Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Физические основы прогнозирования долговечности конструкционных материалов

..pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
29.97 Mб
Скачать

= const заключены в условиях флуктуадиониого образования возбужденных связей уже в ненапряженном (с = 0) образце.

Перепишем уравнение (2.23) для удлинения возбужденных связей следующим образом:

e d _ _

JkT _ jn

т _

Er k | n

Т

(2.25)

£$с

Са

То

С(Х

То

 

Отсюда следует, что удлинение га можно связать с тепловым расширением еу. Существенно, что величина расширения растет пропорционально температуре лишь при 7 > 7К, причем при 7 > Ти величина коэф­ фициента пропорциональности увеличива­ ется. При 7 < 7К тепловое расширение рас­ тет быстрее, чем по линейному закону, а при 7 -^ 0 87(0)=^= 0 (см. рис. 2.34). Чтобы объяснить эти изменения, обратимся к урав­ нению, связывающему 8г с 7 при 7 < 7Э:

ег =

Srf

 

 

(2.26) Рис. 2.35. График фун­

 

 

кции {(Тщ/Т)

(1.36и)

 

 

 

 

Здесь суммирование проводится по всем модам колебаний,

причем

 

 

 

 

 

f (

Тэ с \

ТЭI

. v

flVk

(2.26а)

' \

Т ) ~

4

^ L>

hvk

 

 

 

 

* схр Пт

 

где ST — изотермическая податливость; G — термодинамический

параметр Грюнайзена.

(рис. 2.35)

видно, что при 7 <

7 /3

Из графика функции f

зависимость между / и 7 нелинейна

и что при 7->-0 f - ^ T ^ / 4 .

При 7 > 7 q. /3 величина f изменяется пропорционально темпе­

ратуре 7.

Поскольку при Т <L TD всегда существует мода, для кото­ рой 7,^/3 > 7 , зависимость между тепловым расширением для

«многомодового материала» и температурой 7 нелинейна. Дру­ гими словами, величина коэффициента теплового расширения р при 7 <С То зависит от температуры.

Преобразуем с учетом (2.14) уравнение (2.16) для разрыв­ ного напряжения о* следующим образом:

 

£/о

Бук

 

л*

Y

о

(2.27)

 

 

Из рис. 2.36 видно, что величина

разрывного напряжения

при т = const связана с расширением

ет пропорциональной за­

висимостью.

 

 

 

121

На рис. 2.37 показаны зависимости модуля Е от расшире­ ния ет для ориентированных полимерных волокон. Связь между ними, выражаемая уравнением

линейна.

Эти факты позволяют объяснить нелинейности температур­ ной зависимости прочности и модуля изменением статистики атомных колебаний при понижении температуры.

Рис. 2.36. Зависимость раз­ рывного напряжения а» от теп­ лового расширения г т химиче­ ских связен в полимерных мо­ лекулах ряда полимерных во­

локон:

Ряс. 2.37. Зависимость модуля Юнга Е ряда высокоориеи ти­ рованных полпнмндныч воло­ кон от теплового расширения химических связей в молекулах

полимеров:

/ —ДФО-ПФ; 2—ДФО-Б; 3—ДФГ-Б

/ —ДФО-ПФ:

2—ДФО-Б; 3—ДФГ-Б

С

учетом изменения

статистики атомных

колебаний при

Т <

TD уравнение для

времени ожидания разрушения матери­

ала

т под действием одноосного растягивающего напряжения

о приобретает вид

 

 

 

 

 

 

т =

тп ехр

Цр—Y<7

(2.29)

 

 

 

 

kTf(rD/T)

 

Это выражение

связано

с зависимостью

(1.366) (тсор^1).

Аналогичный

параметр f

при Т C T D необходимо вводить

в уравнения для ползучести, а также в уравнения для релакса­ ции напряжений и модуля.

Устремим температуру к пулю. Тогда из уравнений, получен­ ных в области классической статистики, следует, что временная зависимость прочности, ползучести н модуля Юнга должна ис­ чезнуть. Однако, как следует из (2.26а), в области квантовой статистики при Т 0 f (Г . / 4 ) 7 ^ . / 4 , и уравнения для раз-

122

рывного напряжения а*, деформации га и модуля Юнга Е трансформируются следующим образом:

я*

Uo_

кТD

Y

1Z77 In

z<i=

еЛТг

(2.30)

4(U0-yo)

Е =

Е

*TD

4(Jо

 

 

Эти уравнения показывают, что временная зависимость а*, га и Е сохраняется и при Т — 0, т. е. в отсутствие теплового движения атомов. На подобные следствия из квантовой стати­ стики атомных колебаний впервые было указано в работе 1224].

