Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Структурно-аналитическая теория прочности

..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
31.75 Mб
Скачать

Скорость

упругой деформации

заданная

в

локальном

базисе I, т ,

п,

определяется естественным образом

 

через закон

Гука:

 

 

 

 

 

fi^k

CikpqTpq VirVksVptVqlCrstlxpq >

 

(1.36)

где тензор

упругой податливости

определен

в

кристалло­

физическом базисе, а точка означает производную по времени (см. уравнение (1.6)). Подчеркнем, что в (1.36) используется именно приложенное напряжение xik, а не эффективное напря­

жение х*к. Причины этого обсуждались выше. Следовательно, xpq = amp anq amn и т<>ГДа имеем

$ flfc amp anq Vir Vks Vpt Vql Crstl ^mn •

Здесь ffik выражено в локальном базисе l, m, n; atk — в лаборатор­

ном базисе JC,

у, z,

a C%pq — в кристаллофизическом

базисе

и, V, w . Кроме

этого,

учтено естественное соотношение

Cikp(} —

- ЩгVks Vpt Vql Crstl• В тех случаях, когда упругая податливость кри­ сталлов зависит от температуры Г, вместо соотношения (1.36) не­ обходимо записать более общий закон в форме

t> I =

и +

<1 -37)

где температурные

коэффициенты

^ Cikpq /д Т могут быть поло­

жительными, отрицательными или равными нулю. Вблизи тем­ ператур фазового превращения они бывают особенно велики, так что второе слагаемое в (1.37) становится весьма сущест­

венным.

 

[109,414]

У кристаллов с кубической симметрией

Cikpq ~ Су ô-tk Ôpq + С2( (5/р ôkq + &iq àкр) +

"*■ m=làmi ^nik &mp ^mq >

(1.38)

 

ще ôik — единичный тензор (Ôjk = 1 при

i = к,

ô-k = 0 при i = к);

Су = С?122 = С 2233 = C 3311 ; С2 = С2323 = Сз131 = С?2у2 Î Су + 2^2 +

+ С3 = С ^ц i + С 2222 + С зззз- (Здесь не

упоминаются нулевые кон-

41

 

 

станты С^р

0. Кроме того,

можно указать на наличие тождеств,

вытекающих

из

требований

объемной симметрии: C%PQ= C%pq =

= rfkqp= C*pqik )•

Для тея с

упругой изотропией (среди кристаллов

таким свойством с хорошим приближением

обладает,

например,

вольфрам) имеет место

условие С3 = 0 . При этом

константы

С\ = А , С2 = fi называют

постоянными Ляме.

 

 

Использование соотношений (1.38) существенно упрощает кон­ кретные вычисления. Например, для упруго-изотропных тел урав­

нение (1.36) приобретает

вид

 

$ к

~ * àik i ц+ 2 fi i ik,

(1.39)

где учтена симметрия тензора г^.

1.6.2. Тепловое расширение

Скорость деформации теплового расширения ($\к определяется простейшим физическим законом

$ ik Уik^ = tfiptfkqYpq ^ *

(1.40)

где Yik = Tjip rjkgYpq, a y% — коэффициент теплового расширения, выраженный в кристаллофизическом базисе.

В случае сред, обладающих изотропией теплового расшире­ ния, имеем

Yik = Yo ôik »

(1.41)

ще уо — постоянная.

1.6.3. Деформации магнитострикционного происхождения

В соответствии с (1.28) можем сразу написать для скорости магнитострикционных деформаций:

 

fi ik ~

tfir *7ks*fpt Vql &ap ^bq ^rstl C^ia

^ b )

^ .42)

В

уравнении

(1.42)

деформация

представлена

в базисе

/,

/л, п,

намагниченность

Mj — в лабораторном

базисе

дс, у, z,

а

тензор

магнитоупругих

постоянных

^%PQ— в

кристаллофизи­

ческом базисе

и, v, w

[414].

 

 

 

• р Скорость изменения электрострикционной деформации fi

выраженную в локальном базисе I, т, л, в соответствии с (1.30), имеем в виде

@ikш7рг Уй 7А/аар d%t Èa *

(1*43)

где тензор пьезоэлектрических постоянных d®st записан в кри­

сталлофизическом базисе, а напряженность электрического поля Ei — в лабораторном [414 ].

