду сложного характера связи между этими параметрами ис­ пользуется упрощенный подход, в соответствии с которым плотность дислокаций и средняя скорость их движения представляются в виде функций одной переменной — пластического сдвига и сдвиговыхнапряжений соответственно, что допустимо только для ограниченного диапазона изменения условий нагружения,

еп = ФЫи, L — L (е„).

(1.30)

Средняя скорость движения дислокации предполагается функцией напряжений сдвига и сопротивления трения v = v (т, D). В процессе пластической деформации средняя скорость движения дислокаций вследствие повышения эффектов их взаимодействия уменьшается, что учитывается изменением трения D, например, по линейному за­ кону D = D0 + Неп, либо уменьшением доли подвижных дислокаций <pn = L J L . Принятие экспоненциальных зависимостей для v и <pft

D

( Н \

i» = t»oo€xp---- — ;

ф„ - ехр^---- — еп]

приводит к одной и той же зависимости между скоростью пластическо­ го деформирования, сдвиговой деформацией и сопротивлением:

i „ = 6 t „ ( l + « i ) e x p — D± Jb . . .

(1.31)

Из (1.31) следует зависимость сопротивления от мгновенного значения сдвиговых деформаций и скорости пластического сдвига, не учитывающая влияние истории предшествующего нагружения. Так как скоростная деформация по результатам экспериментальных исследо­ ваний приводит к повышенному упрочнению, а значит, к повышенной

плотности дефектов кристаллической решетки по сравнению с анало­ гичной деформацией при меньшей скорости, коэффициент размноже­ ния а зависит от уровня действующих напряжений или связанной с ним

скорости пластического сдвига, а = а (еп). Это подтверждается уве­ личением коэффициента а в два-три раза при возрастании скорости от

2 • 10“ 5 до 2 103 с-1', установленным для молибдена [18].

При повышенных скоростях деформации следует ожидать более существенного влияния скорости деформации на коэффициент а. По­ кажем это на основе анализа взаимодействия двух факторов в процессе

деформации — возрастания

плотности дефектов с ростом деформации

и их изменения во времени.

 

 

 

Плотность дефектов, например

дислокаций, изменяется со ско­

ростью

 

 

 

 

dL

dL

.

dL

dt

~ dt

+

деп

вп'

Связанную с деформацией скорость размножения дислокаций мож­ но принять пропорциональной их плотности и средней энергии дис­ локаций (чем выше энергия дислокаций, тем выше вероятность генера­ ции новых дислокаций). В первом приближении, представляя энергию

дослокаций зависимостью £ д

Lv (1 -f- $Lv), скорость деформа­

ционного размножения дислокаций

 

- ± - e n = aL{\ + Ь0еп)еп.

Скорость изменения плотности дислокаций во времени, обуслов­ ленная их аннигиляцией (dLfdt), пропорциональна вероятности встре­

чи дислокаций /Д а также средней энергии дислокации, т. е.

 

^7~ = а — (! + V n K -

 

Отсюда следует

 

^ = a ( l - - ^ ) ( I + V n K .

(1-32)

Интегрирование (1.32) по времени приводит к зависимости плотности дислокаций от закона нагружения (для ограниченного диапазона

изменения их плотности, позволяющего принять коэффициенты а и Ь0 постоянными в процессе деформации) в виде

Зависимость (1.32) можно получить, не рассматривая процесс размножения и аннигиляции дислокаций, на основе предположения о законе их размножения. Принимая, что скорость размножения дисло­ каций пропорциональна плотности подвижных дислокаций, доля ко­ торых зависит от общей плотности дислокаций и уровня нагрузки, за­ висимость между приращениями плотности дислокаций и деформаций

зо