Рассмотрим зависимости удлинения «возбужденных» связей

от температуры (рис. 2.29). При Т -* 0 величина га стремится

к конечному значению:

 

ed (0) =

4U„

 

Таким образом, атомные перегруппировки, обуславливающие наличие «возбужденных» связей, их распад с образованием за­ родышевых трещин, развитие разрушения и деформации осу­ ществляются и в отсутствие теплового движения. Говорят, что в этом случае они обусловлены туннельными переходами, яв­ ляющимися следствием соотношения неопределенностей [224].

Из уравнений (2.27) и (2.28) следует, что отклонения от линейности температурных зависимостей а*, га и Е должны осу­ ществляться при температуре Т < TDj3. Например, как видно из рис. 2.31, такое отклонение зависимости разрывного напря­ жения бора от температуры встречается при температуре 400—500 К. Отсюда получаем, что TD= 1200^ 1500 К. Эта ве­ личина согласуется с расчетным значением TD=-1300~ 1400 К. Однако часто подобные отклонения встречаются при характери­ стических температурах 7\ < TDj3. Кроме того (см. рис. 2.29, 2.32), для полимерных материалов подобные отклонения встре­ чаются при двух характеристических температурах: ТК н Тп. В то же время из определения термодинамической темпера­ туры Дебая следует ее единственность для данного материала. Чтобы разобраться в этих кажущихся противоречиях, обратимся к функции плотности фононных состояний:

P(v) =

d N \

.Vv dv

где iVv — число колебательных мод материала. Примеры функ­ ций р (v) показаны на рис. 2.38. Они имеют ряд хорошо выра­ женных максимумов, частота которых близка к предельной

123

частоте колебаний v,-m i-й моды. Следовательно, для материа­ лов, функции плотностей которых показаны на этом рисунке, различные моды атомных колебаний энергетически отделены друг от друга. Это позволяет объяснить появление отклонений от линейности температурных зависимостей разрывного напря-

жения

а»,

деформации

позучести е

и модуля Юн-

га

Е

при

температурах

Т\

Т».

 

 

Будем постепенно уве­

личивать температуру, на­ чиная с 0°К. До тех пор, пока значение kТ будет

Рис. 2.38. Функция плотности часю г, найденная из спекгра неупругого рассеяния нейтро­ нов полиэтиленом

Таблица 2.6

 

 

, _ v

 

Термодинамическая (7Ъ )

 

и модовые температуры

(7 Эк и

^ и)

для ряда

материалов

 

Материал

 

ГЭк

тЭи

 

К

 

 

 

 

Алмаз

4000

_

_.

Кремний

1500

Германий

1300

Кварц

3600

Бор

1300

Полиэтилен

4000

400

700

Иолиимид

1400

2100

ДФО-ПФ

600

1200

Полиэтилснте-

рефталат

 

600

1200

Полнкапроамнд

 

меньше hxk [v*— частота первого из максимумов функции плотности частот p(v)], статистика всех мод колебаний будет подчиняться квантовой формуле.

При Т < ТЭк /3==ftv/i/3k статистика наиболее низкочастот­

ной моды колебаний станет почти классической. Поэтому зави­ симость одного из членов суммы (2.26) от температуры приоб­ ретает вид, близкий к прямой пропорциональности. Вследствие

этого прочность, модуль и деформация ползучести при Т >

Т

начнут изменяться пропорционально температуре. При

мош

~ 7 \)к /3=ftv4i/3k станет почти классической статистика

колебаний, которой соответствует второй максимум в функции частот p(v), и наклон прямых а*(Г), га(Т) и Е(Т) увеличится.

Очевидно, что термодинамическая (TD) и модовые темпера­ туры Дебая (7\ , 7^. ) являются важными параметрами для

прогноза надежности материалов, поскольку их знание позво­ ляет прогнозировать температуры, при которых происходит от­ клонение температурно-временных зависимостей разрывного напряжения и скорости ползучести от классических уравнении. Значения TD, Т и 7\)н для ряда материалов приведены

в табл. 2.6. Из нее видно, что для некоторых из материалов

124

статистика атомных колебаний уже при комнатной температуре значительно отличается от классической. Поэтому кинетика разрушения и деформации таких материалов уже при комнат­ ной температуре имеет квантовые особенности.