1.6.5. Деформации диффузионного происхождения

Известно, что при температурах, приблизительно равных или больше 0.8 Гщц где Тпл — температура плавления, неупругие деформации развиваются за счет диффузионного массопереноса вещества. В подавляющем большинстве случаев доминирует вакансионный механизм диффузии. Когда имеет место диффузи­ онный поток вакансий, в местах скопления их происходит сжа­

тие,

а в

местах «разряжения» — всестороннее расширение [86,

102,

155,

175, 224, 408, 414]. Если поток вакансий jx выражен

в относительных концентрациях, то порождаемые им скорости неупругой деформации равны [224]

Мк = aprVrq^р Jq^ik + Л X) £С*р/ССд^ ^ Орд Оцôpg 'jJ . (1.44)

Здесь второе слагаемое учитывает диффузионную деформацию, инициированную напряжением; D — усредненный по всем ори­ ентациям тензор коэффициентов диффузии; ав, ап— постоянные материала, первая из которых близка к половине атомного объ­ ема, а вторая зависит от размера зерна; /{- задан в кристал­

лофизическом базисе,

— в локальном,

а

V,- — в

лаборатор­

ном; л — концентрация

вакансий. Полагая

и

далее,

что поток

il обусловлен только миграцией вакансий, выпишем основные соотношения, *определяющие поток j).

В соответствии с первым законом Фика, сразу имеем

Din

(1.45)

h ~ ~ fcrp GqrVrp^qf* »

ще Dik — тензор коэффициентов диффузии вакансий в кристал­ лографическом базисе; ц — химический потенциал вакансий, равный

ц -

kT In— .

 

(1.46)

 

n 0

 

 

Здесь riQ— равновесная относительная

концентрация

вакансий,

определяемая равенством

 

 

 

 

и — 1 / 3 Я в т//

 

 

„0 = е

^

,

(1.47)

где и — энергия активации образования вакансий; QB— объем вакансий.

В случае изотропной диффузии

 

 

Dfo

ш

Dôfc.

 

(1.48)

Здесь коэффициент изотропной

диффузии D равен

 

 

 

 

 

Ц+ Цр

 

 

 

D = D0

Q

*т ,

 

(1.49)

где Do — постоянная;

i/o — энергия

активации

миграции вакан­

сий. Из (1.45) и (1.46)

получаем уравнение для

потока вакансий

в следующем виде:

 

 

 

 

 

 

 

 

п

V®r

 

 

V ïn

 

(1.50)

h

WQ

T

~

n

 

n 0 У

 

 

 

 

 

 

где V* — оператор набла в кристаллографическом базисе. Если справедливо уравнение (1.47), то из (1.50) имеем

h

О ш ч М т

,

, V *"

ЗкТ ) Т

кТ

п

Следовательно, поток вакансий возникает при наличии гра­ диентов температур V/Г, градиентов механических давлений

V/Т//, градиентов энергий активаций Vtu или градиентов текущей концентрации Vt-n. Конечно, при соответствующем значении имеем у, = 0 . Отметим, что второе слагаемое в (1.44) также

обусловлено потоками вакансий, например по механизму Хер- ринга-Набарро.

Для полного замыкания выписанных соотношений необхо­ димо дополнительное условие, налагаемое на текущую концен­ трацию вакансий п. Эволюционное уравнение для п имеет вид

дп

= -

Vu /

п - п 0

+ п.\

1 /2

(1.52)

dt

 

VpDJIjp

 

 

+ ^ ( é Üké ÎÀ)

 

Здесь первое слагаемое в правой части учитывает нескомпенсированность потоков, второе слагаемое характеризует естест­ венную гибель или рождение вакансий на стоках (источниках) с характерным временем релаксации г. Третье слагаемое h t

учитывает генерацию вакансий за счет любых других причин. Например, при действии на кристаллы радиации с интенсив­ ностью / [1791

hi = a\J,

где ai — коэффициент, характеризующий скорость генерации ва­ кансий под действием радиационного фактора.

Последнее слагаемое в (1.52) учитывает рождение вакан­ сий за счет неупругой деформации, т. е. вследствие сколь­

жения дислокаций (например,

путем испускания вакансий

со

ступенек

на

движущихся

дислокациях).