В этой связи желательно иметь интерполяционную формулу, с достаточной точностью описывающую зависимость kTf(T /Т)

ТD

вобласти Т < —§“ t —з -• Для материалов, функции плотности

частот которых имеют хорошо разрешенные максимумы темпе­ ратуры Т , такая формула имеет вид

Поэтому зависимость прочности а* от температуры в окрест­ ности Т ~ Т имеет

Э г

 

" . “ “ © О - w

ln i - ) .

где а(0) — значение прочности при Г

ОК.

2.5. Экспериментальное наблюдение зародышевых трещин

Согласно современным представлениям элементарным актом разрушения является термофлуктуациониое зарождение ста­ бильной трещины, называемой в этой связи первичной (или за-

%N

18

16

14

12

0 1 2

3

4 1умкм

Рис. 2.39. Распределение трещин но размерам в растянутых об­ разцах алюминия (а) и никеля (б) [26]

родышевой). Теоретические представления о механизме генера­ ции зародышевых трещин приведены в п. 2.2, а здесь мы рас­ смотрим экспериментальные методы и результаты изучения ха­ рактеристик зародышевых трещин, возникающих в различных материалах.

Обратимся к рис. 2.39, на котором изображена функция рас­ пределения по размерам микротрещин, образующихся в нагружсшгом алюминии. Видно, что распределение имеет острый мак­ симум, указывающий на возникновение в нагруженном теле

125

преимущественным образом микротрещпн определенного раз­ мера (для алюминия, деформированного при 18°С, это почти круглые полости с диаметром примерно 150—200 им). Концен­ трация таких трещин на много порядков больше, чем трещин большего или меньшего размеров. Это явление имеет общий ха­ рактер: во всех исследованных к настоящему времени материа­

лах при нагружении образуются в основ­

 

 

ном микротрещины определенного размера.

 

 

Время их образования

составляет

около

 

 

10~° с. К настоящему времени проверено

 

 

тщательное

изучение зародышевых трещин

 

 

при помощи просвечивающей и растровой

 

 

электронной

микроскопии, рассеяния

рент­

 

 

геновских лучей под малыми углами н рас­

 

 

сеяния видимого света, прецизионного из­

 

 

мерения

обусловленного

трещинообразова-

 

 

ииом изменения плотности.

 

 

 

Остановимся кратко на основных прин­

 

 

ципах этих методов.

 

 

 

 

 

Просвечивающие электронные микроско­

 

 

пы позволяют получать сведения о разме­

 

 

рах, концентрации н форме зародышевых

 

 

трещин в металлах и неорганических крис­

 

 

таллах толщиной не более 100 нм. Схема

 

 

оптической

системы просвечивающего мик­

Рис. 2.40. Оптическая

роскопа

изображена

на рис. 2.40. Пучок

электронов,

источником

которых является

схема

просвечиваю­

щего

электронного

накаленный

катод /(,

фокусируется

двумя

 

микроскопа

конденсаторами КД, создающими на иссле­

 

 

дуемом

объекте О электронное пятно дна

метром от 1 до 20 мкм. Электроны проходят через ряд магнит­

ных линз

н формируют изображение объекта

на флуоресци­

рующем

экране Э.

Под

экраном располагается

магазин

с фотопластинками;

при

фотографировании

экран

убира­

ется, и электроны воздействуют на фотоэмульсиоииый слой пла­ стинок.

Сведения о размерах, концентрации и форме трещин, распо­ ложенных на поверхности материалов, получают при помощи растровой электронной микроскопии. Устройство растрового электронного микроскопа схематически показано на рис. 2.41. При помощи электронных линз Л на поверхность образца О фокусируют электронный пучок, создаваемый электронной пуш­ кой ЭП. Он сканирует при помощи магнитных отклоняющих катушек по поверхности образца в прямоугольном растре. При взаимодействии электронов с материалом возникает несколько видов излучения: вторичные и отраженные электроны, рентге­ новское и световое и т. п. Любое из этих излучений может быть зарегистрировано с помощью соответствующего детектора, пре-

126

•образовано в электрические сигналы, которые после усиления подаются на электронно-лучевую трубку и модулируют ее пу­ чок. Развертка пучка происходит синхронно с пучком в микро­ скопе, и на экране трубки наблюдается увеличенное изображе­ ние поверхности исследуемого материала.

Перейдем к рассмотрению косвенных интегральных методов

наблюдения

трещин — рассеяния

рентгеновских лучей и види­

мого света. В основе этих ме­

 

 

 

тодов лежит теория рассеяния0-

^

 

 

электромагнитного

излучения &

 

 

на

неоднородности

 

электрон­

у.ЭП

 

 

ной плотности.

 

 

зависи­

 

 

 

Согласно

теории

 

 

 

мость интенсивности электро- ^

 

 

 

магнитного излучения J от уг- &

 

 

 

ла оассеяния ср (индикатрис- Т

 

 

 

сы) может быть использована I

■fefa

 

 

для изучения размеров, формы

 

РА

неоднородности

и

концентра­

 

 

 

ции

неоднородностей

в мате­

^

'И с

 

риале. В общем случае форму­

 

лы,

связывающие

 

интенсив­

 

ВЗУ

 

ность рассеянного света с уг­

>i--------

 

лом

рассеяния,

весьма слож­

Рис. 2.41. Скелетная схема растро­

ны. Однако

они

приобретают

простой вид в двух случаях:

вого электронного микроскопа:

К —кристалл-анализатор;

ВЭ& —вторич­

при

?*о <£. I и при Ко > / в слу­

но-электронный

умножитель; С —счетчик;

чае

непоглощающен

свет нс-

РА —регистрирующая

аппаратура

о шородгостн. Здесь I — линей­

 

 

 

ный размер

неоднородности; Ко— длина волны излучения в ва­

кууме. Первый случай чаще всего встречается при исследова­ нии трещин в металлах, кристаллах и полимерах. ЛинеГшые размеры зародышевых трещин в этих материалах составляют от 10-2 до 10 мкм, а длина волны рентгеновского излучения ^««(0,14-0,2) нм, (следовательно, Ko<£il). Второй случай реа­ лизуется при исследовании зародышевых трещин в полимерах. Линейные размеры трещин в этих веществах лежат в пределах 1—300 нм, а длина волны видимого света Я,,~500 нм, таким образом, Ко > I. Однако в щелочно-галлоидных кристаллах (см. ниже) один из размеров трещины равен 1 —10 мкм и, значит,

К{]< /.

Выражение для угловой зависимости интенсивности рассея­ ния рентгеновских лучей на неоднородности электронной плот­

ности имеет вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d j

*

)

V2(pe— pi)exp

\

лЧп

)d«>,

(2.31)

 

тс*

/

' 'гег г"0/ " ‘г

 

ЗЛ

 

 

где Jo — интенсивность

пучка,

падающего

 

на исследуемый

пбьект; е

и т — заряд

и масса

электрона;

с — скорость

света

127

в вакууме; V — объем неоднородности; ре и Рсо— электронные плотности неоднородности н материала, в котором она располо­ жена (для трещин (<>е — рео)2=р^0, так как рР = 0); U — ли­

нейный размер неоднородности в плоскости, проходящей через пучок рентгеновских лучей, падающих на образец; d J— интен­ сивность рассеянного света в телесном угле do.

Схема установки для исследования угловой зависимости рассеяния рентгеновских лучей изображена на рис. 2.42. Пучок

Рис. 2.42.

Схема

дпфрактомера

для

Рис. 2.43.

Схема

рассеяния рент-

измерения

угловой

зависимости

рент-

гсновского

луча

1 на трещине 2

геповского

рассеяния под

малыми

 

 

 

 

углами

 

 

 

 

 

рентгеновских

лучей,

выходящих из окошка

рентгеновской

трубки Ф, формируется щелями 1 и 2 в полоску требуемой угло­ вой величины. Щель 3 служит для отрезания фона. Лучи про­ ходят через образец О, рассеиваются в нем и регистрируются счетчиком рентгеновских квантов С. Приемная щель 4 враща­ ется в дуге с центром в месте нахождения образца. Чтобы ис­ ключить рассеяние рентгеновских лучей в воздухе, участок пути лучей от рентгеновской трубки до счетчика вакуумируется.

Часто зародышевые трещины имеют вид эллипсоидов с наи­

большей

осью

(продольным размером) I > / ±1,

/±2, где

/ (1 и /

9— две

другие оси эллипсоида (поперечные

размеры

трещин). Пусть все эллипсоиды ориентированы в пространстве одинаково, т. е. направления осей / и совпадают. Тогда

для случая бесконечно малой щели и совокупности трещин оди­ накового размера выражение (2.31) можно трансформировать следующим образом:

(2.31а)

(2.316)

128

где У (0)

и /

(0) — интенсивности

рассеяния

по углам

Ф9 и ф,

в плоскостях, параллельных наибольшей

и одной из

меньших осей эллипсоидов — трещин (рис. 2.43),

 

 

УII (0) =

BjlvVeNT

■Уд (0) =

ДУоW l

(2.31в)

Здесь В — опытный коэффициент, учитывающий геометрические особенности установки для исследования угловой зависимости рассеяния рентгеновских лучен.