Коэффициент

а е

характеризует

интенсивность этого процесса.

 

Ясно, что

из

(1.52) следует

уточнение и

формулы (1.44)

для диффузионной микродеформации. Учет двух последних

слагаемых в

(1.52)

приводит к итоговому выражению

Мк

з

[ aprVrq^pîq +

х

ае(.&ik^ ik) 1

&ik

 

 

 

an n D apicCqfc(

^ ° il ^pq)

(1.53)

Отметим,

что

среди возможных

решений выписанных вы­

ше соотношений

существует

стационарное

решение

для пото­

ка /|,

которое всеща

можно

выразить в

виде

 

 

 

 

Dev/5^ = an D Dev xik,

 

(1.54a)

 

 

 

 

Рц = 0,

 

 

(1.546)

где ап — постоянная. Подобный результат получается тогда, ког­

да существуют стоки и источники вакансий неограниченной ем­ кости. Примером служит ползучесть по Херрингу-Набарро или Коблу, определяемая зарождением вакансий на одних поверх­ ностях и исчезновением на других. При такой ползучести

Ц, по

 

(1.55)

ап = а2 d3kT

 

ще аз постоянная; d3 — размер зерна; к — 1, 2 или 3 в за­

висимости от механизма массопереноса.

Особый интерес представляет так называемая радиационностимулированная ползучесть. Из (1.52) и (1.53) видно, что при длительном облучении однородного материала устанавливается

равновесная концентрация пр вакансий, которую можно опре­ делить приблизительно с помощью уравнения

пр = по + а\ v J *** ai т

(1.56)

Эти «лишние» вакансии дрейфуют под влиянием напряжений хik в сторону последних, обусловливая деформацию:

Dev#* ÜJ J Dev xik,

( 1.57а)

0,

(1.576)

где ÜJ — постоянная. Совершенно аналогичный

эффект полу­

чается и от дрейфа межузельных атомов, порождаемых ради­ ационным фактором. В результате (1.57) при соответствующем выборе коэффициента aj позволяет описывать суммарную ра­

диационно-стимулированную деформацию.

Кинетические уравнения для одновременно реализующихся процессов вакансионного и межузельного типа выписать не со­ ставляет труда. Это можно сделать следующим образом.

Во-первых, следует учесть, что наличие одновременно потока

вакансий

и межузлий

дает вклад в микродисторсию как

от первого,

так и от второго потоков. Во-вторых, нужно иметь

в виду, что при одинаковом направлении переноса вакансий и межузлий порождаемые ими микродисторсии оказываются про­ тивоположных знаков. Вследствие сказанного вместо (1.44) нуж­ но записать

 

ftik ~ "g &рг Vrq ^р (^ в Jq~

Jq ) ^ik 4*

 

 

 

 

4" &pi &qk ( &п ИD + Дм И D

)

{Opq

м )

*

(1*58)

Здесь

— микродеформация, связанная с потоками

вакансий

и межузлий; ап, ам — постоянные;

п° — концентрация

межуз­

лий;

ЕГ — усредненный по всем ориентациям

тензор

коэффи­

циентов диффузии межузлий D% в кристаллофизическом базисе. Для названных потоков вместо (1.45) теперь приходится за­

писывать систему

связных

уравнений

 

I,-

- f r

v*A

(1-59a)

=

(X.S96)

ще

— тензор коэффициентов диффузии (в кристаллофизи­

ческом базисе), учитывающий взаимовлияние вакансий и межузлий на процесс их переноса; ft — химический потенциал межузлий, равный

л

и0

 

(1.60а)

ц° = к Т h Æ .

 

 

 

 

Здесь HQ — равновесная относительная

концентрация

межузлий,

определяемая равенством

 

 

 

r t j - e

“о~ 1/3QмЧ

.

<1.606)

кт

В этом уравнении и0 — энергия активации образования меж­

узельных атомов; QM— объем межузлия. В качестве дополни­ тельного условия, налагаемого на текущую концентрацию меж­ узельных атомов, можно, например, выбрать следующие соот­ ношения:

 

п =

- V®/; - |&Ф(ц))< + a, J -

Ьпп° + щ I s Ъ)и \

(1.61а)

• 0

= -

Ï-JO.O

nÔA ,

0 \

0 ,

г

г.