Рис. 2.44. Рассеяние рентгеновских лучей от зародышевых трещин, образо­

вавшихся при одноосном растяжении

полиметакрилата (а) н

поликапро-

 

амида (б)

[208]:

 

 

 

1 — ось растяжения образцов

перпендикулярна падающему

-пучу и оси

гониометра*

т. е. параллельна плоскости, в

которой

отсчитываются

углы

2 —ось

растяжения

перпендикулярная лучу

и параллельна

оси гониометра

 

Если выражения (2.31) описывают наблюдаемое рассеяние рентгеновских лучей от трещин, то в координатах lg У— ф2 экс­ периментальные точки должны укладываться на прямые линии. Действительно, как видно из рис. 2.44, имеет место удовлетво­ рительная линейность графиков. Из наклона прямых можно оценить размер трещин: 1\\— из зависимости lg Уи (<рц) и /j_ — из зависимости lg У, (ф±). Экстраполируя прямые к ф= 0, на­

ходим У.. (0) и У (0). Их отношение

•У И(0)//J_(0) = /_L//|

позволяет оценить Ц и 1ц, значения которых для ряда полиме­ ров приведены в табл. 2.7.

Относительное изменение средней плотности тела Ар/р при образовании трещин прямо пропорционально изменению элек­ тронной плотности Аре и составляет

Ар/р = ApfV С .

9 Заказ Л*5 218

129

 

 

Таблица 2.7

 

Комбинируя это выра­

Размеры зародышевых трещин

жение

с

(2.39в),

полу­

в пластических материалах,

 

чаем

 

формулу

для

оп­

определенные при помощи

 

ределения

 

концентрации

сканирующей электронной микроскопии,

трещин:

 

 

 

 

 

рассеяния рентгеновских лучей

 

 

 

 

 

и видимого

света

[208, 234]

 

г

_

/

Л ы (Р )'.и |

У /3

 

 

 

 

Материал

'л.

l± / [ i

 

 

V

 

 

 

 

)

 

нм

 

Таким образом, совме­

 

 

 

 

 

 

 

 

стные

измерения

угловой

Полиметилмста80

170

2

зависимости

интенсивно­

сти

рентгеновских

лучей

крилат

100

100

1

и

плотности позволяют

Полистирол

Поливинилхло­

300

300

1

оценить

концентр ацию

рид

70

п о

 

зародышевых трещин С.

Ацетилцеллю­

1,5

 

Методы

 

исследования

лоза

300

300

1

зародышевых трещин при

Политетрафтор­

этилен

 

 

,

помощи рассеяния

види­

Алюминий

140

150

1

мого

света

 

в прозрачном

Цинк

140

диэлектрике

основаны

на

Серебро

100

200

2

теории

Релея—Джинса

Медь

100

200

2

Никель

80

200

2

[68]. Выражение

для

за­

Бериллий

160

висимости

интенсивности

 

 

 

 

рассеянного

 

света

J

от

 

 

 

 

угла

ф в общем

случае

весьма громоздко. Рассмотрим выражение для случая рассея­ ния плоско поляризованного света на трещине, имеющей вид шара диаметром I:

 

 

 

/(cp) = / 0( l - s in 2fp)f (ф),

 

 

(2.32)

где

f (я) = —j- (sin Я Я cos <7b

q = lK sin

к--=2пК/п; п —

 

 

Я'

 

 

 

 

z

от

концен­

показатель преломления; / о— параметр, зависящий

трации трещин и геометрии установки.

 

 

 

С другой стороны, для угла (180 — <р)

 

 

 

где

 

 

J (180 — ф) =

/ 0 (1 — sin2 ф) fj (ф),

 

(2.32а)

 

 

ГS in ( l k

 

 

 

 

 

h (я)—

3

COS

Ik COS

cos ( l k

cos - | - ) j .

 

(,ftcos-f-)

 

 

 

 

 

 

Комбинируя

(2.40)

и (2.40a), находим

 

 

 

/

(180 — ф)

_

+„, <p

si” ( /fes,n- f ) - lk SI" ~ F

cos ( !k sinT

)

 

/(4)

- = tg J

sin (lk

cos

lk cos

cos (lk

cos

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.326)

130