0 ,

<1.61б)

п

V ,//

- т ^ Ф ( /*

)ft

+ a \J -

bnn

+ ае (е fc е ,*)

 

 

 

кТ

 

 

 

 

 

 

Здесь а\ — имеет тот же смысл, что и в (1.53); b — коэффи­ циент, характеризующий взаимную аннигиляцию вакансий и межузельных атомов; а® — коэффициент, характеризующий де­

формационное рождение межузлий. Второе слагаемое с целью обобщения его физического смысла выписано иначе, нежели в

(1.52), за счет использования обозначений Ф(и)иФ(и°), харак­ теризующих неодинаковость вероятностей рождения точечных дефектов на источниках и их гибели на стоках. Кроме того, предполагается, что скорость этих событий определяется не от­ клонением концентрации точечных дефектов от равновесных значений, а их химическими потенциалами. Выражения для

Ф(и) и Ф(м°) имеют следующий вид:

« а д = г ; 1 а

д

a(vc ) + гр 1 щ - и ) <4*9,

<i.6 2a)

ф&*°) = m

A

a(v?)+V1 жV)

(1 -6 2 6 )

Здесь гс, Гр — соответственно

характерное время смерти

и рож­

дения вакансий; гс0, гр0 — аналогичные времена для межузель-

ных атомов; Vc, Vp — объемы, в которых происходит соответ­ ственно смерть и рождение вакансий на стоках и источниках;

— аналогичные величины для межузельных атомов; ô — характеристическая функция объема. Конечно, следует иметь в виду, что в простейших обстоятельствах

Ф (/0 =

1 /г ,

<1.62в)

Ф(А10 ) »

1 /т° ,

(1.62г)

где г, т° — эффективные времена жизни соответственно вакансий

и межузлий. Они могут быть

рассчитаны с

помощью

формул

т

 

«в

 

 

 

 

~кт

,

 

 

(1.62д)

г —т в е

 

 

 

г о _ г

 

“ м

 

 

 

 

е

 

»

 

(1.62е)

* 0 “ * м

 

 

где гв, тм — характеристические

 

времена для

вакансий

и меж­

узлий; ив, им — энергии активации для вакансий и межузлий.

Вболее корректной трактовке вместо двух уравнений (1.62д)

и(1.62е) следует применять четыре независимых соотношения

ДЛЯ Тс, Гр, rcQ| TpQ.

Учет

уравнений (1.61а), (1.616) позволяет

переписать (1.58)

в форме,

аналогичной (1.53):

 

 

Pik ~ з \&prVrq ^р {авJq ~ ам J д) ав

Ф(/*) b ~

л о

ам Ф(^ 0 ^ ^0 “ (ав ае ~ ам <£) (ё Л è Ü)1/21 ôik +

+ dpi dqjç (ÛB n D + aMn D ) (Opq ~ ^ оц àpg ^ .

При соответствующих упрощениях выписанные соотношения преобразуются в простейшие уравнения для вакансионной пол­ зучести, отраженные равенствами (1.44)—(1.57).

Заметим, что (1.58)—(1.62) допускают стационарные реше­ ния, при которых устанавливаются не зависящие от времени и направленные от источников к стокам потоки вакансий и меж­ узлий, порождаемые как механическими напряжениями, так, на­ пример, и радиационным фактором / . Бели радиация происходит в поле напряжений, она вызывает радиационную ползучесть, ана­ логичную (1.57). В этом случае и в случае полного отсутствия напряжений потоки радиационных вакансий и межузлий к стокам оказываются,, как следует из решения уравнений (1.59)— (1.62), нескомпенсированными. Иными словами, согласно (1.59)—(1.62),

должно наблюдаться явление так называемого преференса (пред­ почтения), приводящее к необратимым изменениям структуры материалов. Таким образом, убеждаемся, что соотношения струк­ турно-аналитической теории позволяют формировать в связной постановке довольно сложные задачи структурно-механического плана.

1.6.6. Деформация, осуществляемая скольжением

Пластическая деформация кристаллов происходит чаще всего посредством дислокационного скольжения по определенным кри­ сталлографическим плоскостям и в некоторых конкретных на­ правлениях, например, в ГЦК-решетках в системе скольжения {111}, <110>, в ОЦК-решетках в плоскостях {110}, {112} или

{123} по

направлениям

<111>,

в ГПУ-кристаллах чаще всего

по плоскостям базиса. (0001) _в

направлении

[2110],

иноща

в

системах

(1010), [1120],

(1122)

[1123] или

(1011),

[2110]

и

Т. д.

Если направление / в локальном базисе I, т, п выбрать вдоль линии сдвига, а орт п — вдоль нормали к плоскости сколь­ жения, скорость неупругой деформации сдвигового происхожде­

ния fi% представляется в форме

(1.63)

где /?з! — скаляр, характеризующий скорость сдвиговой дефор­ мации.

В результате получается, что локальные законы развития такой деформации всегда можно записать в скалярном (а сле­ довательно, и в инвариантном по отношению к преобразованиям

координат) виде, если задать fi'h как функцию или функционал от напряжения, температуры и других физических переменных

задачц. Здесь важно подчеркнуть, что зависимость fi^ от на­ пряжения определяется лишь его сдвиговой компонентой г31, так как другие напряжения, в частности гидростатическая со­ ставляющая тензора напряжений, практически не оказывают

влияния на кинетику

сдвигов.

 

 

 

Если тензор напряжений в некоторой произвольно выбранной

системе координат a, fi, у

равен

Тц, а

направляющие косинусы,

переводящие базис I,

т,

п в

базис

ce, fi, у, есть д ^, тензор

Tik

будет равен

 

 

 

 

 

 

xik

Qpi Qqk Tpqt

(1.64а)

т.

е.

 

 

 

 

 

 

 

ЯрЪ Qq\ Tpq

(1.646)

 

 

Г 3 1

*

4 Заказ F 3258

49

Вводя

в рассмотрение

тензор

 

 

 

 

«& = r3l(^î3 ^*1 + ^АЗ fyl)>

(1.65)

всегда

можно записать

 

 

 

 

 

 

г** - т& + г» .

 

где г% = (

4,* -

?р3 fy ) Тт .

 

Теперь

видно,

что

поскольку лишь г31 определяет

реализа­

цию сдвиговой деформации, то процесс ее развития зависит только от (1.65). Та же часть тензора напряжений, которая

обозначена через т^, вообще не сказывается на массопереносе и потому не должна фигурировать в соответствующих выраже­ ниях. Физическим инвариантом напряжений оказывается, таким образом, лишь скаляр г31 (или г31, если напряжения определены

через

(1.1)).

 

составляющая поля напряжений 1 % в системе

Понятно, что

координат а,

у,

которая определяет процесс скольжения, может

быть выражена через r3J с помощью выражения

 

 

 

 

rfk =

<Нр Qkq Tpq =

*31 Qip Qkq @рЪ ô g\

+

<^3 ô p l) ~

 

 

 

 

 

 

- *3i( 0/з Qk\ +

Qu Якз)-

 

 

(1.66a)

Бели

переход

от

базиса

/,

/л,

л

к

базису

а, /?, у задан

углами

Эйлера

<р,0,гр, уравнение

(1.66а)

можно

изобразить

в

форме

 

 

 

^

-'Л з

 

+ р п р * > р Рг Р <1 тм >

 

<1-666>

где Prs -

a'rb ü'ba das и учтено,

что

г31 = Ррз Ря\ Tpq.

 

 

В

результате

приходим к

следующему

выводу

принципи­

ального характера: когда процесс деформации сводится к скольжению и находится инвариантная форма записи между деформациями и напряжениями, в качестве инвариантов де­

формации

следует брать лишь второй инвариант

из (1.63)

или квадратный корень

из

него, т. е. собственно /?31 (первый

и третий

инварианты

от

тождественно равны

нулю), а

в качестве инвариантов поля напряжений нужно использовать

только

второй

инвариант тензора

(первый и

третий ин­

варианты от

4

также

равны

нулю)

или

квадратный корень

из него, т. е. т31. Непосредственной

связи между /931 и пер­

вым, вторым

и

третьим

инвариантами тензора 77* не суще­

ствует.

Она

определена

только

для

части

этого

тензора

Соседние файлы в папке книги